開(kāi)關(guān)損耗文章進(jìn)入開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)社區

雙極性結型晶體管的開(kāi)關(guān)損耗

在SPICE仿真的幫助下，我們研究了當BJT用作開(kāi)關(guān)時(shí)發(fā)生的兩種類(lèi)型的功耗。雙極性結型晶體管（BJT）既可以用作小信號放大器，也可以用作開(kāi)關(guān)。盡管現在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運算放大器要方便有效得多——但作為開(kāi)關(guān)連接的BJT仍然很常見(jiàn)。BJT開(kāi)關(guān)通常用于阻斷或向有刷直流電機、燈或螺線(xiàn)管等負載輸送電流。它們有時(shí)也出現在更高頻率的開(kāi)關(guān)應用中，如開(kāi)關(guān)模式調節器或D類(lèi)放大器。圖1顯示了BJT開(kāi)關(guān)的兩種常見(jiàn)應用：高強度LED照明（左）和繼電器控制（右）。兩個(gè)開(kāi)關(guān)都由微控制器上的通用輸入/輸出
關(guān)鍵字： LTspice 雙極性結型晶體管開(kāi)關(guān)損耗

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介

本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調節器和驅動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線(xiàn)性和開(kāi)關(guān)。在線(xiàn)性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^(guò)溝道的電流都是顯著(zhù)的，導致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)：即使大電流流過(guò)通道，功耗也會(huì )很低或中等。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
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簡(jiǎn)單的速率控制技術(shù)可降低開(kāi)通能耗

　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）　　摘?要：電力電子系統（如馬達）中的開(kāi)關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開(kāi)關(guān)電壓斜率等參數的限制。通常是通過(guò)選擇有效的功率晶體管柵極電阻來(lái)解決這一問(wèn)題。但這在運行中是無(wú)法自主進(jìn)行調整的?！　”疚膶⒔榻B一種通過(guò)并聯(lián)常規柵極驅動(dòng)芯片來(lái)攻克這一難題的簡(jiǎn)單方法。文中還介紹了與開(kāi)通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數據的評估?！　￡P(guān)鍵詞：馬達；開(kāi)關(guān)損耗；EMI；開(kāi)關(guān)電壓斜率；柵極驅動(dòng)　　0 引言　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個(gè)優(yōu)化目標。首先，應通過(guò)選擇電阻值較小的
關(guān)鍵字： 202006 馬達開(kāi)關(guān)損耗 EMI 開(kāi)關(guān)電壓斜率柵極驅動(dòng)

理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬(wàn)國半導體元件(深圳)有限公司，上海靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數據表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說(shuō)明了在實(shí)際的不同應用中，采用不同的輸出電
關(guān)鍵字：輸出電容死區時(shí)間開(kāi)關(guān)損耗超結 201904

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動(dòng)應用電路中出現的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對MOSFET柵極電荷、極間
關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動(dòng) 開(kāi)關(guān)損耗

技術(shù)解析：有效地降低開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗的原理

基于電感的開(kāi)關(guān)電源(SM-PS)包含一個(gè)功率開(kāi)關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數開(kāi)關(guān)電源設計選擇MOSFE...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗

淺析讓IGBT更快的技巧

IGBT關(guān)斷損耗大；拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問(wèn)題由兩方面構成：1）IGBT的主導器件—GTR的基區儲...
關(guān)鍵字： IGBT 開(kāi)關(guān)損耗

論述如何控制IGBT逆變器設計中的雜散電感

IGBT技術(shù)不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿(mǎn)足具體應用的需求。與目前逆變器設...
關(guān)鍵字：反向恢復過(guò)壓開(kāi)關(guān)損耗

零電壓開(kāi)關(guān)技術(shù)在降壓穩壓器上的應用

對降壓穩壓器的關(guān)鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴，哪個(gè)設計人員也不愿意分配額外的空...
關(guān)鍵字：零電壓開(kāi)關(guān)損耗功率密度

開(kāi)關(guān)調節器的效率（忽略交疊開(kāi)關(guān)損耗）

了解了開(kāi)關(guān)管V和續流二極管D的電流D（見(jiàn)圖d、e）就可以計算電路的損耗和效率。若電流流過(guò)開(kāi)關(guān)管V和二極管D...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)調節器開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)調節器的效率（考慮交疊開(kāi)關(guān)損耗）

交疊開(kāi)關(guān)損耗（或稱(chēng)為電壓電流重疊損耗），可以根據某時(shí)段內電壓電流的動(dòng)態(tài)曲線(xiàn)按照上升電流和下降電壓的斜率...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)調節器開(kāi)關(guān)損耗

理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導參數

本文詳細分析計算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗主導參數

功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗的研究

本文詳細分析計算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字：功率MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗

國內高頻變換中小功率逆變電源存在問(wèn)題分析

20世紀70年代初期，20kHzPWM型開(kāi)關(guān)電源的應用在世界上引起了所謂“20kHz電源技術(shù)革命”。逆變電源按變換方式...
關(guān)鍵字：磁性材料開(kāi)關(guān)損耗諧振

FPGA平臺實(shí)現最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法

摘要：詳細分析了SVPWM的原理，介紹一種根據負載的功率因子來(lái)決定電壓空間零矢量的分配與作用時(shí)間的SVPWM算法，使得橋臂開(kāi)關(guān)在通過(guò)其電流最大時(shí)的一段連續時(shí)間內沒(méi)有開(kāi)關(guān)動(dòng)作。這樣在提高開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電
關(guān)鍵字： SVPWM FPGA 開(kāi)關(guān)損耗算法

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開(kāi)關(guān)損耗介紹

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MOS管的開(kāi)關(guān)損耗-反激式分析
在SMPS應用中選擇IGBT和MOSFET的比較
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