吉時(shí)利發(fā)布用于半導體器件探測和特征分析設備的混合信號互連解決方案

　　先進(jìn)電氣測試儀器與系統的世界級領(lǐng)導者吉時(shí)利儀器公司，日前發(fā)布測試界第一個(gè)利用一套線(xiàn)纜即可處理I-V、C-V和脈沖I-V信號的互連解決方案(正申請專(zhuān)利)。本款最新布線(xiàn)套件基于專(zhuān)利型設計，能大大加快并簡(jiǎn)化從任意先進(jìn)半導體參數分析儀到Cascade Microtech或SUSS MicroTec探測器進(jìn)行直流電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)和脈沖I-V測試互連的過(guò)程?；ミB線(xiàn)的設計與吉時(shí)利4200-SCS半導體特征分析系統以及其他一些用于特征分析的測試儀器兼容。

　　該高性能三同軸線(xiàn)纜套件的設計非常適合需要在不同測量類(lèi)型之間頻繁切換的特征分析應用。采用這些新型的線(xiàn)纜套件在不同測量類(lèi)型之間進(jìn)行轉換時(shí)無(wú)需重新布線(xiàn)，且能消除由于連線(xiàn)誤差而導致的測量誤差。其包括兩種線(xiàn)纜套件——一種適用于Cascade Microtech探測器，另外一種適用于SUSS MicroTec探測器。

　　對半導體器件進(jìn)行電氣特征分析并掌握其生產(chǎn)過(guò)程中所用工藝，需要進(jìn)行各種測量操作包括直流I-V、C-V和脈沖式I-V測量。將不同類(lèi)型的測量集成在一個(gè)特征分析系統中最大挑戰是，每種測量都有完全不同的布線(xiàn)需求。例如，進(jìn)行低電流I-V測量需要加保護層，因此需要三軸線(xiàn);C-V測量通常采用四條同軸線(xiàn)纜并將外殼連接在一起以控制信號遇到的特征阻抗;脈沖測量所需帶寬在三種測量類(lèi)型中最高，因此布線(xiàn)的特征阻抗必須與源阻抗相匹配，以防止DUT的反射信號在源端發(fā)生反射。

　　吉時(shí)利新推出的布線(xiàn)套件在設計時(shí)考慮到以上不同需求，用戶(hù)進(jìn)行任何類(lèi)型的測量都無(wú)需改動(dòng)探針控制器的布線(xiàn);只需簡(jiǎn)單把線(xiàn)纜從一組儀器互連轉換到另一組，大大簡(jiǎn)化了I-V測量、C-V測量和脈沖I-V測試之間的轉換，從而簡(jiǎn)化器件特征分析過(guò)程。此外，在探針接觸圓片時(shí)可修改測試配置以減少pad損傷，并對所有三類(lèi)測量都能保持相同接觸阻抗。

　　不斷增強的系統功能確保產(chǎn)能不斷增長(cháng)

　　吉時(shí)利4200-SCS以一套緊密集成的特征分析解決方案取代了多種分離的電氣測試工具，是可靠性實(shí)驗室、材料與器件研究實(shí)驗室進(jìn)行半導體技術(shù)研究、工藝研發(fā)和材料研究的理想選擇，能滿(mǎn)足所有需要臺式直流或脈沖測試儀的實(shí)驗室的需要。自推出4200-SCS系統以來(lái)，吉時(shí)利不斷增強其硬件和軟件功能。吉時(shí)利對系統不斷更新的承諾確保用戶(hù)能夠獲得高性?xún)r(jià)比的升級途徑，用戶(hù)無(wú)需因為原有儀器過(guò)時(shí)而購買(mǎi)新的參數分析儀。系統通過(guò)高性?xún)r(jià)比的升級能滿(mǎn)足業(yè)界不斷增長(cháng)的測試需求，相比競爭對手的測試方案，用戶(hù)對4200-SCS的固定資產(chǎn)投資有效期更長(cháng)。

　　吉時(shí)利儀器公司作為半導體器件特征分析和參數測試系統的領(lǐng)先供應商，為全球用戶(hù)提供電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)和脈沖I-V測量與分析所需的各種靈活解決方案。產(chǎn)品涵蓋從臺式儀器到成套系統，應用于材料分析、器件特征分析、圓片級可靠性分析、工藝控制監測等領(lǐng)域。吉時(shí)利通過(guò)其龐大的現場(chǎng)服務(wù)中心網(wǎng)絡(luò )以及具有半導體專(zhuān)業(yè)技術(shù)知識的應用工程師，為全球半導體用戶(hù)提供服務(wù)。