低壓差穩壓器選擇

摘要：本文介紹低壓差穩壓器（LDO）的基本結構和使用技巧以確保其穩定工作。我們還討論ADI公司LDO系列產(chǎn)品的設計特點(diǎn)，這些特點(diǎn)可提供一種保持動(dòng)態(tài)穩定性和直流（DC）穩定性的靈活方法。

關(guān)鍵詞：LDO；ADI；直流穩定性；穩壓器

　　穩壓器用于提供一種不隨負載阻抗、輸入電壓、溫度和時(shí)間變化而變化穩定的電源電壓。低壓差穩壓器因其能夠在電源電壓（輸入端）與負載電壓（輸出端）之間保持微小壓差而著(zhù)稱(chēng)。例如，如果鋰電池電壓從4.2 V（全充電）下降到2.7 V（幾乎全放電），而LDO可在負載端保持2.5 V恒定電壓。便攜式應用的日益增加使得設計工程師考慮使用LDO保持所需的系統電壓，而與電池充電狀態(tài)無(wú)關(guān)。便攜式系統不是受益于LDO的唯一應用，任何需要穩定恒定電壓，同時(shí)使上流電源電壓最?。ɑ蛘吣芴幚砩狭麟娫创蠓炔▌?dòng)）的設備都可以考慮使用LDO。典型實(shí)例包括使用數字和射頻（RF）負載的電路。

　　“線(xiàn)性”串聯(lián)穩壓器（見(jiàn)圖1）通常包括一個(gè)基準電壓源、一個(gè)比例輸出電壓與基準電壓比較環(huán)節、一個(gè)反饋放大器和一個(gè)串聯(lián)調整管組成（雙極型晶體管或FET管）組成，用放大器控制穩壓器的壓降維持要求的輸出電壓值。例如，如果負載電流下降，會(huì )引起輸出電壓顯著(zhù)上升，誤差電壓增大，放大器的輸出上升，調整管兩端的電壓會(huì )增加，因此輸出電壓回到其原始值。

圖1  基本的增強型PMOS LDO

　　在圖1中，誤差放大器和PMOS晶體管構成壓控電流源。輸出電壓VOUT按分壓比（R1，R2）成比例下降，并且將其與基準電壓（VREF）比較。誤差放大器的輸出控制增強型PMOS晶體管。

　　穩壓器的“壓差”是指輸出電壓與輸入電壓之間的壓差，如果此輸入電壓繼續減小那么該電路便不能穩壓。通常認為當輸出電壓下降到低于標稱(chēng)值100 mV時(shí)是達到的目標。表征這LDO穩壓器的關(guān)鍵指標取決于負載電流和調整管的PN結溫度。

　　壓差對穩壓器分為三類(lèi)：標準穩壓器、準LDO和LDO 。

　　標準穩壓器，通常使用NPN調整管，通常輸出管的壓降大約為2V。

　　準LDO穩壓器，通常使用達林頓復合管結構（見(jiàn)圖2）以便實(shí)現由一只NPN晶體管和一只PNP晶體管組成的調整管。這種復合管的壓降，VSAT (PNP)＋VBE (NPN) 通常大約為1V —比LDO高但比標準穩壓器低。

圖2  準LDO電路

　　LDO穩壓器通常根據壓差要求作最佳選擇，通常壓差在100 mV～200 mV 范圍。然而，LDO的缺點(diǎn)是其接地引腳的電流通常比準LDO或標準穩壓器大。

　　標準穩壓器比其它類(lèi)型穩壓器具有較大的壓差，較大的功耗和較低的效率。大多數情況下可使用LDO穩壓器代替標準穩壓器，但是應該考慮到LDO穩壓器的最大輸入電壓指標比標準穩壓器低。此外，有些LDO需要精心挑選外部電容器以保持穩定性。這三種類(lèi)型穩壓器在帶寬和動(dòng)態(tài)穩定性考慮因素方面也有些不同。

如何選擇最佳穩壓器

　　為特定的應用選擇合適的穩壓器，需要考慮輸入電壓的類(lèi)型和范圍（例如穩壓器前面的DC/DC變換器或開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓）。其它重要考慮因素是：需要的輸出電壓、最大負載電流、最小壓差、靜態(tài)電流和功耗。通常，穩壓器的附加功能可能很有用，例如待機引腳或指示穩壓失效的錯誤標志。

　　為了選擇合適類(lèi)型的LDO，需要考慮輸入電壓源。在電池供電應用中，當電池放電時(shí)，LDO必須維持所需的系統電壓。如果DC輸入電壓是由經(jīng)過(guò)整流的AC電源提供，那么壓差并不重要，因此標準穩壓器可能是更好的選擇，因為其更價(jià)格較低并且可以提供較大的負載電流。但是如果需要較低功耗或較精密的輸出電壓，則LDO是合適的選擇。

　　當然，穩壓器應該在最壞工作環(huán)境達到規定精度的條件下能夠為負載提供足夠大的電流。

LDO結構

　　在圖1中，調整管是PMOS晶體管。然而，穩壓器可能使用各種類(lèi)型的調整管，因此可以根據所使用的調整管類(lèi)型對LDO分類(lèi)。不同結構和特性的LDO具有不同的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。四種類(lèi)型調整管示例如圖3所示，包括NPN雙極型晶體管、PNP雙極型晶體管、復合晶體管和PMOS晶體管。

圖3  調整管示例

　　對于給定的電源電壓，雙極型調整管可提供最大的輸出電流。PNP優(yōu)于NPN，因為PNP的基極可以與地連接，必要時(shí)使晶體管完全飽和。NPN的基極只能與盡可能高的電源電壓連接，從而使最小壓降限制到一個(gè)VBE結壓降。因此，NPN管和復合調整管不能提供小于1V的壓差。然而它們在需要寬帶寬和抗容性負載干擾時(shí)非常有用（因為它們具有低輸出阻抗ZOUT特性）。

　　PMOS和PNP晶體管可以快速達到飽和，從而能使調整管電壓損耗和功耗最小，從而允許用作低壓差、低功耗穩壓器。PMOS調整管可以提供盡可能最低的電壓降，大約等于RDS(ON)×IL。它允許達到最低的靜態(tài)電流。PMOS調整管的主要缺點(diǎn)是MOS 晶體管通常用作外部器件—特別當控制大電流時(shí)—從而使IC構成一個(gè)控制器，而不能構成一個(gè)自身完整的穩壓器。

一個(gè)完整穩壓器的總功耗是

PD = (VIN – VOUT) IL + VINIGND

　　上面關(guān)系式的第一部分是調整管的功耗；第二部分是電路控制器部分的功耗。有些穩壓器的接地電流，特別是那些用飽和雙極型晶體管作調整管的穩壓器，會(huì )在上電期間達到峰值。

確保LDO動(dòng)態(tài)穩定性

　　適合普通應用的傳統LDO穩壓器設計存在穩定性問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題是由于反饋電路的性能、多種可能的負載、環(huán)路中元件的變化和難于獲得具有一致性參數的精密補償。下面將討論這些考慮因素。LDO通常使用一個(gè)反饋環(huán)路在輸出端提供一個(gè)與負載無(wú)關(guān)的恒定電壓。因為對于任何高增益反饋環(huán)路來(lái)說(shuō)，環(huán)路增益傳遞函數中極點(diǎn)和零點(diǎn)的位置都決定其穩定性。

　　基于NPN管的穩壓器具有低阻抗射極負載輸出，傾向于對輸出容性負載很不敏感。然而，基于PNP管和PMOS管的穩壓器具有較大的輸出阻抗（在基于PNP管的穩壓器中具有高阻抗集電極負載）。此外，環(huán)路增益和相位特性強烈依賴(lài)負載阻抗，因此對于穩定性問(wèn)題需要特別考慮。

　　基于PNP管的LDO和基于PMOS管的LDO的傳遞函數具有幾個(gè)影響穩定性的極點(diǎn)：

　　·主極點(diǎn)（圖4中的P0）由誤差放大器決定；它是由放大器的gm通過(guò)內部補償電容CCOMP一起控制和確定的。主極點(diǎn)對上述所有LDO結構都是共同的。

　　·第二極點(diǎn)（P1）由輸出電抗（指輸出電容和負載電容以及負載阻抗）決定。這使得應用問(wèn)題更難處理，因為這些電抗會(huì )影響環(huán)路的增益和帶寬。

　　·第三極點(diǎn)（P2）由調整管附近的寄生電容決定。在相同條件下，PNP功率晶體管的單位增益頻率（fT）比NPN晶體管的fT低很多。

圖4  LDO的幅頻響應。

　　如圖4所示，每個(gè)極點(diǎn)產(chǎn)生每10倍頻程20dB的增益下降并且伴隨90 °的相移。因為這里所討論的LDO有多個(gè)極點(diǎn)，所以如果單位增益頻率處的相移達到－180 °，線(xiàn)性穩壓器會(huì )變得不穩定。圖4還示出了容性負載對穩壓器的影響，其等效串聯(lián)電阻（ESR）會(huì )在傳遞函數中增加一個(gè)零點(diǎn)（ZESR）。該零點(diǎn)有助于補償其中一個(gè)極點(diǎn)，并且如果該極點(diǎn)出現在單位增益頻率以下時(shí)有助于穩定環(huán)路并且保持相應頻點(diǎn)的相移低于－180 °。

　　ESR對于維持穩定性可能是至關(guān)重要的，特別對于使用縱向PNP調整管的LDO。然而，由于電容器的寄生特性，所以ESR不總是好控制。電路可能需要ESR集中在某個(gè)窗口范圍內以確保LDO工作在對于所有輸出電流都穩定的區域（見(jiàn)圖5）。

圖5  穩定性隨輸出電流IOUT和負載電容的ESR變化。

　　雖然原則上選擇具有合適ESR的合適電容器（要求頻率響應曲線(xiàn)在穿過(guò)0 dB之前下降得足夠快，并且在達到相關(guān)極點(diǎn)P2之前向低于0 dB增益方向減小得足夠滿(mǎn)）非常困難。實(shí)際考慮還會(huì )增加更多的困難：ESR隨著(zhù)產(chǎn)品型號變化；大批量生產(chǎn)使用的最小電容值需要進(jìn)行基準測試，包括最小環(huán)境溫度和最大負載的極端條件。電容器類(lèi)型的選擇也很重要。最合適的電容器是鉭電解電容器，盡管具有大容量的鉭電解電容器尺寸很大。鋁電解電容器的尺寸很小，但其ESR在低溫時(shí)會(huì )變差，并且在－30 °C以下無(wú)法正常工作。多層陶瓷電容類(lèi)型無(wú)法為普通的LDO提供足夠的電容，但是它們這種穩定的低電容適合于新型LDO。