東芝推出采用56nm工藝的16Gb NAND閃存

 

　　東芝宣布即將推出和美國SanDisk公司共同開(kāi)發(fā)的采用最先進(jìn)５６ｎｍ＊1工藝的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ閃存。１６Gb是單芯片的業(yè)內最大容量＊2。

　　東芝從本月開(kāi)始量產(chǎn)目前市場(chǎng)上主流的８GbNAND閃存，同時(shí)也計劃從今年第二季度的早期開(kāi)始量產(chǎn)１６GbNAND閃存。繼去年底開(kāi)始出廠(chǎng)開(kāi)發(fā)樣品后，今天開(kāi)始將陸續出廠(chǎng)產(chǎn)品樣品。

　　本次新產(chǎn)品采用多值單元（MLC）技術(shù)和改進(jìn)的編程效率，實(shí)現了高容量和高寫(xiě)入性能。采用56nm工藝，實(shí)現了上一代產(chǎn)品（8Gb 70nm工藝）2倍的NAND閃存業(yè)內單芯片最大容量＊2的1６Gb產(chǎn)品。而且一次處理的數據（頁(yè)面）達到數倍增長(cháng)，寫(xiě)入速度也達到了以往MLC產(chǎn)品2倍＊3的１０MB/秒，同時(shí)實(shí)現了大容量化和高速化。

　　東芝公司今后將繼續微細加工、多值化的新技術(shù)開(kāi)發(fā)，同時(shí)也將不斷增強設備、改善生產(chǎn)效率，確保滿(mǎn)足NAND閃存市場(chǎng)需求的供應能力和成本競爭力。