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電阻
電阻 文章 進(jìn)入電阻技術(shù)社區
Andigilog推出業(yè)界第一顆硅晶熱敏電阻
- 專(zhuān)業(yè)電子零組件代理商益登科技（3048）所代理的Andigilog，模擬與混合訊號的專(zhuān)業(yè)IC設計公司，日前宣布推出SiMISTORTM系列，業(yè)界第一種低成本、線(xiàn)性和高精準度的硅晶熱敏電阻。SiMISTOR產(chǎn)品采用成熟的CMOS制程技術(shù)，可用來(lái)取代許多應用中常見(jiàn)的傳統熱敏電阻，例如高產(chǎn)量行動(dòng)電話(huà)、個(gè)人計算機及外圍、PDA以及消費性產(chǎn)品應用。新型SiMISTOR系列也能很方便的取代傳統工業(yè)應用中的熱敏電阻，例如溫控器和可攜式醫療裝置。SiMISTOR硅晶熱敏電阻的量測準確度可達~1℃，同時(shí)提供與溫度成正比的線(xiàn)
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飛兆半導體推出業(yè)界最小的低電阻模擬開(kāi)關(guān)
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 是業(yè)界增長(cháng)最快的模擬開(kāi)關(guān)解決方案供應商 (資料來(lái)源：Selantek)，該公司已推出三種適用于蜂窩電話(huà)音頻電路的全新模擬開(kāi)關(guān)，具有低THD和平滑導通阻抗 (RON)特性，能提供最佳的音頻保真度，且封裝體積僅為現有同類(lèi)產(chǎn)品的三分之一。飛兆半導體的新型FSA4157單刀雙擲 (SPDT)、FSA1156常開(kāi)(NO)單刀單擲和FSA1157常閉(NC)單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)均采用芯片級MicroPakTM 封裝，占用空間比傳統SC70封裝小65%，是
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IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通態(tài)電阻降低高達56%
- 功率半導體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出200V額定IRF7492及150V額定IRF7494 HEXFET N溝道功率MOSFET，成功地把器件通態(tài)電阻減低高達56%。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件中相應通態(tài)電阻的電荷值相比，新器件的柵漏 (Gate-to-drain，即Miller) 電荷減低達50%。 若在典型的150W正激轉換器應用中，以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代業(yè)界標準SO-8器件，效率可提升0.5%，這將導致器件結溫降低15
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飛兆半導體推出業(yè)界最小的低電阻模擬開(kāi)關(guān)
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 是業(yè)界增長(cháng)最快的模擬開(kāi)關(guān)解決方案供應商 (資料來(lái)源：Selantek)，該公司已推出三種適用于蜂窩電話(huà)音頻電路的全新模擬開(kāi)關(guān)，具有低THD和平滑導通阻抗 (RON)特性，能提供最佳的音頻保真度，且封裝體積僅為現有同類(lèi)產(chǎn)品的三分之一。飛兆半導體的新型FSA4157單刀雙擲 (SPDT)、FSA1156常開(kāi)(NO)單刀單擲和FSA1157常閉(NC)單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)均采用芯片級MicroPakTM 封裝，占用空間比傳統SC70封裝小65%，是
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安森美半導體發(fā)布創(chuàng )新溝槽處理技術(shù)，具有業(yè)界最佳導通電阻性能
- 安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）不斷利用創(chuàng )新技術(shù)，貫徹其提供高性能器件的承諾，該公司新發(fā)布一項獨有溝槽處理技術(shù)，與當前市場(chǎng)上的其他溝槽處理技術(shù)相比，平均可改善導通電阻40%。該公司計劃于年底之前推出采用此項創(chuàng )新溝槽處理技術(shù)的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初幾款器件將于本季度推出，針對便攜和無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品中的負載管理、電路充電、電池保護和直流-直流轉換等應用。接下來(lái)將推出面向計算機和汽車(chē)應用的高性能溝槽為本的器件。安森美半導體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramchandani
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飛兆半導體推出業(yè)界最小的低電阻模擬開(kāi)關(guān)
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 是業(yè)界增長(cháng)最快的模擬開(kāi)關(guān)解決方案供應商 (資料來(lái)源：Selantek)，該公司已推出三種適用于蜂窩電話(huà)音頻電路的全新模擬開(kāi)關(guān)，具有低THD和平滑導通阻抗 (RON)特性，能提供最佳的音頻保真度，且封裝體積僅為現有同類(lèi)產(chǎn)品的三分之一。飛兆半導體的新型FSA4157單刀雙擲 (SPDT)、FSA1156常開(kāi)(NO)單刀單擲和FSA1157常閉(NC)單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)均采用芯片級MicroPakTM 封裝，占用空間比傳統SC70封裝小65%，是
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飛兆半導體推出業(yè)界最小的低電阻模擬開(kāi)關(guān)
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利用線(xiàn)性電位器創(chuàng )建非線(xiàn)性傳遞函數
- 多應用要求電路具有非線(xiàn)性傳輸特性，以滿(mǎn)足動(dòng)態(tài)范圍的要求，例如，由電路元器件的線(xiàn)性響應實(shí)現音量控制的對數輸出，這類(lèi)電路可用于很多日常消費設備，線(xiàn)性數字電位器可以通過(guò)簡(jiǎn)單的分壓配置實(shí)現非線(xiàn)性傳輸特性。以下例子選用50kΩ的數字電位器 MAX5160，各圖表中沒(méi)有考慮MAX5160的±25 % 端到端電阻誤差，但是這個(gè)誤差和其它參數的影響是可以接受的。 圖1、2、3是典型的分壓器結構。假設Vin是低阻電壓源，Vout是高阻輸入節點(diǎn)。圖1的傳遞函數是Vout=Vin×(Rb/Rpot)， Rpot=
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內置電阻-頻率轉換器的MCU應用
- 在自動(dòng)化世界里,除了人機接口及產(chǎn)品基本功能為主要設計要素外, 還有一個(gè)常被多數人遺忘的幕后英雄:傳感器(sensors)。舉凡在自動(dòng)化設備,測量?jì)x器,汽車(chē)與家用電器等等,無(wú)處不在的傳感器,成就了便利及豐富人類(lèi)生活的夢(mèng)想。本文除了介紹基本傳感器型式以外,還介紹如何由傳感器的物理量變化,轉變?yōu)殡娮蛹皵底仲Y料,因為沒(méi)有傳感器便沒(méi)有測量,而沒(méi)有測量則沒(méi)有自動(dòng)化產(chǎn)品,故傳感電路之好壞決定了自動(dòng)化系統性能。 在此介紹一種將電阻及電容轉為頻率信號(resistance/capacitance to frequ
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電阻介紹
常用電阻有碳膜電阻、碳質(zhì)電阻、金屬膜電阻、線(xiàn)繞電阻和電位器等。表1是幾種常用電阻的結構和特點(diǎn)。
大多數電阻上，都標有電阻的數值，這就是電阻的標稱(chēng)阻值。電阻的標稱(chēng)阻值，往往和它的實(shí)際阻值不完全相符。有的阻值大一些，有的阻值小一些。電阻的實(shí)際阻值和標稱(chēng)阻值的偏差，除以標稱(chēng)阻值所得的百分數，叫做電阻的誤差。表2是常用電阻允許誤差的等級。
國家規定出一系列的阻值作為產(chǎn) [ 查看詳細 ]
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