多種技術(shù)破解電磁干擾難題 D類(lèi)放大器市場(chǎng)前景看好
系統需求決定集成程度
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/87482.htm●便攜式應用促進(jìn)器件集成度提高
●系統設計應兼顧靈活性
王新成 功能整合是降低IC成本、增強產(chǎn)品競爭力的必然做法。目前Δ-Σ方式的D 類(lèi)放大器集成在藍牙耳機、MP3播放器、音頻編解碼器和USB(通用串行總線(xiàn))音頻等線(xiàn)寬小于0.25μm的混合型芯片中,輸出功率都不大,以驅動(dòng)耳機和線(xiàn)路輸出為主。模擬自振蕩和三角波比較方式的D類(lèi)放大器多集成在PMU(電源管理單元)、LED(發(fā)光二極管)驅動(dòng)、音樂(lè )門(mén)鈴等線(xiàn)寬 0.5μm~1.2μm的芯片中,輸出功率不超過(guò)2.5W.這些產(chǎn)品對0.5W~2W輸出功率的D類(lèi)放大器市場(chǎng)有沖擊,但對大功率D類(lèi)放大器市場(chǎng)沒(méi)有影響。
一些D類(lèi)放大器內置了PWM調制器和功率MOS(金屬-氧化物-半導體)管,這使得器件的外圍電路較為簡(jiǎn)單,在PCB板上所占的面積較小,使用比較方便,其缺點(diǎn)是不易實(shí)現個(gè)性化設計,輸出功率也不能隨意改變。調制器和功率MOS管分立的 D類(lèi)放大器由于應用比較靈活,系統工程師可以發(fā)揮自己的創(chuàng )造力,通過(guò)變通外圍電路和選擇不同的器件,設計出與眾不同的產(chǎn)品。
林欣欣 移動(dòng)基帶芯片組一直有一個(gè)或多個(gè)音頻放大器,但這些集成音頻放大器的使用僅局限于那些音頻輸出功率和聲音質(zhì)量并非至關(guān)重要的移動(dòng)設備。由于MP3音樂(lè )的流行,聲音質(zhì)量成為移動(dòng)設備的重要賣(mài)點(diǎn),高輸出功率能力、低失真、無(wú)“噼啪 -滴答”噪聲等性能優(yōu)異的獨立式音頻放大器將在中檔音樂(lè )手機中維持相當大的市場(chǎng)份額。但對于擁有多個(gè)音頻源和多路音頻輸出的較高檔多媒體手機而言,情況則大不相同,因為這些手機需要高質(zhì)量的音頻處理和放大。由于這類(lèi)便攜設備的空間極為有限,諸如音頻管理子系統的集成解決方案正在贏(yíng)得更大的市場(chǎng)份額。
羅姆專(zhuān)家 以手機為代表的便攜式產(chǎn)品對于小型、輕量化的要求很高,D類(lèi)放大器和 LED驅動(dòng)器、LDO(低壓差線(xiàn)性穩壓器)等單片化的要求的確存在。但小型、輕量化的方向未必一定要單片化。比如,羅姆的CSP(芯片級封裝)技術(shù)可使實(shí)裝面積大幅縮小,基板布線(xiàn)也非常方便,另外,由于工作特性影響引起的噪音問(wèn)題也得以解決。
羅姆的D類(lèi)放大器系列中,PWM調制器、柵極驅動(dòng)、功率輸出三極管、保護電路等必要電路全部集成于一個(gè)芯片中。對整機來(lái)說(shuō),具有進(jìn)行簡(jiǎn)單設計即可實(shí)現動(dòng)作的優(yōu)點(diǎn)。通常認為揚聲器輸出在100W以下時(shí),單片電路可以有效工作,如果揚聲器輸出功率超過(guò)100W,從輸出三極管的耐壓和特性方面考慮,需要多個(gè)柵極驅動(dòng)器和輸出三極管共同構成。
郭俊杰 實(shí)際應用時(shí),輸出功率較低的放大器必須將輸出級內置于芯片之中,以便縮小器件體積。部分輸出功率較高的D類(lèi)放大器必須加設另一輸出級,以提高電流/電壓輸出,因此這類(lèi)放大器必須采用分立的MOSFET(金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管),才可提高電流/電壓輸出。
張 揚 為了節省電路板空間,一些D類(lèi)放大器在芯片上內置MOSFET,這對便攜式應用非常重要;其缺點(diǎn)是輸出功率被固定,而且會(huì )受到允許功耗的限制。更大型的設備,通常采用外部MOSFET,因為這樣可以增加靈活性。
彌補電磁干擾“短板”
●多種技術(shù)緩解電磁干擾
●根據器件需求選擇濾波方式
張揚 所有的D類(lèi)調制技術(shù)都是將音頻信號編碼至脈沖流。最常見(jiàn)的技術(shù)是PWM.PWM技術(shù)之所以受到青睞,是因為它在數百千赫茲的載頻下具有100dB或以上的音頻帶信噪比(SNR)——這么低的噪聲足以限制輸出級的開(kāi)關(guān)損耗。此外,調制器能實(shí)現幾乎100%的調制穩定度,允許高輸出功率。
羅姆專(zhuān)家 D類(lèi)放大器由高電壓輸出PWM調制的信號,開(kāi)關(guān)頻率雖只有數百千赫茲,但其高頻成分可以延伸至數百兆赫茲。這些噪音會(huì )通過(guò)電源線(xiàn)、揚聲器線(xiàn)傳播,引起整機產(chǎn)生電磁輻射干擾噪音。
羅姆的D類(lèi)放大器對高電壓的開(kāi)關(guān)輸出電路采用最優(yōu)化控制,強化對輸出信號波形的過(guò)沖、下沖及伴隨而來(lái)的振鈴波形的抑制,從而實(shí)現輻射噪聲的降低。另外,通常情況下D類(lèi)放大器的開(kāi)關(guān)輸出之后,由PWM調制的信號需要恢復成模擬信號,需要設置低通濾波器。羅姆的D類(lèi)放大器,在手機及其他揚聲器線(xiàn)材較短的機器中,上述的低通濾波器可以省略,能夠使外圍元件數量得以減少。魏智 美信通過(guò)對D類(lèi)放大器的開(kāi)關(guān)頻率加抖實(shí)現擴譜調制,實(shí)際開(kāi)關(guān)頻率相對于標稱(chēng)開(kāi)關(guān)頻率的變化范圍可達到±10%.盡管開(kāi)關(guān)波形的各個(gè)周期會(huì )隨機變化,但占空比不受影響,因此輸出波形可以保留音頻信息。擴譜調制有效拓寬了輸出信號的頻譜能量,而不是使頻譜能量集中在開(kāi)關(guān)頻率及其各次諧波上。換句話(huà)說(shuō),輸出頻譜的總能量沒(méi)有變,只是重新分布在更寬的頻帶內。這樣就降低了輸出端的高頻能量峰,因而將揚聲器電纜的EMI輻射降至最低。雖然一些頻譜噪聲可能由擴譜調制引入音頻帶寬內,但這些噪聲可以被反饋環(huán)路的噪聲整形功能抑制掉。美信的很多免濾波器D類(lèi)放大器還允許開(kāi)關(guān)頻率同步至一個(gè)外部時(shí)鐘信號,因此用戶(hù)可以將放大器開(kāi)關(guān)頻率設置到相對不敏感的頻率范圍內。
美信的新一代D類(lèi)音頻功率放大器采用了相同的擴譜調制技術(shù),并在這項技術(shù)的基礎上增加了一項新的、正在申請專(zhuān)利的有源輻射抑制電路(AEL),在不降低音頻性能的情況下進(jìn)一步降低窄帶頻譜分量。
郭俊杰 美國國家半導體有一系列無(wú)需濾波器的D類(lèi)放大器,以擴展頻譜及增強版電波輻射抑制(E2S)技術(shù)為例,利用創(chuàng )新的技術(shù),可將電磁干擾的影響減至最少。設計工程師只要采用已引進(jìn)這些新技術(shù)的D類(lèi)放大器,便不用擔心電磁波干擾器件的運作。
此外,放大器若內置擴展頻譜調制電路,便無(wú)需加設輸出濾波器、磁珠或扼流圈。開(kāi)關(guān)頻率會(huì )在中心頻率的上下波動(dòng),波幅約為±30%.這樣可減少爭用寬帶頻譜,確保揚聲器、相關(guān)電纜及電路板走線(xiàn)所產(chǎn)生的電波輻射進(jìn)一步減少。相對來(lái)說(shuō),固定開(kāi)關(guān)頻率D類(lèi)放大器會(huì )有較大量的電波輻射,若電磁波的頻率剛好是開(kāi)關(guān)頻率的倍數,創(chuàng )新的擴展頻譜技術(shù)可將電磁波輻射擴散至一個(gè)較大的頻帶范圍內。開(kāi)關(guān)頻率的周期性波幅不會(huì )影響音頻信號的復制及轉換效率。
E2S技術(shù)可以減少電磁干擾,確保復制的音頻信號準確無(wú)誤,而且還可進(jìn)一步提高轉換效率。由于E2S技術(shù)能夠有效抑制輸出噪聲,因此輸出方波的高頻成分大致上可以全部濾除,而另一方面又可大量減少“THD+N”,并且大幅提高轉換效率。由于D類(lèi)放大器采用E2S技術(shù),可確保“THD+N”低至只有0.03%,轉換效率也可高達88%.
張洪為 目前,有一些其他的調制技術(shù)如PFM(脈沖頻率調制)或類(lèi)似Δ-Σ調制類(lèi)型的非定頻PWM技術(shù)在D類(lèi)放大器中采用,但是PFM的寬范圍變頻給濾波器設計帶來(lái)困難,類(lèi)似Δ-Σ調制類(lèi)型的非定頻PWM只能實(shí)現1階Δ-Σ環(huán),好處有限,對時(shí)鐘抖動(dòng)和電源噪聲卻很敏感,使用并不廣泛。
由于D類(lèi)放大器使用的頻率一般在250kHz~500kHz之間,遠低于30MHz,對喇叭的輸出還可以采用雙絞線(xiàn),EMI的影響遠低于一般想象。因此,我們建議小功率D類(lèi)功放不加濾波器。
王新成 PWM技術(shù)在D類(lèi)放大器中起著(zhù)決定性的作用,目前幾乎所用的集成D類(lèi)放大器都是基于PWM技術(shù)的,包括全數字Δ-Σ過(guò)采樣方式的D類(lèi)放大器,它的核心技術(shù)是PCM(脈沖編碼調制)-PWM的轉換算法。PDM(脈沖密度調制)是另一個(gè)很有前途的方法,因為它具有更優(yōu)良的EMI性能和更好的音質(zhì),但要求載波頻率必須高于2MHz以上,用目前的工藝難以解決開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題。
華潤矽威設計的PT5305、PT5306、PT5326全部采用了無(wú)LC(電感-電容)濾波器技術(shù),EMI傳導噪聲比傳統方式低12dB,可以替代AB類(lèi)放大器。這些器件除效率是AB類(lèi)放大器的2.3倍之外,還具有比AB類(lèi)放大器更好的音質(zhì)。
林欣欣 由于D類(lèi)放大器利用動(dòng)態(tài)揚聲器的寄生電感和電容作為低通濾波器,市場(chǎng)上的產(chǎn)品大多都是“無(wú)濾波器”設計。但是,這沒(méi)有免除在放大器輸出上進(jìn)行EMI濾波的需要。無(wú)論D類(lèi)放大器采用的是何種調制技術(shù),它始終會(huì )在輸出端產(chǎn)生開(kāi)關(guān)信號。這開(kāi)關(guān)信號如果未被濾除,將沿著(zhù)輸出和接地跡線(xiàn)傳播至系統的其他部分。安森美半導體建議音頻設計須留心EMI濾波和PCB布線(xiàn)設計兩方面的問(wèn)題。 EMI濾波器應能消除可能與高于700 MHz RF頻率產(chǎn)生干擾的信號。常見(jiàn)的EMI濾波器解決方案是在D類(lèi)放大器的每路輸出增加鐵氧體片式磁珠,其中磁珠的位置應該越接近放大器的輸出引腳越好。
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