開(kāi)關(guān)電源基于補償原理的無(wú)源共模干擾抑制技術(shù)

引言

由于MOSFET及IGBT 和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在電力電子電路中的廣泛應用，使得功率變換器的開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高，結構更加緊湊，但亦帶來(lái)許多問(wèn)題，如寄生元件產(chǎn)生的影響加劇，電磁輻射加劇等，所以EMI問(wèn)題是目前電力電子界關(guān)注的主要問(wèn)題之一。

圖1 CM 及DM 噪聲電流的耦合路徑示意圖

傳導是電力電子裝置中干擾傳播的重要途徑。差模干擾和共模干擾是主要的傳導干擾形態(tài)。多數情況下，功率變換器的傳導干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補償原理的無(wú)源共模干擾抑制技術(shù)，并成功地應用于多種功率變換器拓撲中。理論和實(shí)驗結果都證明了，它能有效地減小電路中的高頻傳導共模干擾。這一方案的優(yōu)越性在于，它無(wú)需額外的控制電路和輔助電源，不依賴(lài)于電源變換器其他部分的運行情況，結構簡(jiǎn)單、緊湊。

1 補償原理

共模噪聲與差模噪聲產(chǎn)生的內部機制有所不同：差模噪聲主要由開(kāi)關(guān)變換器的脈動(dòng)電流引起；共模噪聲則主要由較高的dv/dt與雜散參數間相互作用而產(chǎn)生的高頻振蕩引起。如圖1 所示。共模電流包含連線(xiàn)到接地面的位移電流，同時(shí)，由于開(kāi)關(guān)器件端子上的dv/dt 是最大的，所以開(kāi)關(guān)器件與散熱片之間的雜散電容也將產(chǎn)生共模電流。圖2給出了這種新型共模噪聲抑制電路所依據的本質(zhì)概念。開(kāi)關(guān)器件的dv/dt通過(guò)外殼和散熱片之間的寄生電容對地形成噪聲電流。抑制電路通過(guò)檢測器件的dv/dt，并把它反相，然后加到一個(gè)補償電容上面，從而形成補償電流對噪聲電流的抵消。即補償電流與噪聲電流等幅但相位相差180