EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
模擬ic
模擬ic 文章 進(jìn)入模擬ic技術(shù)社區
正交信號發(fā)生器
- 正交信號發(fā)生器可輸出兩個(gè)相位差為90
- 關(guān)鍵字： 正交信號發(fā)生器 模擬IC
雙T選頻網(wǎng)絡(luò )正弦波發(fā)生器
- 把雙T網(wǎng)絡(luò )并接在具有正反饋的運算放大器的負反饋回路中，便構成雙T選頻網(wǎng)絡(luò )正弦波發(fā)生器，其電路如圖1所示。由圖可知，兩個(gè)T型網(wǎng)絡(luò )分別由R、R、2C和C、C、R/2所構成。利用星形電路與三角形電路互相轉換的方法，可將雙T網(wǎng)絡(luò )簡(jiǎn)化成圖2所示的等效電路。 其中， {{分頁(yè)}} 雙T網(wǎng)絡(luò )傳輸函數為 &nbs
- 關(guān)鍵字： 雙T選頻網(wǎng)絡(luò )正弦波發(fā)生器 模擬IC
增速放緩是中國IC設計業(yè)做大的機會(huì )
- 自2001年以來(lái)，中國IC設計業(yè)一直保持50%左右的平均高增長(cháng)率，在日前召開(kāi)的中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )2007年年會(huì )上獲悉，2007年中國IC設計業(yè)的增長(cháng)率預計為14%左右。中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )理事長(cháng)王芹生表示，“盡管我國與世界Fabless銷(xiāo)售額占集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售總額均為20%，但就絕對值而言，我國的集成電路設計業(yè)仍處于發(fā)展中國家的行列，中國大陸IC設計全行業(yè)的銷(xiāo)售總額小于Qualcomm一個(gè)公司的銷(xiāo)售額，這就是差距所在?！? 大公司格局初步形成 2006年中國大陸
- 關(guān)鍵字： IC 半導體 集成電路 模擬IC
MAXl25型模/數轉換器在電能質(zhì)量監控系統中的應用
- 1 引言 電力系統電能質(zhì)量監控的實(shí)時(shí)性要求較高，不僅含有頻率、電壓、電流、有功、無(wú)功、諧波分量、序分量等，而且有些采集的特征量頻率變化快而且復雜，如暫態(tài)突變量、高頻的故障行波等，普通的采集處理方法對多路進(jìn)行采樣計算顯得困難甚至難以實(shí)現。為了克服以上不足，滿(mǎn)足現代電力系統的要求，將先進(jìn)的數字信號處理技術(shù)應用到電力系統中充分發(fā)揮其快速強大的運算及并行運行處理能力，滿(mǎn)足電力系統監控實(shí)時(shí)性和處理算法的復雜性等要求，并為不斷發(fā)展的新理論和新算法應用于電力系統的實(shí)踐奠定技術(shù)基礎。 筆者以TMS320L
- 關(guān)鍵字： 電力系統 MAXl25 模/數轉換器 模擬IC
文氏橋式正弦波發(fā)生器
- 文氏橋式正弦波發(fā)生器亦是常用的RC低頻振蕩器,由運放構成的同相放大器和文氏電橋反饋網(wǎng)絡(luò )組成,基本電路如圖1所示。其中R1、C1、R2、C2正反饋網(wǎng)絡(luò )與R3、R4負反饋網(wǎng)絡(luò )構成文氏電橋。如圖所示，由運放及R3、R4構成的同相負反饋放大器閉環(huán)增益為 (1) 而正反饋網(wǎng)絡(luò )反饋系數為 (2) 經(jīng)整理得 &
- 關(guān)鍵字： 文氏橋式正弦波發(fā)生器 模擬IC
移相式正弦波發(fā)生器
- 移相式正弦波是由三節RC超前或滯后移相反饋網(wǎng)絡(luò )和反相放大器組成，常用于產(chǎn)生低頻正弦信號。三節RC電路含180º相移，與負饋放大器正好在該頻率上構成正反饋，與負反饋放大器正好在該頻率上構成正反饋，滿(mǎn)足振蕩的相位平衡條件，若適當選擇穩幅負反饋網(wǎng)絡(luò )的反饋電阻RF，使放大器閉環(huán)增益大于1，即滿(mǎn)足振蕩的振幅條件，就能在輸出端得到正弦波振蕩信號。 圖1所示為由兩個(gè)運放組成的移相式正弦波信號發(fā)生器。三節RC網(wǎng)絡(luò )由C、R及A1的閉環(huán)輸入電阻構成，與運放A1組成正反饋放大器。 可得 圖1 移
- 關(guān)鍵字： 移相式正弦波發(fā)生器 模擬IC
CMOS開(kāi)關(guān)電路原理
- 圖1為CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路原理圖。它克服了NMOS模擬開(kāi)關(guān)電路Ron雖vI增大而增大的缺點(diǎn)，擴大輸入信號幅度的范圍；而且可以在CMOS電路基礎上增設輔助電路，消除NMOSFET的襯底效應對Ron的影響。 圖1 CMOS開(kāi)關(guān)電路原理 假定控制信號vc高電平VCH=VDD為邏輯“1”，低電平VCL=-Vss（取Vss=VDD）為邏輯“0”。T1襯底電壓VB1=-Vss，T2襯底電壓VB2=VDD。從圖可知，vc直接輸送到T1的柵極，而T2的柵極電壓是vc經(jīng)非門(mén)（T3、T4組成）倒相后的電壓。當
- 關(guān)鍵字： CMOS開(kāi)關(guān)電路 模擬IC
MOS集成電壓比較器
- 電壓比較器是用于比較兩模擬輸入信號電壓相對大小的電路，是一種模擬輸入、數字輸出的模擬電路。采用高增益的集成運放可用來(lái)比較兩模擬信號，而直接采用集成電壓比較器，能獲得更高的比較性能，而且使用更為方便。集成電壓比較器已成為模擬集成電路中的重要單元電路。 MOS電壓比較器包括差動(dòng)比較、放大及輸出鎖存等電路。電路設計時(shí)利用MOS技術(shù)易于將模擬電路和數字電路兼容于同一芯片上的特點(diǎn)，內設時(shí)鐘振蕩器及開(kāi)關(guān)電路，使放大、輸出級分時(shí)工作，即工作于斬波穩零方式，使失調電壓Vos大大地降低，構成自穩零電壓比較器。
- 關(guān)鍵字： MOS集成電壓比較器 模擬IC
中小IC公司尋求突破 期待百億元企業(yè)誕生
- 中國的IC產(chǎn)業(yè)從一味跟蹤模仿到自主設計、自主創(chuàng )新，走過(guò)了一條艱辛坎坷的道路。在2007年“中國芯”技術(shù)與發(fā)展大會(huì )上我們看到，中國芯片已經(jīng)在移動(dòng)通信、數字電視、數字音視頻處理、中央處理器、移動(dòng)處理器、數字轉換等領(lǐng)域，取得了突破性的進(jìn)展。我國集成電路設計企業(yè)設計的芯片產(chǎn)品愈加多元化，產(chǎn)品的檔次、技術(shù)水平大幅度提升，自主創(chuàng )新能力有所加強，部分產(chǎn)品實(shí)現了技術(shù)和市場(chǎng)的雙重突破。但不可否認，在應用引領(lǐng)持續創(chuàng )新的同時(shí)，我國的IC設計企業(yè)還很弱小，中小企業(yè)為主的產(chǎn)業(yè)格局還沒(méi)有從根本上改變，中小企業(yè)最具有活力，但同時(shí)它
- 關(guān)鍵字： IC 處理器 數字轉換 模擬IC
模擬開(kāi)關(guān)
- 模擬開(kāi)關(guān)和多路轉換器的作用主要是用于信號的切換。目前集成模擬電子開(kāi)關(guān)在小信號領(lǐng)域已成為主導產(chǎn)品，與以往的機械觸點(diǎn)式電子開(kāi)關(guān)相比，集成電子開(kāi)關(guān)有許多優(yōu)點(diǎn)，例如切換速率快、無(wú)抖動(dòng)、耗電省、體積小、工作可靠且容易控制等。但也有若干缺點(diǎn)，如導通電阻較大，輸入電流容量有限，動(dòng)態(tài)范圍小等。因而集成模擬開(kāi)關(guān)主要使用在高速切換、要求系統體積小的場(chǎng)合。在較低的頻段上f<10MHz），集成模擬開(kāi)關(guān)通常采用CMOS工藝制成：而在較高的頻段上（f>10MHz），則廣泛采用雙極型晶體管工藝。 如
- 關(guān)鍵字： 模擬開(kāi)關(guān) 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 模擬IC 電源
FPGA中的IP集成方法對比
- 引言 從最初的計算機和電話(huà)開(kāi)始，互聯(lián)網(wǎng)絡(luò )一直是電子工程的關(guān)鍵構成。在超大規模集成(VLSI)電路時(shí)代，由于MOS晶體管的驅動(dòng)特性以及片內互聯(lián)相對較大的電容，互聯(lián)網(wǎng)絡(luò )變得尤其重要。 芯片內部用于連接功能單元的互聯(lián)網(wǎng)絡(luò )對芯片性能有很大的影響，甚至是決定性的影響?？偩€(xiàn)雖然是一種最簡(jiǎn)單的互聯(lián)，但從容量或者電源角度看，卻是較差的選擇，因為驅動(dòng)總線(xiàn)以最大速率工作時(shí)需要的電源和空間隨總線(xiàn)電容呈指數增大。而且，多點(diǎn)連接網(wǎng)絡(luò )也不是一種好選擇，因為即使每次只需要一次對話(huà)，或者會(huì )話(huà)限于最近的鄰居之間，也
- 關(guān)鍵字： FPGA IP 集成 對比 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 模擬IC 電源
MOS模擬集成電路
- MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)：MOSFET是電壓控制器件，輸入偏流很?。?0-12A以下），輸入電阻高(1012Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗輻射能力強；MOS工藝簡(jiǎn)單，便于大規模集成。因此，自70年代以來(lái)，MOS模擬集成電路得到了迅速發(fā)展，各種功能的集成電路不斷涌現，其性能不斷提高。由MOSFET構成的模擬集成電路，如運放、電壓比較器、模擬開(kāi)關(guān)、定時(shí)器、開(kāi)關(guān)電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/D與D/A轉換器、脈沖調制編碼/解碼器等已廣泛應用于電子技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域。尤
- 關(guān)鍵字： 模擬集成電路 模擬IC
AD9271在全數字超聲成像系統中的應用*
- 摘要： 本文介紹了AD9271在全數字超聲系統上的應用。 關(guān)鍵詞： AD9271;FPGA;SPI 前言 隨著(zhù)電子計算機、現代信號處理技術(shù)的不斷發(fā)展，超聲成像系統逐漸向全數字化方向發(fā)展。全數字超聲成像技術(shù)在接收前端將回波信號轉變?yōu)閿底至?，通過(guò)設計專(zhuān)用ASIC系統替代傳統模擬處理電路，實(shí)現信號的延遲、疊加及信號處理，使圖像更清晰、更準確，分辨率更高，提高了超聲診斷設備的質(zhì)量。 AD9271是ADI公司針對全數字超聲系統推出的8通道單芯片模擬前端。其極高的集成度允許醫療設備設計師將
- 關(guān)鍵字： AD9271 FPGA SPI 0712_A 雜志_設計天地 模擬IC 音視頻技術(shù)
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473