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如何解決電路板的EMI問(wèn)題

作者:■ 美國國家半導體電源管理產(chǎn)品部 Sanjaya Maniktala 時(shí)間:2005-05-08 來(lái)源:eaw 收藏

變壓器與EMI的關(guān)系
系統設計工程師解決棘手的EMI問(wèn)題時(shí),很多時(shí)候都未能認真地研究變壓器的設計。變壓器與EMI之間有如下的關(guān)系。
?由于變壓器的線(xiàn)圈帶有高頻電流,因此變壓器實(shí)際上已成為接收 H 場(chǎng)的天線(xiàn)。這些 H 場(chǎng)會(huì )沖擊附近的走線(xiàn),并通過(guò)這些走線(xiàn)將 H 場(chǎng)傳導或輻射到密封的范圍以外。
?由于部分線(xiàn)圈有擺動(dòng)電壓,因此實(shí)際上它們也成為接收電磁場(chǎng)的天線(xiàn)。
?初級及次級線(xiàn)圈之間的寄生電容可以將噪聲傳送到絕緣層之外。由于次級線(xiàn)圈的接地通常都與底板連在一起,因此這些噪聲又會(huì )通過(guò)這個(gè)接地面傳送回來(lái),成為共模噪聲。因此為了減少泄漏電感,最好將初級及次級線(xiàn)圈緊靠在一起,但這樣也會(huì )增加線(xiàn)圈的互感,從而增加共模噪聲。
下面介紹一些有助于防止上述干擾情況出現的技術(shù)。
?符合安全規格的變壓器都在初級及次級線(xiàn)圈之間貼上三層符合安全規格的聚酯 (Mylar) 膠帶。除了這三層聚酯膠帶之外,可能還會(huì )另外加插一片法拉第屏蔽銅片,以便將匯集在絕緣邊界的噪聲電流收集在一起,并將這些噪聲電流分流到別的地方 (通常會(huì )傳送到初級線(xiàn)圈的接地)。值得留意的一點(diǎn)是,應該采用極薄的銅片作為屏蔽,以免因出現渦流而產(chǎn)生損耗,并確??蓽p少泄漏電感。這片銅片一般厚 2~4 密耳(mil),只環(huán)繞中央盤(pán)一周。另外還有一條導線(xiàn)焊接在銅片中心的附近,而另一端則連接初級線(xiàn)圈的接地端。這里要注意,銅片屏蔽的兩端不應該有電導性能上的連接,因為對于變壓器來(lái)說(shuō),這樣會(huì )令這一繞圈短路。也可以在次級線(xiàn)圈上 (即加了三層絕緣之后) 再加設一個(gè)法拉第屏蔽,而這個(gè)屏蔽則與次級線(xiàn)圈接地連在一起。
?通常變壓器的外圍會(huì )有一層銅片屏蔽(即“磁通帶”)包圍著(zhù)。這個(gè)屏蔽主要用以遮擋輻射。低成本的設計通常會(huì )任由這個(gè)屏蔽浮動(dòng),但如有需要,這個(gè)屏蔽也可與次級線(xiàn)圈接地連在一起。如果按照這個(gè)方式連在一起,便需要考慮一些安全方面的問(wèn)題,例如加強初級及次級線(xiàn)圈之間絕緣效果的規定問(wèn)題,以及如何規定初級至次級線(xiàn)圈之間的“蠕動(dòng)”(沿著(zhù)絕緣面的一段距離)及“間隙”(空間的最短距離)問(wèn)題。如果變壓器的外盤(pán)設有空氣隙,源自空氣隙的周邊磁通會(huì )在磁通帶產(chǎn)生嚴重的渦流損耗。因此這個(gè)磁通帶的厚度通常也只有 2~4 密耳。需要注意,這個(gè)磁通帶的兩端可以而且應該焊接在一起,因為這是外層屏蔽,無(wú)論怎樣也不會(huì )讓變壓器的繞線(xiàn)出現短路情況。但像拉法第屏蔽一樣,如果采用良好的繞線(xiàn)技術(shù),這個(gè)外層屏蔽也可以不用。
?從電磁干擾的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看,回掃變壓器最好采用中央設有間隙的設計,即變壓器的外盤(pán)并無(wú)間隙。無(wú)屏蔽的空氣隙會(huì )在周邊產(chǎn)生電磁場(chǎng),換言之,會(huì )產(chǎn)生大量EMI信號。這些干擾除了會(huì )導致磁通帶產(chǎn)生大量渦流損耗之外,也會(huì )成為強力的輻射源。
?初級線(xiàn)圈通常會(huì )設有一個(gè)輔助線(xiàn)圈,為控制器及相關(guān)電路提供低干線(xiàn)電壓。輔助線(xiàn)圈的其中一端與初級線(xiàn)圈接地連在一起。只在輔助線(xiàn)圈的線(xiàn)軸上繞一層線(xiàn),而且利用一個(gè) 22pF~100pF 的小型陶瓷電容器,再利用交流電將輔助線(xiàn)圈的另一端 (即二極管的一端) 與初級線(xiàn)圈接地耦合在一起,以確保輔助線(xiàn)圈可以收集及轉移更多噪聲(正如圖 1 所示),如果依照以上所說(shuō)進(jìn)行,輔助線(xiàn)圈便可提供多一個(gè)屏蔽 (雖然這是一個(gè)粗糙的法拉第屏蔽)。但實(shí)際上并不需要這個(gè)法拉弟線(xiàn)圈提供任何電流。因此這個(gè)電路根本無(wú)需采用這個(gè)線(xiàn)圈??梢圆捎眉毦€(xiàn)以較疏的間距繞線(xiàn)圈,線(xiàn)的一端連接初級線(xiàn)圈接地,而另一端的 22 pF 小型電容器則直接接地。
?由于場(chǎng)效應晶體管的漏極產(chǎn)生擺動(dòng)電壓,因此最好將初級線(xiàn)圈的這一端盡量埋藏在最底的一層,即應該屬于底層繞線(xiàn)的第一層。外層繞線(xiàn)便可將來(lái)自這層的電磁場(chǎng)屏蔽。這個(gè)線(xiàn)圈的漏極端絕對不應放在靠近“安全屏障”(三層膠帶) 的位置。闖進(jìn)來(lái)的噪聲電流與寄生電容器兩塊銅片之間的凈 dV/dt 成正比。若大幅降低電容,便會(huì )對泄漏電阻造成不利的影響,因此應該盡量減低這個(gè)電容器的凈 dV/dt 值。
?通過(guò)比較圖 1 左邊的結構框圖與右邊的電路圖,便可發(fā)現任何線(xiàn)圈的首尾兩端都有特別的標示。尤其是右邊的電路圖,開(kāi)始的一端全部用黑點(diǎn)標示出來(lái)。以典型的生產(chǎn)流程來(lái)說(shuō),繞線(xiàn)機每一次繞線(xiàn)都采用同樣的旋轉方向,所以所有開(kāi)始端 (以黑點(diǎn)標出的一端) 都有同樣的磁性性能(因此如果某一黑點(diǎn)處于高位,其它黑點(diǎn)也同時(shí)處于高位,這與另一端的表現不同)。若細心留意其中的真實(shí)距離,便會(huì )發(fā)現某一線(xiàn)圈的每一黑點(diǎn)端都很靠近下一線(xiàn)圈的無(wú)黑點(diǎn)端。
?換言之,以圖 1 的回掃變壓器來(lái)說(shuō),次級線(xiàn)圈的二極管端一定靠近安全屏障。因此雖然次級線(xiàn)圈會(huì )產(chǎn)生一部分 dV/dt ,但初級線(xiàn)圈只有極小的 dV/dt,令屏障兩邊只產(chǎn)生極小的凈 dV/dt。這個(gè) dV/dt 值會(huì )比初級線(xiàn)圈漏極靠近安全屏障的數值小得多。若變壓器線(xiàn)圈的繞線(xiàn)方式有錯,即圖 1 所示的首尾兩端以反方向繞線(xiàn),便會(huì )出現初級線(xiàn)圈漏極靠近安全屏障的情況。若采用這種設計,便會(huì )有大量的共模噪聲直接闖入底板/接地。
?圖 1 的變壓器有它的優(yōu)點(diǎn),那就是次級線(xiàn)圈的無(wú)噪聲端 (接地) 屬于最外層。這一層形成一個(gè)很好的屏蔽,因此可以無(wú)需采用銅片屏蔽環(huán)繞該線(xiàn)圈。
?可以利用同樣的原理解釋正向轉換變壓器的操作,但由于受到前述線(xiàn)圈的擺設次序所限,令初級及次級線(xiàn)圈的無(wú)噪聲端自動(dòng)分隔在安全屏障的兩邊。從傳導電磁干擾的角度來(lái)看,這個(gè)安排較好,因為極少噪聲會(huì )通過(guò)寄生電容闖入線(xiàn)圈。但最外層已不再屬于無(wú)噪聲區,而且可能會(huì )有輻射問(wèn)題出現。在這樣的情況下,必須采用屏蔽將線(xiàn)圈包藏起來(lái)。
?正向轉換器外層輻射問(wèn)題有一個(gè)解決的辦法。即要求制造商將次級線(xiàn)圈 (只限于次級線(xiàn)圈) 的繞線(xiàn)方向反過(guò)來(lái)。例如,繞線(xiàn)機一直按照順時(shí)針?lè )较蜻M(jìn)行繞線(xiàn),但到次級線(xiàn)圈時(shí),可以按反時(shí)針?lè )较蚶@線(xiàn)。若按照這個(gè)方式繞線(xiàn),以上所說(shuō)有關(guān)回掃變壓器的運作原理也適用于正向轉換變壓器,令轉換器的外層在沒(méi)有屏蔽時(shí)也不會(huì )受輻射干擾。
?正向轉換變壓器并無(wú)空氣隙,即使有,這個(gè)空間也很窄小,因此它是低噪聲變壓器。此外,也可按照鄰近效應的分析,將線(xiàn)圈交錯排列,以便大幅減少能產(chǎn)生泄漏磁通及EMI的磁力。
?將晶體管安裝在底板之上時(shí),可以嘗試將散熱片的電容感生電流消除。辦法是采用另一線(xiàn)圈,其匝數與主線(xiàn)圈相同,但相位相反,而線(xiàn)圈的繞線(xiàn)可以更為細小。
棒式電感器經(jīng)常用于輸出端的濾波后 LC 級。由于這些電感器采用開(kāi)放式結構,因此一直稱(chēng)為“電磁干擾大炮”。由于這類(lèi)棒式電感器成本較低,而且占用較少空間,因此至今仍然有人使用。但它們應垂直放置,若兩條棒式電感器同樣用于某一輸出,則應該采用相同的繞線(xiàn)方式將繞線(xiàn)繞在兩條棒上,然后將印刷的設計稍加修改配合,使兩條棒的電流以截然相反的方向流動(dòng)。這樣有助于將某一電感器的磁通直接耦合到另一電感器,確保不會(huì )有太多磁通溢出。

布局設計
應小心審視每一布局,以確定印刷哪一部分走線(xiàn)最具關(guān)鍵作用。啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí),電流若突然間開(kāi)始或停止流動(dòng),往往會(huì )令走線(xiàn)產(chǎn)生電感尖峰。每一次過(guò)渡時(shí),這一部分走線(xiàn)會(huì )產(chǎn)生極高的 dI/dt 尖峰電流。根據以往的經(jīng)驗,即每一英寸走線(xiàn)有 20nH電感,電壓尖峰可以利用方程式 V=L(dI/dt) 計算出來(lái)。這些高頻電流環(huán)路的面積必須盡量縮小,因為這些電流不但會(huì )產(chǎn)生EMI,而且還會(huì )闖入內置式開(kāi)關(guān)穩壓器的控制電路,令操作出現錯誤。
構思設計時(shí)必須小心,以防無(wú)意中令走線(xiàn)產(chǎn)生擺幅過(guò)高的電壓,因為高擺幅電壓的走線(xiàn)會(huì )成為極易接收電場(chǎng)信號的天線(xiàn)。無(wú)論采用什么布局,連接開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的走線(xiàn)很容易產(chǎn)生這種天線(xiàn)效應。因此需要加大其銅線(xiàn)面積,以降低電感。
接地也是降低EMI整體水平的好辦法,而且是非常有效的方法。以多層式電路板為例,電路板的外層都設有電源器件及相關(guān)的走線(xiàn),如果連接的下一層是接地,EMI會(huì )下降 10~20 dB。若與采用成本較低的單/雙面電路板相比,這個(gè)方法更具成本效益,而且無(wú)需采用笨重的濾波器。但這樣的接地面必須確保傳送的信號完整無(wú)損,因為在低頻環(huán)境下,回流電流有這樣的傾向,就是喜歡選擇最短的直線(xiàn)路徑,但較高頻的諧波大多數會(huì )直接在另一面的正向走線(xiàn)下按照自己的影像復制。只要有機會(huì ),電流就會(huì )自動(dòng)縮小其包圍面積,因為這樣可降低走線(xiàn)的電感,以及為電流指示一條最低阻抗的路徑。若因考慮不周而在不適合走線(xiàn)的地方將其它走線(xiàn)貫穿接至地面,會(huì )導致真正需要該部分接地面的功率轉換器級受其影響,令其回流電流繞過(guò)貫穿的走線(xiàn),這樣會(huì )產(chǎn)生頻槽天線(xiàn)效應。

問(wèn)題的解決辦法
最好的辦法還是先將共模及差分模式的信號分開(kāi),然后分別加以研究,以便調試不理想的頻譜。LISN 的讀數只提供總傳導噪聲中的某一加權部分,因此除非有特別的輔助配件 (包括經(jīng)修改的 LISN),只能通過(guò)猜測來(lái)確定哪一部分EMI屬于差分模式,哪一部分屬于共模。若只靠 LISN 讀數,未必知道干擾的真正原因。圖2 顯示兩條電流探測路線(xiàn),它們互相纏繞在一起,其效果好像利用“聯(lián)立方程式”將共模與差分模式的部分分開(kāi)計算。實(shí)際設計當中,同時(shí)進(jìn)行這兩項測量比分開(kāi)進(jìn)行好,因為這樣可以知道共模信號與差分信號之間的相對相位關(guān)系。這是非常寶貴的信息?!?/P>



關(guān)鍵詞: 美國國家半導體 PCB 電路板

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