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國際整流器（ir）公司
國際整流器（ir）公司 文章 進(jìn)入國際整流器（ir）公司技術(shù)社區
IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列 為焊接應用作出優(yōu)化
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，旨在為焊接應用做出優(yōu)化。 新器件采用溝道纖薄晶圓技術(shù)把導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗降到最低，并與軟恢復低Qrr二極管一起封裝。這些600V IGBT通過(guò)5µs短路額定值來(lái)提供從8KHz到30KHz的超高速開(kāi)關(guān)，還具備有助于并聯(lián)的低Vce
- 關(guān)鍵字： 國際整流器 雙極晶體管 IR66xx
D類(lèi)放大器市場(chǎng)突飛猛進(jìn) 廠(chǎng)商新品頻出
- D類(lèi)音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運行，讓設計者能夠利用小型散熱器或者無(wú)需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設備以及移動(dòng)設備的首選拓撲，能夠幫助設計者實(shí)現高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶(hù)所期望和需要的。 現在，高集成度D類(lèi)放大器件，包括單個(gè)封裝內的整個(gè)放大器模塊的出現讓企業(yè)能夠更快地將價(jià)格極具競爭力的新產(chǎn)品推向市場(chǎng)，并且其音頻性能達到或者超過(guò)了傳統的模擬放大器。因此，D類(lèi)音頻放大器近十年來(lái)市場(chǎng)突飛猛進(jìn)，年復合增長(cháng)率遠遠高于應用特殊型音頻器件。 D
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IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出汽車(chē)級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車(chē)應用，包括泵電機控制和車(chē)身控制等?！ ∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(cháng)管腳，管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接，從而
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IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實(shí)現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR智慧型功率模組簡(jiǎn)化家電馬達驅動(dòng)器設計
- 國際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統級封裝(System-In-Package,SIP)節能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列，有效縮小及簡(jiǎn)化空調、風(fēng)扇、壓縮機和洗衣機等家電馬達驅動(dòng)應用的設計。 IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示，要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標準基準并非易事，全新IRAMGen2平臺能夠利用下一代IRAM系統級封裝智慧型功率模組的先進(jìn)技術(shù)，通過(guò)改善熱效能及減少電磁雜訊，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對更高效家電應用馬達驅動(dòng)器與日俱增的需求
- 關(guān)鍵字： IR 驅動(dòng)器設計
IR擴充StrongIRFET系列
- 國際整流器公司?(International?Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)逆變器、直流電機驅動(dòng)器、鋰離子電池組保護及開(kāi)關(guān)模式電源二次側同步整流等?！ ∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
- 關(guān)鍵字： IR StrongIRFET MOSFET
IR全新D類(lèi)音頻芯片組優(yōu)化音頻放大器性能
- ??? 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商?-?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出全新D類(lèi)音頻芯片組，內含IRS20965數字音頻驅動(dòng)器IC，可提供受保護的脈沖寬度調制?(PWM)?開(kāi)關(guān)和完整的音頻MOSFET?，旨在為高性能D類(lèi)音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化?！ RS20965具有高側和低側獨立浮動(dòng)脈沖寬度調制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調制控制器進(jìn)行死區時(shí)間控制。新I
- 關(guān)鍵字： IR PWM IRS20965 音頻
IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商?–?國際整流器公司擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR?L6283M?20V?DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低的導通電阻?(RDS(on))?！ RL6283M采用超薄的30?mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500μΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動(dòng)態(tài)ORing和電子保險絲?(eFuse)?
- 關(guān)鍵字： IR StrongIRFET IRL6283M
持續監測回轉窯的Raytek CS210過(guò)程成像系統新增3D視圖和耐火材料管理功能
- 福祿克公司旗下Raytek?品牌，?紅外(IR)測溫技術(shù)的世界領(lǐng)先供應商，已對其用于水泥窯的CS210過(guò)程成像系統的功能進(jìn)行了擴展，增加了可選的可集成至系統軟件的3D視圖和耐火材料管理數據庫模塊。這種增強的窯體掃描系統通過(guò)持續監測回轉窯來(lái)探測耐火材料損失、損壞和損耗導致的熱點(diǎn)，從而使得水泥制造商可以避免代價(jià)高昂的窯體損壞和意外停工?！ ±矛F已支持多達4臺掃描儀的CS210紅外線(xiàn)(IR)掃描解決方案，水泥廠(chǎng)經(jīng)營(yíng)者可確定回轉窯耐熱材料的有效性，檢測失效的耐火磚，從而采取相應的措施，防止更大的損
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Maxim推出業(yè)內尺寸最小的IO-Link環(huán)境光傳感器
- Maxim?Integrated推出符合IEC?61131-9標準的業(yè)內最小的Santa?Cruz?(MAXREFDES23#)環(huán)境光傳感器(ALS)，能夠在工廠(chǎng)快速配置和監測多路紅、綠、藍(RGB)可見(jiàn)光和紅外(IR)信號環(huán)境光傳感器，適用于需要高精度檢測的工業(yè)應用?！ ∽园耸甏詠?lái)，工業(yè)現場(chǎng)總線(xiàn)需要更智能的設備，快捷安裝、減少布線(xiàn)并方便維護。然而，由于缺乏單一、公認的現場(chǎng)總線(xiàn)，從而造成了培訓的困難、高成本以及與設備兼容等一系列的問(wèn)題。?IO-Li
- 關(guān)鍵字： Maxim MAXREFDES23 ALS IR RGB
IR推出堅固可靠的超高速1400V IGBT
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商?–?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)?宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)應用作出了優(yōu)化?！ RG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝，由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù)，可提供極低VCE(ON)?和超高速開(kāi)關(guān)，
- 關(guān)鍵字： IR IRG7PK35UD1PbF IGBT 1400V
IR在新加坡開(kāi)設先進(jìn)超薄晶圓加工廠(chǎng)
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布其位于新加坡的全新先進(jìn)超薄晶圓加工廠(chǎng) (IRSG) 已投入初始生產(chǎn)。 新廠(chǎng)占地60,000平方英尺，為IR旗下晶圓廠(chǎng)和晶圓代工合作伙伴的晶圓進(jìn)行加工，加工項目包括晶圓減薄、金屬化、測試和額外的專(zhuān)利晶圓級加工等。加工廠(chǎng)初期將聘用約135名員工，并將生產(chǎn)IR新一代功率MOSFET和IGBT等多種產(chǎn)品。 IR總裁兼首席執行官Oleg Khaykin表示：&l
- 關(guān)鍵字： IR 晶圓
國際整流器（ir）公司介紹
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