IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通態(tài)電阻降低高達56%
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若在典型的150W正激轉換器應用中，以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代業(yè)界標準SO-8器件，效率可提升0.5%，這將導致器件結溫降低15°C至20°C。
新MOSFET是專(zhuān)為正激或推挽式功率轉換器拓樸中的原邊開(kāi)關(guān)應用而設計，適用于電信及網(wǎng)絡(luò )系統中的板上型功率模塊。
IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富表示：“MOSFET的主要參數包括器件通態(tài)電阻和柵電荷。這些參數對電路整體性能具有一階效應。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新溝槽技術(shù)制成，有助減低傳導和開(kāi)關(guān)損耗，提升整體效率?！?/P>
IRF7492及IRF7494具有低通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和柵電荷，最適用于高達500kHz的直流-直流轉換器開(kāi)關(guān)應用系統，柵電壓最高達20V。新MOSFET還具有低柵阻抗，能將開(kāi)關(guān)損耗降至前所未有的水平。
全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供應。數據冊詳載于IR網(wǎng)頁(yè)www.irf.com，基本規格如下：
產(chǎn)品型號 封裝 VDSS VGS=10V下RDS(on)最大值 典型Qg值 典型Qgd值
IRF7494 SO-8 150V 44mOhm 36nC 13nC
IRF7492 SO-8 200V 75mOhm 38nC 16nC
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