世界物理學(xué)家中國半導體宗師黃昆在京逝世

　　世界著(zhù)名物理學(xué)家、中國固體物理學(xué)和半導體物理學(xué)的奠基人之一、中國科學(xué)院院士、2001年度 國家最高科學(xué)技術(shù)獎獲得者，中國科學(xué)院半導體研究所名譽(yù)所長(cháng)黃昆院士因病醫治無(wú)效，于2005年7月6日16時(shí)18分在北京逝世，享年86歲。 

　　黃昆院士，1919年9月出生于北京，1941年畢業(yè)于燕京大學(xué)物理系。1945年赴英國留學(xué)，1948年獲英國布里斯托大學(xué)哲學(xué)博士學(xué)位，1949年—1951年在英國利物浦大學(xué)理論物理系任博士后研究員，1951年—1977年在北京大學(xué)物理系任教授，1977年—1983年任中國科學(xué)院半導體研究所所長(cháng)，1983年至今，任名譽(yù)所長(cháng)。1987年—1991年曾任中國物理學(xué)會(huì )理事長(cháng)。他先后被選為中國科學(xué)院學(xué)部委員，瑞典皇家科學(xué)院外籍院士，第三世界科學(xué)院院士。 

　　黃昆院士對固體物理學(xué)作出了許多開(kāi)拓性的重大貢獻，是我國固體物理學(xué)和半導體物理學(xué)的奠基人之一。他從理論上預言了與晶格中雜質(zhì)有關(guān)的X光漫散射，以后被稱(chēng)為“黃散射”。他的多聲子躍遷理論，以“黃—里斯因子”而著(zhù)稱(chēng)于世。他提出關(guān)于描述晶體中光學(xué)位移、宏觀(guān)電場(chǎng)與電極化三者關(guān)系的“黃方程”和由此引伸的電磁波與晶格振動(dòng)的耦合，即后來(lái)稱(chēng)為極化激元的重要概念。他與M.Born合著(zhù)的《晶格動(dòng)力學(xué)理論》一書(shū)，是一部有世界影響的經(jīng)典性科學(xué)專(zhuān)著(zhù)。他的理論對信息產(chǎn)業(yè)（特別是光電子產(chǎn)業(yè)）具有重要的現實(shí)指導意義，產(chǎn)生著(zhù)越來(lái)越深遠的影響。近年來(lái)，他與合作者對半導體超晶格的電子態(tài)和聲子模開(kāi)展了系統而富有成效的研究。從“黃散射”到“黃方程”，從“黃—里斯因子”到“玻恩和黃”，以至“黃—朱模型”，黃昆院士在固體物理學(xué)發(fā)展史上建樹(shù)了一塊塊豐碑。