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微電子
微電子 文章 進(jìn)入微電子技術(shù)社區
微電子工藝專(zhuān)有名詞（4）
- 151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對準及印刷（Align & Print）過(guò)程中站著(zhù)相當重要的地位，尤其演進(jìn)到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對光學(xué)系統（如對準機、顯微鏡、望遠鏡等）好壞的評估標準之一，現今多以法國人雷萊（Rayleigh）所制定的標準遵循之。物面上兩光點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統頭于成像面上不會(huì )模糊到只被看成一點(diǎn)時(shí)，物面上兩點(diǎn)間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時(shí)，例如對準機對焦不清時(shí)，就會(huì )造成C
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微電子工藝專(zhuān)有名詞（1）
- 1 Active Area 主動(dòng)區（工作區） 主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區域即所謂的主動(dòng)區（ACTIVE AREA）。在標準之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì )受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區域來(lái)的小，以長(cháng)0.6UM之場(chǎng)區氧化而言，大概會(huì )有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之
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微電子工藝專(zhuān)有名詞（2）
- 51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機存取內存 隨機存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì )消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(xiě)（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫(xiě)、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類(lèi)
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福華先進(jìn)微電子推出保護嵌入式軟件之系列芯片FS88x6
- 目前，有許多嵌入式系統中加入由專(zhuān)用芯片構成的軟件保護模塊，這類(lèi)芯片多為第三代EEPROM存儲型產(chǎn)品，缺點(diǎn)是在端口進(jìn)行數據分析就容易被破解。所以為適應市場(chǎng)的需求，福華先進(jìn)微電子（上海）有限公司推出了一款嵌入式系統軟件的安全保護方案——嵌入式軟件安全衛士，其所用芯片FS88x6具有應用面廣、功耗小、安全性高等特點(diǎn)，潛在市場(chǎng)巨大。 此芯片是針對當前市場(chǎng)上, 軟件被竄改盜用的事件層出不窮情況而研發(fā)的，并已成功運用在立體聲藍牙方案、IP網(wǎng)絡(luò )照相機、機頂盒、媒體播放器、DVR/PVR硬
- 關(guān)鍵字： FS88x6 單片機 福華 嵌入式 嵌入式系統 微電子 芯片
微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)
- 業(yè)務(wù)培養目標： 業(yè)務(wù)培養目標：本專(zhuān)業(yè)培養掌握微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)所必需的基礎知識、基本理論和基本實(shí)驗技能，能在微電子學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、科技開(kāi)發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作的高級專(zhuān)門(mén)人才。 業(yè)務(wù)培養要求：本專(zhuān)業(yè)學(xué)生主要學(xué)習微電子學(xué)的基本理論和基本知識，受到科學(xué)實(shí)驗與科學(xué)思維的基本訓練，具有良好科學(xué)素養，掌握大規模集成電路及新型半導體器件的設計、制造及測試所必需的基本理論和方法，具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設計等的基本能力。 畢業(yè)生應獲得以下幾方面的知識和能力：
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奧地利微電子監測IC具手動(dòng)重啟功能
- 奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動(dòng)重啟和監視功能的雙電壓微處理器監測電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅動(dòng)設備和所有雙電壓供電應用，其功耗僅5.8μA(典型情況下)，可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。 AS1913、AS1914和AS1915根據其出廠(chǎng)設定的極限值，能監控1.8V到3.6V之間的初級電壓，以及0.9V到2.5V之間的次級電壓。對于A(yíng)S1910、AS1911和AS1912，用戶(hù)可以通過(guò)一個(gè)外置的電阻分壓器將次級監控電壓
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奧地利微電子監測IC具手動(dòng)重啟功能
- 奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動(dòng)重啟和監視功能的雙電壓微處理器監測電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅動(dòng)設備和所有雙電壓供電應用，其功耗僅5.8μA(典型情況下)，可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。 AS1913、AS1914和AS1915根據其出廠(chǎng)設定的極限值，能監控1.8V到3.6V之間的初級電壓，以及0.9V到2.5V之間的次級電壓。對于A(yíng)S1910、AS1911和AS1912，用戶(hù)可以通過(guò)一個(gè)外置的電阻分壓器將次級監控電壓
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南京將投28億美元 打造微電子的航母基地
- 該產(chǎn)業(yè)園將通過(guò)政府支持、基地化運作的方式，集中建立2到3個(gè)半導體封裝測試企業(yè)，3到4個(gè)6英寸和8英寸的芯片廠(chǎng)，1到2個(gè)12英寸芯片廠(chǎng)上述項目總投資將達28億美元，全部投產(chǎn)后產(chǎn)值將達50億美元?？偛邉澣笋R啟元表示，兩到三年，南京微電子產(chǎn)業(yè)園將有望成為全國芯片產(chǎn)業(yè)的“航母基地”。 素以“江寧織造”聞名天下的南京，正開(kāi)始走上“江寧創(chuàng )造”的歷程。 6月19日，美國時(shí)代創(chuàng )新投資管理公司與南京江寧開(kāi)發(fā)區簽訂了《在江寧開(kāi)發(fā)區建立國家級微電子產(chǎn)業(yè)基地的框架協(xié)議》。協(xié)議主題是，由前者引導國際、民間資本于2006
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天津微電子工業(yè)區 每平方公里創(chuàng )值300億元
- 天津開(kāi)發(fā)區微電子工業(yè)區一期1平方公里于2000年開(kāi)發(fā)完畢，2003年企業(yè)全部達產(chǎn)，2004年實(shí)現工業(yè)總產(chǎn)值315億元，出口19億美元，稅收7.13億元。這樣，在一期1平方公里土地上，園區創(chuàng )造出了300億元工業(yè)總產(chǎn)值的驕人業(yè)績(jì)，園區人均 GDP 已超過(guò)4萬(wàn)美元，成為天津乃至中國北方最具生機和活力的經(jīng)濟區域。 該園區二期1.32平方公里于2002年開(kāi)始投入建設，目前基本轉讓完畢，截至
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微電子介紹
微電子技術(shù)是隨著(zhù)集成電路，尤其是超大型規模集成電路而發(fā)展起來(lái)的一門(mén)新的技術(shù)。微電子技術(shù)包括系統電路設計、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動(dòng)測試以及封裝、組裝等一系列專(zhuān)門(mén)的技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學(xué)中的各項工藝技術(shù)的總和。微電子技術(shù)是在電子電路和系統的超小型化和微型化過(guò)程中逐漸形成和發(fā)展起來(lái)的，第二次大戰中、后期，由于軍事需要對電子設備提出了不少具有根本意義的設想，并研究出一些有用的技術(shù)。1947年 [ 查看詳細 ]
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