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寬禁帶
寬禁帶 文章 進(jìn)入寬禁帶技術(shù)社區
“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
砥礪前行，推進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮
- 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點(diǎn)實(shí)驗室，圍繞中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈，培養工程專(zhuān)業(yè)人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng )新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養成績(jì)斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
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