首爾半導體公布其對 InGaN 系 LED 專(zhuān)利的立場(chǎng)

　　首爾半導體日前宣布，美國得克薩斯法院經(jīng)審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結構特性方面屬于首爾半導體的專(zhuān)利。InGaN 是組成白、藍、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質(zhì)。作為上述美國得克薩斯法院審判對象的美國專(zhuān)利 5,075,742（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“742專(zhuān)利”）包含了在日本、德國、英國、法國的專(zhuān)利家族。有關(guān)詳細的審判內容可以在首爾半導體的網(wǎng)站證實(shí)。(http://seoulsemiconductor.cn/cn/prCenter/news/view.asp?seq=57)

　　首爾半導體業(yè)務(wù)合作伙伴可使用這一專(zhuān)利。有關(guān)企業(yè)可以與首爾半導體簽訂戰略協(xié)議來(lái)得到專(zhuān)利許可。首爾半導體已跟美國和日本的三家企業(yè)簽訂了專(zhuān)利許可協(xié)議。對于侵犯專(zhuān)利的企業(yè)，首爾半導體有權使其停止銷(xiāo)售、使用并對給首爾半導體造成的損失予以賠償。

　　首爾半導體一向尊重其他企業(yè)的知識產(chǎn)權，并將繼續與這些尊重知識產(chǎn)權的企業(yè)進(jìn)行公平的競爭。而對于那些侵犯知識產(chǎn)權的企業(yè)，首爾半導體將對其采取必要手段以維護自己的專(zhuān)利權益。