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超快速I(mǎi)V測試技術(shù)簡(jiǎn)介-半導體器件特性測試的變革

  • 超快速I(mǎi)V測量技術(shù)是過(guò)去十年里吉時(shí)利推出的最具變革性的方法和儀器,吉時(shí)利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測試單元而著(zhù)稱(chēng),吉時(shí)利的原測試單元在過(guò)去的三十年里一直被當做直流伏安測試的標準,一些著(zhù)名的產(chǎn)品例如236
  • 關(guān)鍵字: IV測試  技術(shù)簡(jiǎn)介  半導體器件  特性測試    

安捷倫完成對Accelicon Technologies的方案技術(shù)收購

  • 安捷倫科技公司(NYSE:A)日前宣布為電子行業(yè)提供器件建模及驗證的Accelicon Technologies 軟件解決方案和技術(shù)現已成為安捷倫的一部分。兩家公司已于 2011 年 12 月 1 日宣布收購協(xié)議,此次交易的具體財務(wù)細節尚未透露。
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電子技術(shù)三大新方向

  • 電子產(chǎn)品的基本價(jià)值是方便性。這一方便性由于LSI(大規模集成電路)而得到大幅提升。但是,引導半導體產(chǎn)業(yè)...
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超快速I(mǎi)V測試技術(shù)-半導體器件特性測試的變革

  • 超快速I(mǎi)V測量技術(shù)是過(guò)去十年里吉時(shí)利推出的最具變革性的方法和儀器,吉時(shí)利一直以其高精度高品質(zhì)的SMU即原測試單元而著(zhù)稱(chēng),吉時(shí)利的原測試單元在過(guò)去的三十年里一直被當做直流伏安測試的標準,一些著(zhù)名的產(chǎn)品例如236
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OHM大學(xué)理工系列 半導體器件 濱川 139頁(yè)

  • OHM大學(xué)理工系列 半導體器件 濱川 139頁(yè)
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SEMI:明年全球硅晶圓出貨面積將增長(cháng)23%

  •   SEMI近期最全球半導體產(chǎn)業(yè)硅晶圓出貨量做出預測,預計2010年硅晶圓出貨面積將叫2009年增長(cháng)23%。該預測包括對2009年-2011年全球硅晶圓市場(chǎng)的展望,其中2009年硅晶圓出貨面積將減少20%至63.31億平方英寸,2010年和2011年將分別增長(cháng)23%和10%。   “用于制造半導體器件的硅晶圓銷(xiāo)售量將由今年的低點(diǎn)反彈,”SEMI總裁兼CEO Stanley T. Myers說(shuō)道?!霸谖磥?lái)兩年,硅晶圓出貨量將超過(guò)全球金融危機和半導體產(chǎn)業(yè)低迷之前的水平,2
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中國南車(chē)建成大功率半導體產(chǎn)業(yè)基地

  •   9月8日,隨著(zhù)第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車(chē)正式投產(chǎn)。   為滿(mǎn)足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求,打破國外公司的市場(chǎng)壟斷,推動(dòng)大功率半導體產(chǎn)業(yè)上水平、上規模,中國南車(chē)旗下的株洲南車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司(南車(chē)時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎,總投資近3.5億元,于2006年年底啟動(dòng)大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設,歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現正式投產(chǎn)。   位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬(wàn)平方米,部分凈化級別達到了100級,由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
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突破功耗和成本限制設計中國需要的FPGA

  •   歐美主流市場(chǎng)需要大尺寸、復雜而且昂貴的FPGA,而中國市場(chǎng)需要低功耗、高保密性、小尺寸以及低成本的FPGA產(chǎn)品。為此,Actel設計了滿(mǎn)足中國市場(chǎng)需求的FPGA。   國際金融危機使各國政府最終認識到,創(chuàng )建一個(gè)高能效的全新世界是構建可持續發(fā)展體制的最佳路徑之一。實(shí)際上,早在多年前,愛(ài)特就已經(jīng)   將關(guān)注焦點(diǎn)轉向高能效的現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA),目標是推出創(chuàng )新的可編程邏輯解決方案,能在芯片和系統兩個(gè)層面上降低功耗,而這正是客戶(hù)非常重視的特性。我們的發(fā)展成果證實(shí)這項戰略是成功的。如今,愛(ài)特公司已經(jīng)
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電子垃圾難處理 這個(gè)難是難在何處?

  •   電子垃圾難處理,這個(gè)難是難在何處?   我覺(jué)得最難的地方就是電子垃圾的分類(lèi)。堆積場(chǎng)中有各式各樣的廢棄物電子類(lèi),電器類(lèi),大的,小的,讓人覺(jué)得演化繚亂無(wú)處下手來(lái)處理。如果先將他們分好類(lèi)別,比如說(shuō)廢棄的電視機,顯示器是一類(lèi),冰箱是一類(lèi),然后小的手機,電話(huà)機……等等先分好類(lèi)。接下來(lái)就簡(jiǎn)單了,產(chǎn)品是怎樣生產(chǎn)出來(lái)的倒過(guò)來(lái)執行就會(huì )分解成零部件。到了這個(gè)時(shí)候電子垃圾就不再難處理了。各種拆解下來(lái)的零件再分好類(lèi),電阻、電容、半導體器件、電池……到了這一步回收應該不
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FPGA躋身汽車(chē)系統關(guān)鍵應用領(lǐng)域

  •   消費者迫切需求的輔助駕駛系統技術(shù)需要具有先進(jìn)精密功能且外形尺寸又非常小的高可靠性元件。由于這些系統尺寸很小,而且彼此非??拷?,因此還要求器件具有超低功耗和良好的耐久性??臻g受限的系統在設計方面存在的熱可靠性問(wèn)題可通過(guò)采用較少的元件及超低的功耗來(lái)解決。Actel公司以Flash為基礎的ProASIC3 FPGA具有固件錯誤免疫力、低功耗和小外形尺寸等優(yōu)勢,因而消除了FPGA(現場(chǎng)可編程門(mén)陣列)用于安全關(guān)鍵汽車(chē)應用領(lǐng)域的障礙。   汽車(chē)工程師過(guò)去通常依賴(lài)于MCU(微控制器)和定制ASIC(專(zhuān)用集成電
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研諾推出新型WLED驅動(dòng)器

  •   美國加州圣克拉拉——2008年6月——專(zhuān)為移動(dòng)消費電子設備提供電源管理半導體器件的開(kāi)發(fā)商研諾邏輯科技有限公司(納斯達克股票市場(chǎng)代碼:AATI),日前宣布推出代號為AAT2848的芯片,這是一款用于白色發(fā)光二極管(WLED)背光顯示和閃光燈應用的新型三重模式電荷泵驅動(dòng)器芯片。在1個(gè)小型3mm? x 3mmTQFN33-20封裝內,AAT2848可驅動(dòng)4個(gè)背光通道,每通道電流可高達30mA;以及兩個(gè)驅動(dòng)電流各高達300mA的閃光通道,其并行總電流高
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半導體器件滲入電路保護市場(chǎng) 現融合趨勢

  •   雖然變阻器、保險絲和PPTC熱敏電阻等被動(dòng)元器件一直是電路保護中的主角,但電子產(chǎn)品便攜化和可靠化等發(fā)展需求,使得半導體分立器件和芯片開(kāi)始在電路保護中鋒芒漸甚,例如在ESD靜電保護中,TVS/齊納二極管已經(jīng)取代了變阻器成為主角。面對這種趨勢,傳統被動(dòng)元件制造商在積級開(kāi)發(fā)新材料的同時(shí),也嘗試與半導體材料進(jìn)行融合,例如泰科電子的PolyZen聚合物增強型齊納二極管微型集成模塊,就成功地融合了PPTC與半導體材料,可以提供過(guò)流過(guò)壓綜合保護。   “過(guò)去幾年來(lái)業(yè)界開(kāi)始對整個(gè)保護重視起來(lái),即保護不再
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半導體器件:技術(shù)不斷進(jìn)步 應用指日可待

  •   2006年半導體器件的開(kāi)發(fā)取得一系列新進(jìn)展。引人注目的是美國開(kāi)發(fā)出速度高達845GHz的晶體管。由于技術(shù)的不斷進(jìn)步,傳統的半導體器件外形獲重大改進(jìn)。器件的形狀并非只有芯片一種。美國科學(xué)家已開(kāi)發(fā)出僅1納米的單分子晶體管;日本廠(chǎng)商在世界上領(lǐng)先研制出厚度與普通紙相當的“電子紙”;日立公司小米粒大小的電子標簽已可月產(chǎn)上百萬(wàn)個(gè)。此外,韓國三星公司在大容量存儲器上取得領(lǐng)先世界的重大進(jìn)展;英特爾公司劃時(shí)代的硅光電激光器問(wèn)世;IBM開(kāi)發(fā)成功超高速的硅鍺半導體器件?,F分別介紹如下。   晶體管:速度高達845GHz  
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半導體器件介紹

  用半導體材料制成的具有一定功能的器件,統稱(chēng)半導體器件。為了與集成電路相區另,有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。半導體器件主要有二端器件和三端器件兩大類(lèi)。絕大部分二端器件(即晶體二極管)的基本結構是一個(gè)PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構,已研制出種類(lèi)繁多、功能用途各異的多種晶體二極,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波 [ 查看詳細 ]

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