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死區時(shí)間
死區時(shí)間 文章 進(jìn)入死區時(shí)間技術(shù)社區
理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
- Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬(wàn)國半導體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數據表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應用中，采用不同的輸出電
- 關(guān)鍵字： 輸出電容 死區時(shí)間 開(kāi)關(guān)損耗 超結 201904
一種線(xiàn)性可調的死區產(chǎn)生電路
- 提出了一種新型的可調死區時(shí)間產(chǎn)生電路。該死區產(chǎn)生電路是通過(guò)改變電壓斜坡的斜率來(lái)調整死區時(shí)間，并且對死區時(shí)間與控制電壓的非線(xiàn)性進(jìn)行補償，提高了死區時(shí)間線(xiàn)性度和精度。該電路結構簡(jiǎn)潔、可調范圍廣、精度高，適用于各種半橋驅動(dòng)電路中。采用華虹0.5 μm的BCD工藝仿真驗證了該電路，結果表明，當外接電阻阻值為20 K～140 K范圍內，可以實(shí)現死區時(shí)間的線(xiàn)性高精度可調，可調死區時(shí)間范圍為50 ns～250 ns。
- 關(guān)鍵字： 死區時(shí)間 延時(shí)電路 線(xiàn)性可調 高精度 201809
如何計算示波器的死區時(shí)間
- 數字示波器的原理決定了波形觀(guān)測必然存在 死區時(shí)間，而死區時(shí)間的長(cháng)短直接影響 示波器捕獲異常信號的能力。你當前用的示波器的死區時(shí)間具體是多少，怎么去計算呢，答案就在此文揭曉。 1、采樣時(shí)間、死區時(shí)間和捕獲時(shí)間 數字示波器捕獲信號的過(guò)程是典型的“采集-處理-采集-處理”過(guò)程，如圖1所示為數字示波器的采集原理，一個(gè)捕獲周期由采樣時(shí)間和(處理時(shí)間)死區時(shí)間組成，如圖2所示。 圖1 示波器采集原理圖 采樣時(shí)間：是信號采樣存儲的過(guò)程。
- 關(guān)鍵字： 示波器 死區時(shí)間
三相SPWM波形發(fā)生器的設計與仿真
- 本文提出了一種采用VHDL硬件描述語(yǔ)言設計新型三相正弦脈寬調制（SPWM）波形發(fā)生器的方法。該方法以直接數字頻率合成技術(shù)(DDS)為核心產(chǎn)生三相SPWM信號。并且利用VHDL設計了死區時(shí)間可調的死區時(shí)間控制器，解決了傳統的模塊電路等待方法很難產(chǎn)生帶精確死區時(shí)間控制的SPWM信號的問(wèn)題。該方法在Quartus II 9.1環(huán)境平臺下進(jìn)行了仿真驗證，并將設計程序下載到DE2-70實(shí)驗板進(jìn)行實(shí)驗測試，用示波器測試得到了死區時(shí)間可控制的SPWM波形。
- 關(guān)鍵字： VHDL SPWM DDS 死區時(shí)間 FPGA 201505
為何國產(chǎn)示波器廠(chǎng)家從來(lái)不愿提起波形刷新率？
- 沒(méi)有什么是完美的，示波器也不例外。數字示波器一直有個(gè)廠(chǎng)家不愿提起的問(wèn)題，恐怕很多老工程師也沒(méi)太注意，那就是波形死區。我們通過(guò)數字示波器無(wú)法觀(guān)察到波形流中所有波形，觀(guān)察到的或許還不到1%。 圖1 死區時(shí)間 數字示波器在工作時(shí)總會(huì )先采集數據，然后再對這些數據進(jìn)行處理和顯示，有一點(diǎn)必須了解，那就是示波器數據取樣速度遠快于數據處理速度，使得它不得不在數據處理期間停止取樣，這樣必然導致死區t2內的所有波形因沒(méi)有采集而丟失，示波器的基本原理如圖2所示。 &nb
- 關(guān)鍵字： 數字示波器 刷新率 死區時(shí)間
一種延遲電路在變頻控制中的應用
- 摘 要：本文主要介紹一個(gè)由RC和或門(mén)電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應用，解決了原有芯片死區時(shí)間不確定的問(wèn)題。關(guān)鍵詞：延遲電路；IPM；死區時(shí)間 變頻控制死區時(shí)間簡(jiǎn)介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號，在導通時(shí)序上，控制同一通道的上下兩路信號不能出現同時(shí)導通的情況，如圖1所示。也就是說(shuō)同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導通，如果同時(shí)導通，輕則引起IPM的工作保護，造成停機，重則將IPM模塊擊
- 關(guān)鍵字： IPM 死區時(shí)間 延遲電路
新型RCD箝位單端正激式變換器仿真研究
- 摘 要：本文結合同步整流管驅動(dòng)技術(shù)在低壓大電流功率變換器中的應用，在傳統RCD箝位單端正激式變換器的基礎上，提出了一種全新的RCD箝位正激變換器，解決了死區時(shí)間驅動(dòng)問(wèn)題，大大提高了整流電路的變換效率和整個(gè)變換器的效率。關(guān)鍵詞：RCD箝位；同步整流；死區時(shí)間 引言在單端正激式變換器中，有幾種常見(jiàn)的磁復位方式，如RCD箝位、LCD箝位、有源箝位、諧振復位等。采用RCD箝位的磁復位方式的單端正激變換器結構簡(jiǎn)單，成本低廉，主開(kāi)關(guān)管的電壓應力較低，不需要輔助開(kāi)關(guān)管。但是，由于在
- 關(guān)鍵字： RCD箝位 死區時(shí)間 同步整流
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死區時(shí)間介紹
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