磁盤(pán)式存儲技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤(pán)前景不容樂(lè )觀(guān)
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相變內存技術(shù)(phase change random access memory (PCRAM)):
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/99277.htm
據文章的作者解釋?zhuān)琍CRAM相變內存技術(shù)基于相變化材料的相變屬性。對這種材料適當加熱后，相變化材料的形態(tài)將在結晶和非結晶兩種相上發(fā)生變化，從而衍生出不同的電阻值，這樣便可以用于記錄“1”“0”兩種數值。這種技術(shù)的存儲單元體積小，每個(gè)存儲單元能存儲多位數據，因此存儲密度以及容量成本方面均比磁盤(pán)式硬盤(pán)優(yōu)越，不過(guò)這種技術(shù)的劣勢在于功耗較大。目前，Intel與Microelectronics的合資公司Numonyx已經(jīng)將基于這種技術(shù)的產(chǎn)品推向了市場(chǎng)，因此在實(shí)際應用方面相變內存技術(shù)比STTRAM技術(shù)要優(yōu)越許多。
自旋極化內存技術(shù)(spin transfer torque random access memory (STTRAM)).
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