ADI推出用于4G蜂窩基站的突破性射頻電路

　　ADI最新推出設計用于LTE(長(cháng)期演進(jìn))和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動(dòng)電信系統)標準的增強版，它被視為邁向蜂窩網(wǎng)絡(luò )中第四代射頻技術(shù)的終極階段。

　　當今社會(huì )，移動(dòng)通信已逐漸成為人類(lèi)生活不可缺少的部分，人們需要利用移動(dòng)通信來(lái)進(jìn)行隨時(shí)隨地溝通。同時(shí)，隨著(zhù)手機用戶(hù)數與全球無(wú)線(xiàn)基礎設施建設的快速增長(cháng)，這就要求基站必須提升數據流容量(蜂窩容量)，因此對射頻電路的集成化以及成本都提出了更高的要求。為解決射頻卡的高密度集成問(wèn)題， ADI公司推出的新型ADRF660x系列混頻器與ADRF670x系列調制器將多個(gè)分立功能模塊集成到單個(gè)器件，并能滿(mǎn)足更高容量基站所需要的嚴苛性能，實(shí)現了這些高密度射頻卡。通過(guò)這種前所未有的集成度，基站制造商可以將電路板空間顯著(zhù)縮小60%，并大幅降低材料清單成本。

　　隨著(zhù)全球移動(dòng)運營(yíng)商向4G技術(shù)演進(jìn)，需要具有小外形尺寸的更高密度射頻卡，以支持提供連續語(yǔ)音和高數據速率服務(wù)。如果說(shuō)中國3G牌照的發(fā)放是一個(gè)令人振奮的機會(huì )，那么，我國在4G技術(shù)的部署和研發(fā)也必將大大加快射頻集成電路產(chǎn)品供應商邁向4G的步伐。我國啟動(dòng)4G研發(fā)已經(jīng)有5年的時(shí)間，為了達到4G網(wǎng)絡(luò )所需要達到的速率要求， 4G至少需要3倍于現有基站的數量。如上海已經(jīng)啟動(dòng)了研發(fā)4G的科研項目， 2010年世博會(huì )前預計可新建近千個(gè)基站。以目前國內3G運行的狀況，也有專(zhuān)家建議中國有跨過(guò)3G直接上4G的可能性。因此，可以預測4G將擁有龐大的用戶(hù)市場(chǎng)。4G市場(chǎng)的發(fā)展及潛在需求需要有可實(shí)現高密度射頻卡的新型高集成度RF混頻器和調制器，從而提升LTE和4G基站的容量和速度。ADI公司為迎合該契機，推出了用于4G蜂窩基站的突破性射頻集成電路產(chǎn)品系列。ADI一直秉承設計創(chuàng )新的理念，同時(shí)非常期待繼續為這個(gè)快速成長(cháng)且充滿(mǎn)活力的市場(chǎng)服務(wù)。

　　“如今的3G和LTE基站采用許多標準分立RF器件來(lái)優(yōu)化發(fā)送和接收RF信號通路的性能，ADI公司的新型ADRF660x和ADRF670x產(chǎn)品系列將射頻轉換功能模塊整合到一個(gè)集成電路中，并且不犧牲性能，”ADI公司線(xiàn)性RF產(chǎn)品部副總裁Peter Real表示，“這些新型器件采用ADI的PLL/VCO合成器、混頻器和調制器技術(shù)，可以為較小外形尺寸和較高密度的宏、微和微微蜂窩基站提供業(yè)界領(lǐng)先的相位噪聲性能、功耗和線(xiàn)性度。”

　　關(guān)于A(yíng)DRF660x和ADRF670x系列

　　新型ADRF660x和ADRF670x系列均提供四款引腳兼容的器件，覆蓋常用的蜂窩2G、3G和LTE頻段，并通過(guò)集成可實(shí)現支持所有蜂窩頻段和空中接口標準的公共外形尺寸PCB(印刷電路板)設計，可簡(jiǎn)化系統設計。

　　四款ADRF670x產(chǎn)品將高動(dòng)態(tài)范圍模擬I/Q調制器、RF輸出開(kāi)關(guān)和PLL(鎖相環(huán))與集成式VCO(壓控振蕩器)集成在一個(gè)緊湊型RFIC中。其調制器輸入帶寬為500 MHz，能支持規定的頻段或復雜的IF上變頻發(fā)送信號通道。此外，調制器輸出支持用于寬帶多載波LTE應用的線(xiàn)性高輸出功率水平。

　　四款ADRF660x產(chǎn)品將高線(xiàn)性度有源RF混頻器、用于單端50 ?輸入的RF輸入巴倫以及PLL合成器與集成式VCO整合到一個(gè)緊湊型RF電路中。其有源混頻器提供6 dB的電壓轉換增益，相比同類(lèi)競爭性無(wú)源混頻器，可減少對額外的IF放大的需求。差分IF輸出支持高達500 MHz的最高IF頻率。ADRF660x系列可用于接收器通道下變頻和發(fā)送通道觀(guān)測接收器應用。

　　這八個(gè)器件都具備一個(gè)公共的SPI控制接口，并且軟件兼容。集成式PLL是設計用于支持LTE的100 KHz信道柵的多模小數N分頻合成器，可提供業(yè)界最低的帶內相位噪聲。為獲得更高的靈活性，所有器件都提供緩沖的本振(LO)輸出，并支持使用外部VCO。