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相變存儲器
相變存儲器 文章 進(jìn)入相變存儲器技術(shù)社區
恒憶Omneo系列相變存儲器耐寫(xiě)次數高達100萬(wàn)次
- 近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng )新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數和設計簡(jiǎn)易性，適用于固線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲器芯片即可實(shí)現很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫(xiě)入速度有望達到現有閃存的300倍，耐寫(xiě)次
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中國半導體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現“跨越趕超”
- “中國半導體產(chǎn)業(yè)有著(zhù)良好的基礎，如果要趕超世界先進(jìn)水平，必須要找準方向、加強合作。”現任美國國家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪(fǎng)時(shí)說(shuō)。 出生于甘肅蘭州的馬佐平現任美國耶魯大學(xué)教授、電機系主任，當天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導體科學(xué)領(lǐng)域做出重大貢獻的世界知名專(zhuān)家，他對中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿(mǎn)期盼。 馬佐平說(shuō)：“事實(shí)上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設廠(chǎng)生產(chǎn)相變存儲器的可能性，而這在世界范圍
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恒憶推出新系列相變存儲器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(shù)(PCM)的創(chuàng )新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱(chēng)為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫(xiě)入性能、耐寫(xiě)次數和設計簡(jiǎn)易性，適用于固線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲器芯片即可實(shí)現很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫(xiě)入速度有
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相變存儲器介紹
相變存儲器（phase change memory）,簡(jiǎn)稱(chēng)PCM，利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大
的導電性差異來(lái)存儲數據的。
相變存儲器-物理變化
初次聽(tīng)到"相變"這個(gè)詞,很多讀者朋友會(huì )感到比較陌生.其實(shí),相(phase)是物理化學(xué)上的一個(gè)概念,它指的是物體的化學(xué)性質(zhì)完全相同,但是物理性質(zhì)發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相)，液態(tài)水（液相）以及固態(tài)水 [ 查看詳細 ]
相變存儲器視頻
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