磁盤(pán)式存儲技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤(pán)前景不容樂(lè )觀(guān)

　　而STTRAM技術(shù)則基于電子自旋理論，利用改變自旋偏振電流的方法改變磁場(chǎng)方向，以此達到記錄數據的目地。STTRAM技術(shù)在省電性能方面比PCRAM相變內存技術(shù)更為優(yōu)越，不過(guò)目前這種技術(shù)每個(gè)存儲單元只能儲存單個(gè)bit，如果能夠突破這種限制的話(huà)，那么預計未來(lái)十年內很有可能成為磁盤(pán)式硬盤(pán)技術(shù)的有力競爭對手。

　　文中還指出:“令人驚奇的是，我們的研究表明，即便到2020年，磁盤(pán)式硬盤(pán)仍將是每TB價(jià)格最低的一種存儲解決方案。另外，我們還發(fā)現業(yè)界投資最多的技術(shù)項目未必是發(fā)展潛力最大的技術(shù)，相反，這些技術(shù)公司只會(huì )在自己最擅長(cháng)的技術(shù)上進(jìn)行大量投資。”

　　文章出自希捷前CTO之手，再聯(lián)想到希捷在發(fā)展閃存式SSD硬盤(pán)方面的步伐確實(shí)相當緩慢，我想現在大家應該不會(huì )為此而感到奇怪了吧。