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仿真
仿真 文章 進(jìn)入仿真技術(shù)社區
芯片封裝需要進(jìn)行哪些仿真？
- 全球的封裝設計普及率和產(chǎn)能正在不斷擴大。封裝產(chǎn)能是一個(gè)方面，另一方面是在原型基板和封裝上投入資源之前，進(jìn)行測試和評估的需求。這意味著(zhù)設計人員需要利用仿真工具來(lái)全面評估封裝基板和互連。異構集成器件的封裝是非常先進(jìn)的設計，當然也需要電氣仿真。但是這些熱機電系統是否還需要其他仿真呢？您也許已經(jīng)猜到了，確保高可靠性封裝涉及到一系列測試，而多用途仿真工具可以提供高準確度的結果。先進(jìn)封裝的三個(gè)仿真領(lǐng)域從大方面來(lái)說(shuō)，需要從三個(gè)不同領(lǐng)域開(kāi)展仿真和實(shí)驗來(lái)確?？煽啃?。首先要先進(jìn)行仿真，這為設計團隊提供了在測試之前修改封裝的機
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是德科技推出System Designer和Chiplet PHY Designer，優(yōu)化基于數字標準的仿真工作流程
- ●? ?借助由仿真驅動(dòng)的虛擬合規性測試解決方案，采用更智能、更精簡(jiǎn)的工作流程，提高?PCIe?設計的工作效率●? ?具有設計探索和報告生成能力，可加快小芯片的信號完整性分析以及?UCIe?合規性驗證，從而幫助設計師提高工作效率，縮短新產(chǎn)品上市時(shí)間System Designer for PCIe?是一種智能的設計環(huán)境，用于對最新PCIe Gen5?和?Gen6?系統進(jìn)行建模和仿真是德科技（
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COMSOL 如何通過(guò)仿真設計出更安全的電池
- 設想一個(gè)場(chǎng)景：一個(gè)電池組連接到充電器上正在充電。第 1 分鐘，一切正常，電能正常流入電池組。突然，一個(gè)電池單元發(fā)生短路并迅速升溫，進(jìn)而引發(fā)連鎖反應，電池組中的其他電池紛紛效仿。20 分鐘后，整個(gè)電池組已經(jīng)完全損壞。為了研究這種存在安全隱患的情況，我們模擬了一個(gè)經(jīng)歷這種快速變化過(guò)程的電池組。電池出問(wèn)題的風(fēng)險當電池超出其正常工作范圍、受損或發(fā)生短路時(shí)，就會(huì )像上述極端一樣經(jīng)歷熱失控。在這個(gè)過(guò)程中，一個(gè)電池單元會(huì )不受控制地升溫，并引發(fā)鄰近電池效仿。當過(guò)多的熱量產(chǎn)生卻沒(méi)有足夠的散熱來(lái)抵消時(shí)，整塊電池就會(huì )出現熱失控。
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CMOS逆變器短路功耗的仿真
- 在邏輯電平轉換期間，電流短暫地流過(guò)兩個(gè)晶體管。本文探討了由此產(chǎn)生的功耗，并為測量電流和功率提供了一些有用的LTspice技巧。在本系列的第一篇文章中，我們研究了CMOS反相器的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。在隨后的文章中，我們使用LTspice模擬來(lái)進(jìn)一步了解電容充電和放電引起的功耗。作為討論的一部分，我們創(chuàng )建了如圖1所示的LTspice反相器電路。增加了負載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。 圖1。具有負載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。我們將在本文中繼續使用上述原理圖，研
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PCB設計不好造成的信號完整性問(wèn)題
- 信號完整性的定義 定義：信號完整性（Signal Integrity,簡(jiǎn)稱(chēng)SI）是指在信號線(xiàn)上的信號質(zhì)量。差的信號完整性不是由某一單一因素導致的，而是板級設計中多種因素共同 引起的。當電路中信號能以要求的時(shí)序、持續時(shí)間和電壓幅度到達接收端時(shí)，該電路就有很好的信號完整性。當信號不能正常響應時(shí)，就出現了信號完整性問(wèn)題。信號完整性包含：1、波形完整性（Waveform integrity）2、時(shí)序完整性（Timing integrity）3、電源完整性（Power integrity）信號完整性分析的目的就是用
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CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類(lèi)功耗：動(dòng)態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩態(tài)運行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類(lèi)型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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PCB哪些因素影響損耗
- 我們經(jīng)常討論PCB中損耗大小的問(wèn)題。有的工程師就會(huì )問(wèn)，哪些因為會(huì )影響損耗的大小呢？其實(shí)，最常見(jiàn)的答案通常會(huì )說(shuō)PCB材料的損耗因子、PCB傳輸線(xiàn)的長(cháng)度、銅箔粗糙度，其實(shí)答案肯定遠不至于此。下面我們分別就相應參數做一些實(shí)驗給大家介紹下PCB板中哪些因素對傳輸線(xiàn)損耗有影響。首先看看介質(zhì)損耗因子Df對損耗的影響，以Df為變量，分析Df的變化對損耗的影響，下圖是分析的原理圖：仿真對比結果如下，顯然，隨著(zhù)PCB介質(zhì)損耗因子的變大，損耗越來(lái)越大：長(cháng)度也是損耗的主要因素之一，把傳輸線(xiàn)長(cháng)度設定為L(cháng)en變量，分析Len的變化
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DDR4的PCB設計及仿真
- 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線(xiàn)過(guò)渡，這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面從而確保內存穩定，另外，DDR4內存的金手指設計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當然，DDR4最重要的使命還是提高頻率和帶寬，總體來(lái)說(shuō)，DDR4具有更高的性能，更好的穩定性和更低的功耗，那么從SI的角度出發(fā)，主要有下面幾點(diǎn), 下面章節對主要的幾個(gè)不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。表1 DDR3和DDR
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SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
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如何使用LTspice獲得出色的EMC仿真結果
- 隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)設備和5G連接等技術(shù)創(chuàng )新成為我們日常生活的一部分，監管這些設備的電磁輻射并量化其EMI抗擾度的需求也隨之增加。滿(mǎn)足EMC合規目標通常是一項復雜的工作。本文將介紹如何通過(guò)開(kāi)源LTspice仿真電路來(lái)回答以下關(guān)鍵問(wèn)題：(a)?我的系統能否通過(guò)EMC測試，或者是否需要增加緩解技術(shù)？(b)?我的設計對外部環(huán)境噪聲的抗擾度如何？為何要使用LTspice進(jìn)行EMC仿真？針對EMC的設計應該盡可能遵循產(chǎn)品發(fā)布日程表，但事實(shí)往往并非如此，因為EMC問(wèn)題和實(shí)驗室測試可能將產(chǎn)品發(fā)布延遲數月。
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VIAVI率先推出RedCap設備仿真，推動(dòng)5G物聯(lián)網(wǎng)商業(yè)化
- 中國上海，2023 年 8 月10日 – VIAVI Solutions（納斯達克股票代碼：VIAV）近日推出業(yè)界首款用于 5G 網(wǎng)絡(luò )測試的輕量級（RedCap）設備仿真，實(shí)現真正意義上的RedCap性能驗證，RedCap是基于新一類(lèi)更簡(jiǎn)單、更低成本設備（包括可穿戴設備、工業(yè)無(wú)線(xiàn)傳感器和視頻監控）的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和專(zhuān)用網(wǎng)絡(luò )。該解決方案基于TM500 網(wǎng)絡(luò )測試平臺，被廣大網(wǎng)絡(luò )設備制造商用于基站性能測試。?3GPP在5G NR R17標準中引入了 RedCap 設備，也稱(chēng)為寬帶物聯(lián)網(wǎng)或 NR-Li
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兼容性和差異化是國產(chǎn)仿真EDA必須錘煉的競爭優(yōu)勢
- 隨著(zhù)美國正式簽署《芯片與科學(xué)法案》，國內半導體設計公司對于國際EDA 的使用限制將越來(lái)越嚴格。但是，考慮到當前絕大多數的設計公司還在使用國際EDA 廠(chǎng)商的設計流程，作為后來(lái)者的國產(chǎn)EDA 公司，目前絕大多數是點(diǎn)工具，且愿意使用的設計企業(yè)非常有限。面對困局，我們采訪(fǎng)了國內EDA 的領(lǐng)先企業(yè)芯和半導體的聯(lián)合創(chuàng )始人代文亮博士。代博士提出了一個(gè)很重要的觀(guān)點(diǎn)：國產(chǎn)EDA 要搶占市場(chǎng)需要打破用戶(hù)的使用門(mén)檻，增強用戶(hù)體驗。首先是與現有國際設計流程的融合，讓用戶(hù)先能用起來(lái)。在這個(gè)過(guò)程中，相比用戶(hù)對布局布線(xiàn)工具的天然排他性
- 關(guān)鍵字： 202209 仿真 EDA
仿真介紹
仿真英文全稱(chēng)是 :Simulation
即:使用項目模型將特定于某一具體層次的不確定性轉化為它們對目標的影響，該影響是在項目整體的層次上表示的。項目仿真利用計算機模型和某一具體層次的風(fēng)險估計，一般采用蒙特卡洛法進(jìn)行仿真。
利用模型復現實(shí)際系統中發(fā)生的本質(zhì)過(guò)程，并通過(guò)對系統模型的實(shí)驗來(lái)研究存在的或設計中的系統，又稱(chēng)模擬。這里所指的模型包括物理的和數學(xué)的，靜態(tài)的和動(dòng)態(tài)的，連續的和離散 [ 查看詳細 ]
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