IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列
加入技術(shù)交流群
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低的導通電阻 (RDS(on))。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/236045.htmIRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500µΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動(dòng)態(tài)ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類(lèi)最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設計人員能夠在大電流應用內減少器件數量。
IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經(jīng)過(guò)擴充后，能夠滿(mǎn)足市場(chǎng)對動(dòng)態(tài)ORing和電子保險絲的高效開(kāi)關(guān)的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內提供行業(yè)領(lǐng)先的導通電阻，從而實(shí)現無(wú)可比擬的功率密度。”
與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無(wú)鍵合線(xiàn)設計。此外，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長(cháng)生命周期的設計。同類(lèi)的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。
規格
|
器件編號 |
電壓 |
最高 VGS |
封裝 |
電流 額定值 |
導通電阻 (典型/最高) |
認證級別 |
||
|
(V) |
(V) |
(A) |
10V |
4.5V |
2.5V |
|||
|
20 |
12 |
DirectFET MD |
211 |
.50/.75 |
.65/.87 |
1.1/1.5 |
工業(yè) |
|
|
IRFH8201 |
25 |
20 |
PQFN 5x6B |
100* |
.80/.95 |
1.20/1.60 |
不適用 |
|
|
IRFH8202 |
.90/1.05 |
1.40/1.85 |
||||||
|
IRFH8303 |
30 |
.90/1.10 |
1.30/1.70 |
|||||
|
IRFH8307 |
1.1/1.3 |
1.7/2.1 |
||||||
|
IRF8301M |
DirectFET MT |
192 |
1.3/1.5 |
1.9/2.4 |
||||
IR的StrongIRFET系列同時(shí)提供采用了行業(yè)標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。
產(chǎn)品現正接受批量訂單。
評論