中芯國際和新思科技共同開(kāi)發(fā)出了基于0.13微米工藝的設計參考流程2.0

    世界領(lǐng)先的半導體設計軟件供應商新思科技有限公司今天宣布其已經(jīng)和中國大陸最大的芯片代工廠(chǎng)中芯國際 (NYSE: SMI; SEHK: 0981.HK) 共同開(kāi)發(fā)出了基于 0.13微米工藝的設計參考流程2.0。中芯國際和新思科技緊密合作，完成了從 RTL 到 GDSII 的設計流程。該流程基于新思科技的 Galaxy(TM) 設計平臺和中芯國際先進(jìn)的0.13 微米工藝，不僅解決了在0.13微米工藝設計中遇到的深亞微米設計挑戰，并且縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間和良率達成時(shí)間。 
 
    中芯國際和新思科技參考流程2.0的新增功能中包含了 JupiterXT(TM) 設計布局解決方案。特別是，該方案的電源網(wǎng)絡(luò )綜合 (PNS) 與電源網(wǎng)絡(luò )分析 (PNA) 能力使得在布局階段就可進(jìn)行電源規劃設計。應用了新思科技的 PrimeTime(R) SI，Astro-Xtalk(TM) 和 Astro-Rail(TM) 等工具，該參考流程還具有先進(jìn)的信號完整性 (SI) 和集成電路可靠性 (IR/EM) 的分析能力。這些功能解決了電遷移 (EM) 所帶來(lái)的時(shí)序和可靠性問(wèn)題，避免了通常易出現的電源柵格和電阻增加所導致的電壓下降 (IR-drop) 和對地反彈等問(wèn)題。最后，該流程還引入了電壓下降的分析，使得用戶(hù)可分析其對于時(shí)序、性能、功能、抗干擾性能的影響，并能夠對 IC 的可靠性進(jìn)行分析，從而找到不同問(wèn)題的折中方案。 
 
    “中芯國際自2004年上半年開(kāi)始為全球客戶(hù)提供0.13微米 CMOS 量產(chǎn)工藝。參考流程2.0更進(jìn)一步提供給客戶(hù)完整的、驗證過(guò)的設計方案，包括了先進(jìn)的布局、信號完整性失效和集成電路可靠性的分析，對0.13 微米工藝的設計具有重要意義?！?nbsp;中芯國際設計服務(wù)處副總裁歐陽(yáng)雄（Paul Ouyang）介紹，”參考流程2.0的開(kāi)發(fā)是建立在第一個(gè)版本的成功與合作的基礎上。我們期待在工藝持續發(fā)展的過(guò)程中和新思科技 持續保持愉快的合作關(guān)系?！?nbsp;
 
    “中芯國際和新思科技都是大唐微電子的關(guān)鍵技術(shù)合作伙伴。兩家公司合作開(kāi)發(fā)的參考設計流程中新增功能可以被我們的工程師使用，幫助我們縮短設計時(shí)間并加速達到預期良率?！?nbsp;大唐微電子技術(shù)公司總經(jīng)理趙倫表示，“中芯國際提供的完整工藝組合，和來(lái)自新思科技驗證過(guò)的設計方案對于實(shí)現我們先進(jìn)的設計需求至關(guān)重要?！?nbsp;
 
   “與中芯國際的緊密合作使我們能夠提供這個(gè)參考流程，來(lái)解決中國市場(chǎng)持續增長(cháng)的先進(jìn)深亞微米工藝需求?！毙滤伎萍嫉膽鹇允袌?chǎng)開(kāi)發(fā)副總裁 Rich Goldman 表示， “新思科技 會(huì )繼續與中芯國際合作，幫助他們的客戶(hù)應用經(jīng)過(guò)驗證的設計流程，來(lái)縮短完成復雜的 IC 及系統設計的時(shí)間?！?/span>