Silicon Genesis公司填補20um“無(wú)切損”光伏箔空白
在20um太陽(yáng)能電池箔結合了薄膜光伏電池多晶硅用量低和單晶硅光伏電池高效潛力的優(yōu)點(diǎn)。這都為大幅降低總生產(chǎn)成本創(chuàng )造了條件,從而可降低每瓦成本。預計該20um箔將把傳統的硅光伏電池吸收材料技術(shù)延伸到未來(lái)。該單晶硅箔是最近展示的試驗性地用流水線(xiàn)生產(chǎn)厚度150um和50um的原尺寸晶片連續開(kāi)發(fā)的成果。這些試點(diǎn)能力正在用于開(kāi)發(fā)大批量生產(chǎn)設備。
20um單晶硅箔的推出將使光伏電池制造商能夠以具有成本效益的生產(chǎn)探索新的應用和形式。PolyMax 系統的無(wú)切損性質(zhì)有助于節省原料,以及使用更薄的單晶硅晶片和箔發(fā)展新產(chǎn)品類(lèi)型。
SiGen首席執行官Francois Henley說(shuō):“我們的20um晶體硅箔技術(shù)的高效潛力為太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng )造了新的機會(huì )。20um箔的柔性便于發(fā)展多種應用,如光伏建筑一體化(BIPV)和柔性光伏電池。這增強了我的信心,即薄膜技術(shù)的采用將受到超薄的PolyMax技術(shù)的成本和性能優(yōu)勢的限制。”
PolyMax系統概念和20um基片成果已在《光子》(PHOTON)雜志最近在德國慕尼黑舉辦的“第四屆光伏技術(shù)展”上展出。
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