NOVELLUS（諾發(fā)公司）推出用于65納米及更窄工藝節點(diǎn)的氮化鎢/鎢淀積系統

諾發(fā)系統有限公司（納斯達克股票市場(chǎng)Nasdaq代號：NVLS）是全球半導體行業(yè)在高級淀積、表面處理和化學(xué)機械平坦化工藝等領(lǐng)域的生產(chǎn)力和技術(shù)領(lǐng)導企業(yè)。該公司今天宣布推出用于65納米及更窄工藝節點(diǎn)填充接觸和通路的ALTUS DirectFill單系統解決方案。DirectFill系統采用諾發(fā)公司久經(jīng)考驗的ALTUS平臺，不再需要傳統的鈦/氮化鈦(Ti/TiN)淀積設備。與現有的工藝相比，這項先進(jìn)的接觸和通路填充工藝可以將接觸電阻和總體擁有成本降低50%以上。

諾發(fā)公司的ALTUS DirectFill解決方案用單一的系統取代標準的多設備Ti/TiN/W工藝，簡(jiǎn)化了鎢淀積工藝過(guò)程。這一系統將先進(jìn)的預清潔工藝整合在一個(gè)工藝模塊內，隨后的模塊整合了諾發(fā)公司的PNL™氮化鎢(WN)淀積專(zhuān)利技術(shù)，而在第三個(gè)模塊內則將PNL和鎢化學(xué)氣相淀積工藝整合在內。這些采用氮化鎢和鎢的多功能序列淀積工藝模塊有助于提高產(chǎn)能和工藝復用率。

ALTUS DirectFill技術(shù)在技術(shù)上有幾個(gè)重要優(yōu)勢。首先，氮化鎢阻隔層顯示出原子級淀積(ALD)均勻性，而且比它所取代的Ti/TiN阻隔層要薄得多，這樣就可以用電阻率較低的鎢來(lái)填充大部分的電接觸。在45納米工藝節點(diǎn)這一級工藝，氮化鎢/低電阻率鎢DirectFill工藝可將接觸電阻降低50%以上。此外，PNL氮化鎢可以提供優(yōu)秀的阻隔層特性，并能與各種介電材料很好地粘附。所有的工藝溫度都在400