IR推出新型高性能2通道120W D類(lèi)音頻放大器

    IR推出D類(lèi)音頻功率放大器參考設計IRAUDAMP4。與典型的電路設計相比，新型參考設計可幫助設計人員為適用于家庭影院應用、專(zhuān)業(yè)放大器、樂(lè )器和汽車(chē)娛樂(lè )系統的所有中壓范圍的中高功率放大器節省50%的PCB占板面積。

　　IR 亞太區高級銷(xiāo)售副總裁曾海邦表示：“這種參考設計可在60W 、4Ω時(shí)提供0.004%的THD+N，顯示出IR先進(jìn)的硅技術(shù)可讓用戶(hù)利用D類(lèi)拓撲結構獲得最佳的音頻性能?！?

　　與IR的200V數字音頻驅動(dòng)IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數字音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設計，是一種2通道、120W 半橋設計，在120W 、4Ω條件下可實(shí)現96%的效率。該設計也結合了多種關(guān)鍵保護功能，包括過(guò)流保護、過(guò)壓保護、欠壓保護、直流保護、過(guò)熱保護等。新設計還提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信號處理的+/- 5V電源，用于D類(lèi)柵極驅動(dòng)級的 -B作參考的+12V電源 (Vcc)。這個(gè)2通道設計可擴展功率及通道數目，在正常運行情況下無(wú)需使用散熱器。

　　新參考設計基于的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅動(dòng)IC設計，具有特別  
為D類(lèi)音頻放大器應用設計的浮動(dòng)PWM輸入。其雙向電流檢測可在無(wú)需外置分流電阻的情況下，在正及負的負載電流條件下監測過(guò)流狀況。內置的保護控制模塊可提供針對過(guò)流條件的安全保護程序和可編程復位定時(shí)器。內置死區時(shí)間生成模塊則有助于精確的柵極開(kāi)關(guān)，最佳死區時(shí)間設置可提供更佳的音頻性能，例如較低的總諧波失真 (THD) ，以及較低的音頻背景噪聲。

　　配合新參考設計使用的IRF6645功率MOSFET，為IR DirectFET系列的成員。創(chuàng )新的DirectFET封裝技術(shù)通過(guò)減少引線(xiàn)電感提升了開(kāi)關(guān)性能，并降低了EMI噪聲，從而增強了D類(lèi)音頻放大器電路的性能。其較高的熱效率有助于實(shí)現在4Ω阻抗下的120W 運行，加上無(wú)需使用散熱器，所以不僅能縮小電路尺寸，更可在線(xiàn)路布局方面提供更大的靈活性，同時(shí)降低整個(gè)放大器系統成本。