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電子元件老化
電子元件老化 文章 進(jìn)入電子元件老化技術(shù)社區
電子元件老化——電壓基準中的長(cháng)期漂移（LTD）
- 了解制造商如何表征和估計用于電子元件老化預測的電壓參考的長(cháng)期漂移（LTD）。雖然電壓參考的輸出在理想情況下應該與溫度和時(shí)間無(wú)關(guān)，但現實(shí)世界的電壓參考可能會(huì )受到溫度和老化的影響?？紤]到這一點(diǎn)，本文將討論制造商如何表征和估計電壓參考的LTD。為了更好地為本文做好準備，閱讀之前的文章以了解石英晶體、電阻器和放大器的老化效應可能很重要。電壓基準的老化效應總的來(lái)說(shuō)，電壓基準的輸出會(huì )隨時(shí)間而變化。通常，半導體材料的摻雜水平和封裝材料施加到電壓參考管芯的物理應力會(huì )隨時(shí)間變化，導致電壓參考輸出中的LTD。電壓參考的LTD
- 關(guān)鍵字： 電子元件老化，電壓基準，長(cháng)期漂移，LTD
電子元件老化——電阻和運算放大器的老化效應
- 使用溫度計算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為，以了解電阻器漂移、電阻器穩定性和運算放大器漂移。之前，我們討論了使用相對較短的測試時(shí)間來(lái)評估電子元件長(cháng)期穩定性的高溫加速老化方法。在本文中，我們將繼續討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預測——老化引起的電阻漂移首先，讓我們記住電阻器的值會(huì )隨著(zhù)時(shí)間而變化。在許多電路中，只需要總的精度，電阻器老化可能不是一個(gè)嚴重的問(wèn)題。然而，某些精密應用需要在指定壽命內長(cháng)期漂移低至百萬(wàn)分之幾的電阻器。因此，開(kāi)發(fā)具有足夠精度的老化預測模型以確保所采用的精密
- 關(guān)鍵字： 電子元件老化，電阻，運算放大器，老化效應，Arrhenius
用Arrhenius方程預測電子元件老化
- 了解如何計算老化過(guò)程的活化能，以及關(guān)于A(yíng)rrhenius方程在預測晶體老化過(guò)程時(shí)的有用性的一些相互矛盾的觀(guān)點(diǎn)。在之前的一篇文章中，我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術(shù)，它使制造商能夠使用相對較短的測試時(shí)間來(lái)確定電子元件的長(cháng)期穩定性。例如，使用這種方法，從30天的測試中獲得的數據可能足以以可接受的精度確定一年后晶體的漂移。為了應用這項技術(shù)，我們需要知道衰老過(guò)程的活化能。在這篇文章中，我們將了解更多關(guān)于計算老化過(guò)程的活化能。我們還將探討關(guān)于A(yíng)rrhenius方程/公式在應用于老化預測問(wèn)題時(shí)的有用性的一些
- 關(guān)鍵字： Arrhenius方程 電子元件老化
評估電子元件老化和穩定性的高溫老化方法
- 了解由于使用石英晶體的溫度和時(shí)間，以及應用外推方法、老化方程和Arrhenius方程，電子元件的老化和穩定性挑戰。即使有固定的輸入，電子電路也不是完全穩定的；經(jīng)常隨時(shí)間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會(huì )給精確測量增加相當大的誤差。隨時(shí)間漂移，也稱(chēng)為長(cháng)期穩定性，是需要長(cháng)時(shí)間高精度應用的關(guān)鍵因素。測量系統的初始精度誤差通?？梢酝ㄟ^(guò)初始校準來(lái)消除；然而，消除長(cháng)期漂移的誤差需要定期校準。此外，這些校準在某些工業(yè)、醫療、軍事和航空航天應用中可能不切實(shí)際。在這篇文章中，我們將介紹評估電子元件長(cháng)期穩定性的高溫加速老化方
- 關(guān)鍵字： 電子元件老化，穩定性，高溫老化方法
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電子元件老化介紹
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