電子束導向設計eBeam創(chuàng )始計劃正式運作

　　2009年2月24日，加州圣荷西訊- 多家電子業(yè)領(lǐng)導廠(chǎng)商今天共同宣布eBeam創(chuàng )始計劃正式運作。此平臺主要致力于教育及推廣新的制造設計 (design-to-manufacturing)方法，也稱(chēng)作電子束導向設計(Design for e-Beam;DFEB)。藉由降低半導體設備的光罩成本，電子束導向設計(DFEB)被視為成為增強設計啟動(dòng)以及縮短半導體設備上市時(shí)間的最終關(guān)鍵。

　　本創(chuàng )始計劃會(huì )員涵蓋半導體上下產(chǎn)業(yè)鏈，會(huì )員分別為Advantest、Alchip Technologies、 Altos Design Automation、Cadence Design Systems、CEA/Leti、D2S、Dai Nippon Printing、e-Shuttle、eSilicon Corporation、 Fastrack Design、Fujitsu Microelectronics、Magma Design Automation、Tela Innovations、Toppan Printing、Virage Logic 以及Vistec 電子束微影制程技術(shù)集團。其它創(chuàng )始會(huì )員還包含:設計團體D.E Shaw研究公司處長(cháng)Marty Deneroff、eSilicon的總裁兼執行長(cháng)Jack Harding、PMC-Sierra 營(yíng)運長(cháng)Colin Harris、Qualcomm首席工程師兼技術(shù)經(jīng)理Riko Radojcic以及STMicroelectronics 計算機輔助設計部門(mén)(Computer Aided Design)處長(cháng)Jean-Pierre Geronimi。eBeam創(chuàng )始計劃的指導小組由Advantest、CEA/Leti、D2S、e-Shuttle、Fujitsu Microelectronics，Vistec以及常務(wù)贊助商的 D2S多家公司共同組成。

業(yè)界對于電子束創(chuàng )始計劃 (e-beam Initiative)的需求迫切

　　先進(jìn)IC制造的成本增加趨勢似乎沒(méi)有趨緩的跡象，除非采用全新的制造技術(shù)才有可能改變現況。隨著(zhù)每個(gè)制程節點(diǎn)(node)光罩預算就向上倍增，這導致少量的ASICs應用及市場(chǎng)持續縮小，這反應著(zhù)未來(lái)應用產(chǎn)品想獲利將會(huì )是一項挑戰。無(wú)須仰賴(lài)微影制程技術(shù)轉變，電子束導向設計(DFEB)可最佳化且提高目前的電子束(e-beam)技術(shù)。藉由有效地利用電子束直描(EbDW)方法，電子束導向設計(DFEB)可忽視光罩成本同時(shí)還可藉由縮短微影制程技術(shù)導向設計(design-to-lithography) 的制程流程達到加速產(chǎn)品快速上市。

　　除了之前提到的明顯優(yōu)勢外，電子束(eBeam)的制造方式將使系統公司尋求更早的原型品以供測試，這種電子束導向設計(DFEB)可在廣大的特殊應用領(lǐng)域上產(chǎn)生巨大影響，這反應在中低量的半導體公司生產(chǎn)的測試芯片、樣品以及在設計產(chǎn)生的變異性上。

　　由于eBeam創(chuàng )始計劃會(huì )員分布整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，從硅質(zhì)材(IP)、電子設計自動(dòng)化軟件公司(EDA)到半導體制造商、設備制造商、系統設計公司、研究單位、服務(wù)公司以及光罩制造商，創(chuàng )始計劃預期可加速生產(chǎn)導向的電子束直描(EbDW)技術(shù)使用電子束導向設計(DFEB)。

　　「通過(guò)成功的合作，我們能夠分享及教育產(chǎn)業(yè)，新的無(wú)光罩制造方法提供無(wú)數的好處?！笵2S執行長(cháng) Aki Fujimura表示:「目前光罩產(chǎn)業(yè)預算價(jià)格過(guò)高，然而，發(fā)展電子束導向設計(DFEB)將可降低光罩成本同時(shí)衍生出多樣的低量系統單芯片(SoCs)?！?br />
　　PMC-Sierra 營(yíng)運長(cháng)暨eBeam創(chuàng )始計劃顧問(wèn)Colin Harris表示:「我們在今日的許多領(lǐng)導廠(chǎng)商身上看到這項技術(shù)逐漸帶來(lái)的利益，其證實(shí)了具有高潛力的電子束導向設計(DFEB)可控制持續成長(cháng)的光罩成本。透過(guò)較低門(mén)坎來(lái)做投片(tape out)，我們將可更迅速地采用新的技術(shù)制程及在目標產(chǎn)品上追求更低功耗、更具效能的特性?！?br />
早先的成果證實(shí)電子束導向設計(DFEB)的成功

　　許多的eBeam創(chuàng )始計劃會(huì )員已共同合作并證實(shí)了無(wú)光罩制造方式在45納米及32納米制程節點(diǎn)的測試光罩上獲得成功。

　　相關(guān)檔「Cell Projection Use in Maskless Lithography for 45-nm and 32-nm Logic Nodes」將于2月24日下午2點(diǎn)20分在圣荷西麥肯納吉會(huì )議中心舉辦的「SPIE 先進(jìn)電子束微影制程技術(shù)」會(huì )議，第五場(chǎng):電子束直描(EBDW)議題上發(fā)表。