羅姆RASMID產(chǎn)品陣容新增TVS二極管

　　近年來(lái)，隨著(zhù)智能手機、平板電腦等各種設備的高性能化發(fā)展，市場(chǎng)對于元器件的要求趨向小型化、薄型化以及高精度、高可靠性。最近可穿戴終端興起，對小型化、薄型化的要求日益高漲。羅姆(ROHM)在此前發(fā)揮獨創(chuàng )的微細化技術(shù)，積極推進(jìn)元器件的小型化技術(shù)革新，提供電阻器、晶體管、二極管、鉭電容、LED等世界最小尺寸產(chǎn)品。ROHM將這些采用與傳統截然不同的新工藝方法實(shí)現了小型化、以驚人的尺寸精度為豪的世界最小元器件定位為RASMID?(ROHM Advanced Smart Micro Device)系列。

　　ROHM通過(guò)采用與以往不同的、獨創(chuàng )的微細化技術(shù)，在開(kāi)發(fā)制造系統的同時(shí)，改進(jìn)切割方法，在切割工藝上將封裝尺寸公差大幅降至±10μm。通過(guò)提高尺寸精度，消除毛刺和碎片，有助于減少貼裝時(shí)的吸著(zhù)誤差以及提高貼裝精度。

　　在將微小的、細長(cháng)形狀的貼片元器件排列在印刷電路板上通過(guò)回流爐等進(jìn)行焊接時(shí)，細長(cháng)的貼片有時(shí)會(huì )像樓房一樣樹(shù)立起來(lái)。這種現象被稱(chēng)作呈現出高樓狀的“曼哈頓現象”或像碑石一樣的“立碑現象”等。

　　元器件樹(shù)立起來(lái)的原因是由于焊錫表面的張力以及溫度上升的時(shí)間點(diǎn)等多種因素綜合造成的，但是受電極左右平衡的影響也很大。多面電極的情況下，側面和底面受焊錫牽引，產(chǎn)生如下圖紅線(xiàn)方向的力。如圖1所示，焊錫的印刷位置以及電極尺寸如有偏差，會(huì )被牽引到接觸面積大的方向，特別是極小的貼片容易產(chǎn)生曼哈頓現象。另一方面，如果是底面電極，只有底面才會(huì )產(chǎn)生拉力，極不易產(chǎn)生曼哈頓現象。

圖1 由于電極面方向偏差小，不易產(chǎn)生曼哈頓現象

　　RASMID系列產(chǎn)品尺寸精度提高，電極左右的偏差小，電極表面采用了耐腐蝕性的金，因此焊錫的潤濕性得到提升。ROHM半導體(深圳)有限公司分立器件部高級經(jīng)理水原德健介紹，RASMID系列不僅僅追求產(chǎn)品的小型化，對貼裝技術(shù)也進(jìn)行了更加實(shí)用化的技術(shù)開(kāi)發(fā)，幫助貼裝設備廠(chǎng)商共同開(kāi)發(fā)針對超小型元器件的自動(dòng)化生產(chǎn)工藝，幫助RASMID系列更好更快地得以應用。

　　這一次，羅姆面向市場(chǎng)日益擴大的智能手機和可穿戴式設備等，開(kāi)發(fā)出01005尺寸(0402mm)業(yè)界最小級別的TVS二極管“VS3V3BxxFS系列”。作為RASMID系列”中的新產(chǎn)品系列，與以往的0201尺寸(0603mm)相比，新產(chǎn)品的面積縮減了56%，體積縮減了81%，實(shí)現了業(yè)界最小級尺寸，有助于智能手機等的更高密度安裝。為延長(cháng)電池的使用壽命，近年來(lái)消費電子應用對低壓電路的需求日益高漲。要實(shí)現小型化且要降低直接連接低壓電路的反向工作電壓，抑制泄漏電流一直是需要攻克的難題。此次開(kāi)發(fā)的RASMID系列的TVS二極管，融合了齊納擊穿和雙極技術(shù)，同時(shí)實(shí)現了低泄漏電流和低電壓。反向工作電壓(VRWM)達3.3V，非常有助于設備進(jìn)一步節省電力。通過(guò)優(yōu)化結構，確保了與以往的0201尺寸(0603mm)5.0V產(chǎn)品同等的優(yōu)異ESD保護能力。不僅實(shí)現了產(chǎn)品的小型化，還可防止靜電導致的電路損壞和誤動(dòng)作，降低應用的負擔。