中國特色IC產(chǎn)業(yè)30年發(fā)展之路
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我國半導體技術(shù)是從1956年起步的。20世紀50年代中期，我國開(kāi)始大規模的經(jīng)濟建設。世界上剛剛興起的半導體技術(shù)引起科技專(zhuān)家的關(guān)注，受到了黨和國家的重視。1956年，周恩來(lái)總理親自主持制定了《1956年至1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規劃綱要》(簡(jiǎn)稱(chēng)十二年科學(xué)規劃)，其中把電子計算機、半導體、超高頻、電子儀器和遙控等電子技術(shù)列為國家重點(diǎn)科技技術(shù)項目。
1956年11月，在半導體專(zhuān)家王守武、林蘭英和武爾禎領(lǐng)導下，中國第一只鍺合金晶體管在北京華北無(wú)線(xiàn)電元件研究所誕生。
在“二五”計劃(1958年-1962年)和三年國民經(jīng)濟調整時(shí)期(1963年-1965年)，根據國民經(jīng)濟發(fā)展和國防建設的需要以及中央“調整、鞏固、充實(shí)、提高”的方針，在電子工業(yè)發(fā)展比較順利的同時(shí)，針對電子工業(yè)的缺門(mén)和薄弱環(huán)節，國家先后投資第一批7.77億元、第二批5.29億元，進(jìn)行了較大規模的基本建設和技術(shù)改造，調整了產(chǎn)品結構，建成了9個(gè)重點(diǎn)電子研究所，大大增強了設計研制能力，取得了不少科技成果。例如：1958年開(kāi)始計算機的研制，并于1959年由中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所研制出我國第一臺電子計算機——— 104型通用電子計算機，字長(cháng)40位，每秒運算1萬(wàn)次。1965年，河北半導體研究所研制成功并定型我國第一塊集成電路(DTL門(mén)電路)，次年又研制并定型了線(xiàn)性集成電路(寬頻帶放大器、中頻前置低噪聲放大器)。上海元件五廠(chǎng)同中科院上海冶金研究所合作，也在1965年試制出PN結隔離的DTL門(mén)電路。1968年，采用這種國產(chǎn)DTL型數字電路研制成功中國第一臺第三代電子計算機。
到了1970年，國內集成電路的年產(chǎn)量已經(jīng)超過(guò)400萬(wàn)塊，產(chǎn)品門(mén)類(lèi)主要是TTL（晶體管-晶體管邏輯電路）系列小規模電路。20世紀70年代初，全國建成集成電路生產(chǎn)企業(yè)40余家。中國第一塊大規模集成電路(LSI)PMOS（P型金屬氧化物半導體）型電路于1972年研制成功。從小規模集成電路(SSI)到大規模集成電路的研制，我國僅用了7年時(shí)間。在此之后，又研制成功NMOS(N型金屬氧化物半導體）電路、CMOS（互補型金屬氧化物半導體）電路。
在國家改革開(kāi)放政策的推動(dòng)下，電子工業(yè)在“六五”計劃期間對集成電路大生產(chǎn)進(jìn)行了有益的探索。1982年10月，國務(wù)院為了加強對全國計算機和大規模集成電路的領(lǐng)導，成立了電子計算機和大規模集成電路領(lǐng)導小組，制定了中國集成電路發(fā)展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業(yè)進(jìn)行改造。1983年我國提出“建立南北兩個(gè)基地和一個(gè)點(diǎn)”。其中，“南方基地”主要指江蘇、上海和浙江，“北方基地”主要指北京、天津和沈陽(yáng)，“一個(gè)點(diǎn)”指西安。江蘇無(wú)錫742廠(chǎng)(江南無(wú)線(xiàn)電器材廠(chǎng))1980年引進(jìn)彩色和黑白電視機用集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，主要生產(chǎn)雙極型消費電子類(lèi)線(xiàn)性電路，1984年產(chǎn)量達3000萬(wàn)塊，并于1986年5月研制成功64KDRAM（動(dòng)態(tài)隨機存儲器）。這一時(shí)期，國內主要集成電路工廠(chǎng)有30余家，技術(shù)人員達5000人左右，1985年集成電路年產(chǎn)量達5300萬(wàn)塊。這一時(shí)期研制成功的新產(chǎn)品還有16KB動(dòng)態(tài)存儲器、4KB靜態(tài)存儲器、高速1KB靜態(tài)存儲器等大規模集成電路。
“七五”計劃期間的重大舉措是實(shí)施“531”工藝技術(shù)發(fā)展戰略，即在此期間普及推廣5微米技術(shù)，重點(diǎn)企業(yè)掌握3微米技術(shù)，開(kāi)展1微米技術(shù)的科技攻關(guān)，并重點(diǎn)部署了無(wú)錫微電子工程項目建設。其中包括建設2微米-3微米大生產(chǎn)線(xiàn)、制板和科研中心。2微米-3微米大生產(chǎn)線(xiàn)1988年開(kāi)工，1993年投入大規模生產(chǎn)。
在“八五”期間建成的華晶集團公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導體公司和首鋼日電電子有限公司等5個(gè)主干企業(yè)，對振興中國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了重要影響。至此，我國從事IC生產(chǎn)的主要工廠(chǎng)有15個(gè)，從事IC研究和設計的單位有25個(gè)，初步形成了集成電路產(chǎn)品設計、芯片制造和封裝測試的產(chǎn)業(yè)結構，從業(yè)人員達3.5萬(wàn)人，其中技術(shù)人員1萬(wàn)人。
1995年我國集成電路年產(chǎn)量近18億塊。但是，我國集成電路的年產(chǎn)量在全球市場(chǎng)中的比例還不到1%，同國際主流水平的差距更大了。
為了滿(mǎn)足國內需要，縮小同國際水平的差距，國家決定先后啟動(dòng)“908工程”和“909工程”。
“908工程”0.8微米-1微米6英寸生產(chǎn)線(xiàn)，從朗訊科技公司引進(jìn)，具備月投6000片6英寸圓片的生產(chǎn)能力，1995年動(dòng)工，1998年1月驗收。
“909工程”8英寸、0.5微米深亞微米芯片大生產(chǎn)線(xiàn)，從日本NEC公司引進(jìn)，投資100億元，1996年4月動(dòng)工，1999年2月投產(chǎn)，技術(shù)檔次從原計劃的0.5微米提升到0.35微米-0.24微米，生產(chǎn)的64兆、128兆SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器）存儲器達到當時(shí)的國際主流水平。這條生產(chǎn)線(xiàn)的建成投產(chǎn)，標志著(zhù)我國集成電路大生產(chǎn)技術(shù)邁進(jìn)8英寸、深亞微米的國際水平。
由此可以看出，在國家大力推動(dòng)集成電路發(fā)展有關(guān)政策的指導下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個(gè)快速成長(cháng)的新時(shí)期，大量資金的投入是催生快速成長(cháng)的主要動(dòng)力。
據不完全統計，2000年-2007年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)投入資金多達290億美元，是2000年以前30年間投資總和的9倍左右。2000年-2007年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)規模迅速擴大，技術(shù)水平顯著(zhù)提高，年均增長(cháng)率達到30%左右。2007年集成電路產(chǎn)量達到411.6億塊，銷(xiāo)售額達1251億元。
這些發(fā)展和成就，令業(yè)界人士振奮，但我國集成電路產(chǎn)業(yè)同國際主流水平的差距仍然很大，投資力度不大仍然是制約我國集成電路產(chǎn)業(yè)持續發(fā)展的瓶頸。我國集成電路產(chǎn)業(yè)期盼籌措更多的資金，節節推進(jìn)規?；笊a(chǎn)，進(jìn)一步完善創(chuàng )新體制，研發(fā)更多擁有自主知識產(chǎn)權的新產(chǎn)品，在推進(jìn)信息化和工業(yè)化融合的大潮中，走出一條有中國特色的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路，在整個(gè)價(jià)值鏈中體現自己不可或缺的價(jià)值。
借鑒微軟“黑屏”計劃事件的警示，我國半導體專(zhuān)家和信息安全專(zhuān)家繼續思考著(zhù)電子系統產(chǎn)品和互聯(lián)網(wǎng)的信息安全的問(wèn)題，思考著(zhù)“后門(mén)”的安全隱患問(wèn)題。
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