電子材料出現融合趨勢，協(xié)作和多樣化日趨重要

　　圖1. SAFC材料發(fā)展規劃線(xiàn)路圖。

　　對半導體材料開(kāi)發(fā)的定期監督非常重要，它可確保材料供應商與當前及未來(lái)的行業(yè)需求保持步調一致。 對于介入點(diǎn)的選擇和時(shí)機，以及電子材料需求量，會(huì )受到許多可變因素的影響，我們經(jīng)常分析外部指導方針，例如 ITRS 路線(xiàn)圖、設備開(kāi)發(fā)的趨勢和經(jīng)濟情況、并結合與客戶(hù)合作的經(jīng)驗對我們自身的研發(fā)計劃進(jìn)行評估。 這樣，我們就能與半導體行業(yè)的材料要求保持同步，并在行業(yè)要求發(fā)生改變時(shí)，重新制定我們的材料發(fā)展規劃。

　　展望未來(lái)，除了其它趨勢以外，業(yè)內會(huì )繼續關(guān)注柵極應用的下一代 high-K 技術(shù)和電容器應用的 high-K 和 ultra high-K 介電技術(shù)，并繼續開(kāi)發(fā)用于 DRAM 的金屬柵極和新型電極材料以及用于銅阻擋層和銅晶種的材料。 我們積極參與了用于相變存儲器 (PCM) 應用的材料的開(kāi)發(fā)，現在正在對它們進(jìn)行更加細致的評估，因為 PCM 很快就成為替代 NAND 閃存不二選擇。作為一家公司，SAFC Hitech 在開(kāi)發(fā)用于高容量 PCM 應用的鍺銻碲 (GST) 先驅體上已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。 PCM 是一種非易失性計算機存儲器，它實(shí)現了最大特征尺寸的進(jìn)一步擴展，超過(guò)傳統的閃存可能達到的極限，從而提供更大的存儲容量和卓越的存儲性能。