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VRLA電池模擬停電試驗的研究

  • 1引言隨著(zhù)鉛酸蓄電池在生產(chǎn)領(lǐng)域的廣泛應用,蓄電池在惡劣環(huán)境下的使用壽命已成為很多用戶(hù)判斷電池性能的...
  • 關(guān)鍵字: VRLA蓄電池  使用壽命  失效  

蓄電池持續監測保證不間斷電源(UPS)可以隨時(shí)啟用

IGBT安全工作區的物理概念和超安全工作區工作的失效機理

  • 摘要:本文闡述了各安全工作區的物理概念和超安全工作區工作的失效機理。討論了短路持續時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞:安全工作區 失效機理 短路電流Tsc1、
  • 關(guān)鍵字: 安全  工作區  失效  機理  工作  物理  IGBT  概念  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字: 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要:本文通過(guò)案例和實(shí)驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

DC/DC電源模塊高溫失效原因分析

  • 引言  DC/DC電源模塊(以下簡(jiǎn)稱(chēng)模塊),是一種運用功率半導體開(kāi)關(guān)器件實(shí)現DC/DC功率變換的開(kāi)關(guān)電源。它廣泛應用于遠程及數據通信、計算機、辦公自動(dòng)化設備、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國民經(jīng)擠的各行
  • 關(guān)鍵字: 失效  原因分析  高溫  模塊  電源  DC/DC  

電容使用注意事項與失效解決方案

  • 電容使用注意事項與失效解決方案: 電容的選用注意事項  在確認使用及安裝環(huán)境時(shí),作為按產(chǎn)品樣本設計說(shuō)明書(shū)所規定的額定性能范圍內使用的電容器,應當避免在下述情況下使用:
      a、高溫(溫度超過(guò)最高使
  • 關(guān)鍵字: 電容  注意事項  失效  方案    

經(jīng)驗之談:電容使用注意事項以及失效解決辦法

  • 電容的選用注意事項在確認使用及安裝環(huán)境時(shí),作為按產(chǎn)品樣本設計說(shuō)明書(shū)所規定的額定性能范圍內使用的電...
  • 關(guān)鍵字: 電容  注意事項  失效  

LED主要失效模式分析

  • LED是一種直接將電能轉換為可見(jiàn)光和輻射能的發(fā)光器件,具有耗電量小、發(fā)光效率高、體積小等優(yōu)點(diǎn),目前已經(jīng)逐漸成為了一種新型高效節能產(chǎn)品,并且被廣泛應用于顯示、照明、背光等諸多領(lǐng)域。近年來(lái),隨著(zhù)LED技術(shù)的不斷
  • 關(guān)鍵字: 分析  模式  失效  主要  LED  

深度剖析LED失效問(wèn)題

  • LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構成,即大家熟知的磊晶晶粒(chip),該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定,在產(chǎn)品...
  • 關(guān)鍵字: LED  LED芯片  失效    

LED機械應力失效分析

  • 1 、失效模式:

      產(chǎn)品中相同結構手插件 LED 的失效位號隨機分布,失效比例高的 LED 集中在近離 PCB 板面的 LED 。 LED 的結構參考 figure 1 。

      2 、失效機理:

      組裝時(shí)的機械應力導致 LED 引腳移
  • 關(guān)鍵字: 分析  失效  應力  機械  LED  

DC /DC電源模塊高溫失效原因

  • 摘 要: 為了得到一款軍品級模塊因為導致高溫失效的原因, 通過(guò)對模塊內部元件加熱測試, 觀(guān)測模塊電學(xué)參數的變化, 并與模塊整體加熱電學(xué)參數變化的結果做比較。得到影響模塊輸出電學(xué)參數變化的最主要的元件,
  • 關(guān)鍵字: 失效  原因  高溫  模塊  /DC  電源  DC  

DC/DC電源模塊高溫失效原因

  • 為了得到一款軍品級模塊因為導致高溫失效的原因,通過(guò)對模塊內部元件加熱測試,觀(guān)測模塊電學(xué)參數的變化,并與模塊整體加熱電學(xué)參數變化的結果傲比較。得到影響模塊輸出電學(xué)參數變化的最主要的元件,同時(shí)對該元件特性分析,獲得元件隨溫度變化失效的原理。測得其輸出電壓隨環(huán)境溫度的上升,而緩慢下降的主要原因來(lái)自于光耦的溫度特性。環(huán)境溫度達到150℃左右時(shí),模塊內變壓器磁芯溫度將達到居里點(diǎn)附近,使模塊輸出電壓幾乎為零。
  • 關(guān)鍵字: DC  原因  失效  模塊  電源  高溫  

FPGA與PCB板焊接連接失效

  •   問(wèn)題描述:  81%的電子系統中在使用FPGA,包括很多商用產(chǎn)品和國防產(chǎn)品,并且多數FPGA使用的是BGA封裝形式。BGA封裝形式的特點(diǎn)是焊接球小和焊接球的直徑小。當FGPA被焊在PCB板上時(shí),容易造成焊接連接失效。焊接
  • 關(guān)鍵字: FPGA  PCB  焊接  失效    

LED燈具失效分析及電路保護措施

  •   LED燈具損壞的原因  LED燈具失效一是來(lái)源于電源和驅動(dòng)的失效,二是來(lái)源于LED器件本身的失效。通常LED電源和驅動(dòng)的損壞來(lái)自于輸入電源的過(guò)電沖擊(EOS)以及負載端的斷路故障。輸入電源的過(guò)電沖擊往往會(huì )造成驅動(dòng)電
  • 關(guān)鍵字: 保護  措施  電路  分析  燈具  失效  LED  
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