深度剖析LED失效問(wèn)題

　　LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構成，即大家熟知的磊晶晶粒(chip)，該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定，在產(chǎn)品所規范的條件下使用并不易損壞，而處于一般的應用環(huán)境中也不起化學(xué)反應，因此擁有較長(cháng)的產(chǎn)品壽命。然而，為使該LED chip發(fā)光，必須由外界通入電流，因此一般會(huì )把尺寸很小的chip黏貼在特定的載臺(或稱(chēng)導線(xiàn)架)上并以金屬線(xiàn)或銲錫等材料連接chip的正負兩極，然后用高分子材料包復整個(gè)載臺，這就是所謂的封裝制程，經(jīng)過(guò)這段制程后成為市面上常見(jiàn)一顆顆的LED燈粒。在實(shí)際應用時(shí)，還會(huì )視所需把數顆LED燈粒組裝成模組，最后再與其它功能的模組組合成為終端產(chǎn)品。

　　從上可知，一個(gè)LED產(chǎn)品的失效，起因可能來(lái)自于該產(chǎn)品的任何一個(gè)部份，故必須抽絲剝繭方能找到真正的失效原因。針對失效來(lái)自L(fǎng)ED燈粒而言，因完整的LED燈粒中，LED chip本身很強壯，但包復chip的封裝材料則易遭受損傷，因此，LED燈粒的失效多可歸因于封裝材料的破壞或劣化所導致。若要充分解析這類(lèi)失效，牽涉到光學(xué)、化學(xué)、材料學(xué)、電子物理學(xué)等領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識，并搭配精密的儀器與豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗，才能確認失效點(diǎn)并推導真因，進(jìn)而提出改善對策。

　　1. 不亮：這種失效是指LED通電后完全不發(fā)光。一般而言，導電路徑上的 ”斷路(open)＂是本類(lèi)失效的主因之一，確認斷路的方法也十分簡(jiǎn)易，以常見(jiàn)的三用電表就可驗證。不過(guò)，要找到斷路點(diǎn)就必須做進(jìn)一步的解析，例如：可用X-ray來(lái)確認打線(xiàn)是否斷線(xiàn)或脫離、用SEM(掃瞄式電子顯微鏡)觀(guān)察剖面結構可檢查黏晶部份的缺陷等等。本類(lèi)失效的第二個(gè)主因是 ”短路(short)” ，這是因為電流未確實(shí)通過(guò)LED chip，而是流經(jīng)”旁門(mén)左道”，故LED燈粒自然不會(huì )發(fā)光，如：因發(fā)生電子遷移導致電極金屬原子的不正常擴散，譬如氧化銦錫(ITO)、銀或是GaN/InGaN二極管中的阻擋層金屬等都可能因機械應力、高電流密度或在腐蝕性的環(huán)境發(fā)生此類(lèi)異狀。其它的原因可能是打線(xiàn)偏移、黏晶膠爬膠等等。這種失效必須利用I-V curve(電流-電壓圖)才能判定，至于失效點(diǎn)因為從外觀(guān)無(wú)法檢查到上述缺陷，故需先以X-ray來(lái)確認；或是化學(xué)溶液去除LED封裝材料后，再使用光學(xué)(OM)或電子顯微鏡(SEM)仔細檢查。

短路爬膠

開(kāi)路斷線(xiàn)

　　2. 變色：這類(lèi)失效是指LED不點(diǎn)亮的狀況下，外觀(guān)顏色或膠材透明度與新品不同，用肉眼即可看出，通常在產(chǎn)品使用一段時(shí)間或在做完可靠度試驗后發(fā)生。一般說(shuō)來(lái)，變色區域大致可區分為發(fā)生在導線(xiàn)架或封裝膠材兩類(lèi)，若發(fā)生在導線(xiàn)架，通常是因為表面與環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應，如氧化或硫化，要分辨屬于哪種需仰賴(lài)成份分析，可使用的儀器包含有EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscope)、XPS(X-ray Photoelectron Spectrometer)、AES(Augur Electron Spectroscope)等等。若是封裝用的膠材發(fā)生變色，則屬于高分子材料的劣化現象，如環(huán)氧樹(shù)脂易受高溫或是紫外光影響而變黃，因此白光LED多改采矽膠取代之。分析此類(lèi)失效應特別留意，因膠材本身有一定的透明度，有時(shí)變色的導線(xiàn)架因被膠材蓋住而誤判為膠材變色，引導至錯誤的改善方向。

支架變色

　　3. 光衰：這種失效系指LED發(fā)出的光強度低于新品。如前面章節所述，光衰程度已成為評判LED照明產(chǎn)品壽命的重要指標，所以這類(lèi)失效的分析就相當重要。整體來(lái)說(shuō)，本類(lèi)失效的分析非常復雜，因為影響光強度的因素非常多，如chip劣化、反射杯的劣化、膠材與chip間脫層、膠材透明度下降、打線(xiàn)接合面電阻上升、熱阻太高等等，若發(fā)生在白光LED，則還需考慮螢光粉劣化的問(wèn)題，因白光LED通常使用一或多種的螢光粉，它們會(huì )受到熱或濕氣的影響而衰減并降低效率，導致產(chǎn)出的光色改變。分析的手法包括有：非破壞檢測，如外觀(guān)檢查、LED電性曲線(xiàn)、積分球的光學(xué)特性等等，用上述數據綜合判斷，逐一排除，當推斷可能原因后，接著(zhù)進(jìn)行破壞性分析，利用樣品制備技術(shù)制作出適合的分析樣品，再輔以各種儀器如SAT(Scanning Acoustic Tomography)超音波掃瞄、FTIR(Fourier Transform InfraRed)傅立葉轉換紅外光譜儀、TEM(Transmission Electron Microscope)穿透式電子顯微鏡、SEM(Scanning Electron Microscope)等等加以驗證，方能到真因。

白光LED光衰分析 – 黃光強度衰減

　　4. ESD失效：這是一種靜電放電所引起的chip破壞，在MOS IC的產(chǎn)品中非常重視此現象，對LED而言，過(guò)往因砷化鎵(GaAs)芯片本身可導電，故這類(lèi)問(wèn)題并不常見(jiàn)，但因白光LED使用不導電的藍寶石基板，而且基板與GaN等材料間因晶格不匹配會(huì )形成內部缺陷(如差排)，對ESD的損害更為敏感。靜電的放電可能產(chǎn)生半導體接合點(diǎn)（junction）立即的失效或特性的永久漂移及潛在的損壞都會(huì )導致衰減的速率增加。有幾種現象可用來(lái)幫助判斷chip是否遭受靜電破壞，譬如反向偏壓漏電流大增、chip僅局部發(fā)光、chip表面出現局部熔融點(diǎn)等等。有時(shí)，一開(kāi)始的靜電破壞的程度不高，LED的電特性、發(fā)光特性、chip表面完整性皆無(wú)異狀，但這種破壞會(huì )因累積而逐漸明顯，有時(shí)卻也可能安然度過(guò)整個(gè)產(chǎn)品生命周期，一旦生產(chǎn)線(xiàn)未做好靜電防護措施時(shí)，所生產(chǎn)的產(chǎn)品的客退率將會(huì )忽高忽低，面對這種現象，失效分析也未必可尋得真因，因此做好生產(chǎn)線(xiàn)靜電防護措施才是最佳解決之道。

ESD失效LED GaN材料I-V curve圖

靜電放電破壞

　　5. 其他：突然間的失效常常是因為熱應力所致，當環(huán)氧樹(shù)脂的封裝達到玻璃轉移溫度(Tg)時(shí)，樹(shù)脂會(huì )很快速的膨脹，在半導體和焊點(diǎn)接觸的位置產(chǎn)生機械應力來(lái)弱化或扯斷它，而在非常低的溫度時(shí)則會(huì )讓封裝產(chǎn)生裂痕。 此外，高功率LED對電流的擁擠敏感，不均勻的電流密度分布在接合點(diǎn)（junction）上，可能會(huì )產(chǎn)生局部的熱點(diǎn)，存在熱燒毀的風(fēng)險，若再出現基板的熱傳不均勻，將使問(wèn)題變得更嚴重，這常見(jiàn)于銲接材料的孔洞或是電子遷移效應和Kirkendall空洞，故熱燒毀亦是LED常見(jiàn)的失效模式。

　　結語(yǔ)：LED燈粒及chip的結構與常見(jiàn)IC來(lái)比相對簡(jiǎn)單，但在應用時(shí)卻同時(shí)涉及光、電、熱等現象，所以發(fā)生失效的原因較為復雜，在失效分析時(shí)所執行的步驟反而較為多元，同時(shí)LED chip與封裝結構因專(zhuān)利之故，各家產(chǎn)品并不相同，分析時(shí)所需之樣品制備的復雜度也遠大于常規IC，因此優(yōu)良的樣品制作技術(shù)、完整的分析儀器加上豐富的經(jīng)驗綜合判斷，才能獲得正確的失效分析結果。

LED失效原因魚(yú)骨圖

LED失效分析流程