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串-并聯(lián)
串-并聯(lián) 文章 進(jìn)入串-并聯(lián)技術(shù)社區
功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- / 前言 /功率半導體熱設計是實(shí)現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì )想到熱阻也可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)概念來(lái)做數值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來(lái)看熱阻的串聯(lián)。當兩個(gè)或多個(gè)導熱層依次排列，熱量依次通過(guò)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率器件 熱設計 串聯(lián) 并聯(lián)
使用串聯(lián)和并聯(lián)RC和RL電路設計L形匹配網(wǎng)絡(luò )
- 通過(guò)RC和RL電路的品質(zhì)因子（Q因子）以及這些電路的串并聯(lián)轉換，了解L形阻抗匹配方程在本系列的前一篇文章中，我們學(xué)習了如何使用史密斯圓圖設計無(wú)源阻抗匹配網(wǎng)絡(luò )。除了使用這種圖形方法，還可以遵循分析方法并使用一些方程來(lái)獲得所需的匹配網(wǎng)絡(luò )。首先，在深入阻抗匹配方程之前，我們需要了解兩個(gè)基本概念：RC和RL電路的品質(zhì)因子以及這些電路的串并聯(lián)轉換。RC和RL電路的品質(zhì)因子定義用Q表示的術(shù)語(yǔ)品質(zhì)因子可以用多種方式定義。當談?wù)搩δ苎b置（即電容器或電感器）時(shí)，Q表示我們的儲能裝置有多接近理想。例如，理想的電容器不會(huì )耗散任
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雙電流路徑結構的大電流自控制熔斷器技術(shù)
- 現有電流規格的自控制熔斷器難以滿(mǎn)足大電流應用需求，通常采用多顆并聯(lián)形式。測試結果表明，兩顆30 A并聯(lián)，適用于50 A應用需求；兩顆45 A并聯(lián)，適用于60 A應用需求。多顆并聯(lián)將造成設計板面大，設計難度高，對元件性能一致性的擔憂(yōu)。因此，通過(guò)研究并聯(lián)使用，推演出一種新型的大電流自控制熔斷器模型結構—雙電流路徑結構。雙電流路徑結構的自控制熔斷器，其結構可等效于上下鏡像層疊分布的常規自控制熔斷器，根據原理示意圖，具體實(shí)施中可有多種變形形式。
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光耦電路中的串聯(lián)與并聯(lián)電阻有什么作用
- 光耦在電路中的主要作用是對光電進(jìn)行隔離。因此在一些較為敏感的電路中光耦是非常重要的一種器件。而在光耦電路中，電阻的作用分為串聯(lián)與并聯(lián)。圖1圖1是反激式電源電路圖，那么在R8、R9這兩個(gè)電阻的作用是什么?如果對R8和R9阻值調大或者調小分別對什么電性有影響?首先對這兩個(gè)電阻的作用進(jìn)行講解，R8的作用是限流，而R9是為了給TL431提供基礎電流。光耦原邊流過(guò)多大的電流，不是由R8決定的，R8只是限制流過(guò)原邊的電流。如果電阻太小，很小的波動(dòng)就會(huì )引起原邊相對較大的電流，所以電路有可能不容易穩定。電路正常工作以后，
- 關(guān)鍵字： 光耦 串聯(lián) 并聯(lián) 電阻
LED發(fā)光模塊常見(jiàn)故障解決，LED燈珠連接形式
- LED發(fā)光模塊常見(jiàn)故障解決，LED燈珠連接形式-一般簡(jiǎn)單的串聯(lián)連接形式中的LED1~LEDn首尾相連，LED工作時(shí)流過(guò)的電流相等。對于同-規格和批次的LED來(lái)說(shuō)，雖然單個(gè)LED上的電壓可能有微小的差異，但是由于LED是電流型器件，因此可以保證各自的發(fā)光強度相一致，困此，簡(jiǎn)單的串聯(lián)形式的LED就具有電路簡(jiǎn)單、連接方便等特點(diǎn)。然而，由于采用串聯(lián)形式，當其中一個(gè)LED發(fā)生開(kāi)路故障時(shí)，將造成整個(gè)LED燈串的熄滅，影響了使用的可靠性。
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