電源及電源管理領(lǐng)域的幾個(gè)創(chuàng )新
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
“在瞬態(tài)響應、輸出的精度方面，數字電源和模擬電源還有些差距，”陳宇補充道，原理上，模擬可以做得非常精準。所以客戶(hù)在選擇模擬與數字時(shí)，需要有個(gè)評判：更在乎空間小，還是更加精準，還是成本。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/99671.htm高功率晶體管的發(fā)展趨勢
英飛凌(Infineon)6月在華首發(fā)了高性能功率晶體管CoolMOS C6，比較注重成本的降低。英飛凌是高功率晶體管的領(lǐng)先廠(chǎng)商，其產(chǎn)品特點(diǎn)具有一定代表性。英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt介紹了600V C6的特點(diǎn)。
首先，C6的成本比C3低，成本主要取決于芯片尺寸的大小，CoolMOS C6硅片變得更小，并采取新的封裝技術(shù)來(lái)降低成本。在單位封裝方面，以T220封裝為例，其他品牌類(lèi)似產(chǎn)品的導通電阻大約是380mW，而英飛凌C6現在做到最好的是99mW。如果競爭對手為實(shí)現同樣的導通電阻需要應用TO-247封裝，成本將會(huì )增加。英飛凌在TO-247封裝方面能做到45mW，而其他品牌難以做到這么低。在硅片方面，尺寸和功率往往成正比，如何平衡兩者的關(guān)系?要做到小硅片，英飛凌通過(guò)做到降低損耗來(lái)達到平衡。如果損耗跟之前一樣，那是沒(méi)有競爭力的。
其次，在電源工作頻率方面，英飛凌的MOSFET開(kāi)關(guān)頻率可以提高到250kHz~400kHz。如果用其他品牌的超級結結構的MOS，會(huì )產(chǎn)生大的損耗。但如果采用CoolMOS，可以實(shí)現頻率超過(guò)250kHz。當然開(kāi)關(guān)頻率越高，損耗越高，例如超過(guò)450kHz以上，就要采用零電流、零電壓等軟開(kāi)關(guān)架構，英飛凌的方法是配合二極管去實(shí)現。
英飛凌的C6主要替代C3，特點(diǎn)是成本更低。英飛凌沒(méi)有C4系列，因為4在中文里有不好的寓意;英飛凌把其C5系列實(shí)際命名為CP。CP的開(kāi)關(guān)損耗是最低的，所以C6不能代替CP，CP更適合在更高效的電源產(chǎn)品中。
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