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理解逐次逼近寄存器型ADC:與其它類(lèi)型ADC的架構對比

作者: 時(shí)間:2015-11-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  本文說(shuō)明了 的工作原理,采用二進(jìn)制搜索算法,對輸入信號進(jìn)行轉換。本文還給出了 的核心架構,即電容式DAC和高速比較器。最后,對架構與流水線(xiàn)、閃速型以及Σ-Δ 進(jìn)行了對比。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/283457.htm

  逐次逼近寄存器型(SAR)模擬數字轉換器(ADC)是采樣速率低于5Msps (每秒百萬(wàn)次采樣)的中等至高分辨率應用的常見(jiàn)結構。SAR ADC的分辨率一般為8位至16位,具有低功耗、小尺寸等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使該類(lèi)型ADC具有很寬的應用范圍,例如便攜/電池供電儀表、筆輸入量化器、工業(yè)控制和數據/信號采集等。

  顧名思義,SAR ADC實(shí)質(zhì)上是實(shí)現一種二進(jìn)制搜索算法。所以,當內部電路運行在數兆赫茲(MHz)時(shí),由于逐次逼近算法的緣故,ADC采樣速率僅是該數值的幾分之一。

  SAR ADC的架構

  盡管實(shí)現SAR ADC的方式千差萬(wàn)別,但其基本結構非常簡(jiǎn)單(見(jiàn)圖1)。模擬輸入電壓(VIN)由采樣/保持電路保持。為實(shí)現二進(jìn)制搜索算法,N位寄存器首先設置在中間刻度(即:100... .00,MSB設置為1)。這樣,DAC輸出(VDAC)被設為VREF/2,VREF是提供給ADC的基準電壓。然后,比較判斷VIN是小于還是大于VDAC。如果VIN大于VDAC,則比較器輸出邏輯高電平或1,N位寄存器的MSB保持為1。相反,如果VIN小于VDAC,則比較器輸出邏輯低電平,N位寄存器的MSB清0。隨后,SAR控制邏輯移至下一位,并將該位設置為高電平,進(jìn)行下一次比較。這個(gè)過(guò)程一直持續到LSB。上述操作結束后,也就完成了轉換,N位轉換結果儲存在寄存器內。



  圖1. 簡(jiǎn)單的N位SAR ADC架構

  圖2給出了一個(gè)4位轉換示例,y軸(和圖中的粗線(xiàn))表示DAC的輸出電壓。本例中,第一次比較表明VIN< VDAC。所以,位3置為0。然后DAC被置為01002,并執行第二次比較。由于VIN> VDAC,位2保持為1。DAC置為01102,執行第三次比較。根據比較結果,位1置0,DAC又設置為01012,執行最后一次比較。最后,由于VIN> VDAC,位0確定為1。



  圖2. SAR工作原理(以4位ADC為例)

  注意,對于4位ADC需要四個(gè)比較周期。通常,N位SAR ADC需要N個(gè)比較周期,在前一位轉換完成之前不得進(jìn)入下一次轉換。由此可以看出,該類(lèi)ADC能夠有效降低功耗和空間,當然,也正是由于這個(gè)原因,分辨率在14位至16位,速率高于幾Msps (每秒百萬(wàn)次采樣)的逐次逼近ADC極其少見(jiàn)。一些基于SAR結構的微型ADC已經(jīng)推向市場(chǎng)。MAX1115/MAX1116和MAX1117/MAX1118 8位ADC以及分辨率更高的可互換產(chǎn)品MAX1086和MAX1286 (分別為10位和12位),采用微小的SOT23封裝,尺寸只有3mm x 3mm。12位MAX11102采用3mm x 3mm TDFN封裝或3mm x 5mm μMAX?封裝。

  SAR ADC的另一個(gè)顯著(zhù)的特點(diǎn)是:功耗隨采樣速率而改變。這一點(diǎn)與閃速ADC或流水線(xiàn)ADC不同,后者在不同的采樣速率下具有固定的功耗。這種可變功耗特性對于低功耗應用或者不需要連續采集數據的應用非常有利(例如,用于PDA 數字轉換器)。

  SAR的深入分析

  SAR ADC的兩個(gè)重要部件是比較器和DAC,稍后我們可以看到,圖1中采樣/保持電路可以嵌入到DAC內,不作為一個(gè)獨立的電路。

  SAR ADC的速度受限于:

  ·DAC的建立時(shí)間,在這段時(shí)間內必須穩定在整個(gè)轉換器的分辨率以?xún)?如:? LSB)

  ·比較器,必須在規定的時(shí)間內能夠分辨VIN與VDAC的微小差異

  ·邏輯開(kāi)銷(xiāo)

  DAC

  DAC的最大建立時(shí)間通常取決于其MSB的建立時(shí)間,原因很簡(jiǎn)單,MSB的變化代表了DAC輸出的最大偏移。另外,ADC的線(xiàn)性也受DAC線(xiàn)性指標的限制。因此,由于元件固有匹配度的限制,分辨率高于12位的SAR ADC常常需要調理或校準,以改善其線(xiàn)性指標。雖然這在某種程度上取決于處理工藝和設計,但在實(shí)際的DAC設計中,元件的匹配度將線(xiàn)性指標限制在12位左右。

  許多SAR ADC采用具有固有采樣/保持功能的電容式DAC。電容式DAC根據電荷再分配的原理產(chǎn)生模擬輸出電壓,由于這種類(lèi)型的DAC在SAR ADC中很常用,所以,我們最好討論一下它們的工作原理。

  電容式DAC包括一個(gè)由N個(gè)按照二進(jìn)制加權排列的電容和一個(gè)“空LSB”電容組成的陣列。圖3是一個(gè)16位電容式DAC與比較器相連接的范例。采樣階段,陣列的公共端(所有電容連接的公共點(diǎn),見(jiàn)圖3)接地,所有自由端連接到輸入信號(模擬輸入或VIN)。采樣后,公共端與地斷開(kāi),自由端與VIN斷開(kāi),在電容陣列上有效地獲得了與輸入電壓成比例的電荷量。然后,將所有電容的自由端接地,驅動(dòng)公共端至一個(gè)負壓-VIN。



  圖3. 16位電容式DAC示例

  作為二進(jìn)制搜索算法的第一步,MSB電容的底端與地斷開(kāi)并連接到VREF,驅動(dòng)公共端電壓向正端移動(dòng)?VREF。

  因此,VCOMMON= -VIN+ ? × VREF

  如果VCOMMON< 0 (即VIN> ? × VREF),比較器輸出為邏輯1。如果VIN< ? × VREF,比較器輸出為邏輯0。

  如果比較器輸出為邏輯1,MSB電容的底端保持連接至VREF。否則,MSB電容的底端連接至地。

  接下來(lái),下一個(gè)較小電容的底端連接至VREF,將新的VCOMMON電壓與地電位進(jìn)行比較。

  繼續上述過(guò)程,直至所有位的值均確定下來(lái)。

  簡(jiǎn)言之,VCOMMON= -VIN+ BN-1× VREF/2 + BN-2× VREF/4 + BN-1× VREF/8 + ... + B0 × VREF/2N-1(B_為比較器輸出/ADC輸出位)。

  DAC校準

  對于一個(gè)理想的DAC來(lái)講,每個(gè)與數據位相對應的電容應該精確到下一個(gè)較小電容的兩倍。在高分辨率ADC (如16位)中,這會(huì )導致過(guò)寬的數值范圍,以致無(wú)法用經(jīng)濟、可行的尺寸實(shí)現。16位的SAR ADC (如MAX195)實(shí)際由兩列電容組成,利用電容耦合減小LSB陣列的等效容值。MSB陣列中的電容經(jīng)過(guò)微調以降低誤差。LSB電容的微小變化都將對16位轉換結果產(chǎn)生明顯的誤差。不幸的是,僅僅依靠微調并不能達到16位的精度,或者補償由于溫度、電源電壓或其它參數的變化所造成的性能指標的改變??紤]到上述原因,MAX195內部為每個(gè)MSB電容配置了一個(gè)校準DAC,這些DAC通過(guò)電容耦合到主DAC輸出,根據它們的數字輸入調節主DAC的輸出。

  校準時(shí),首先要確定用于補償每個(gè)MSB電容誤差的修正代碼,并存儲該代碼。此后,當主DAC對應的數據位為高電平時(shí)就把存儲的代碼提供給適當的校準DAC,補償相關(guān)電容的誤差。一般由用戶(hù)發(fā)起校準過(guò)程,也可以在上電時(shí)進(jìn)行自動(dòng)校準。為降低噪聲效應,每個(gè)校準過(guò)程都執行許多次(MAX195大約持續14,000個(gè)時(shí)鐘周期),結果取平均值。當供電電壓穩定后最好進(jìn)行一次校準。高分辨率ADC應該在電源電壓、溫度、基準電壓或時(shí)鐘等任何一個(gè)參數發(fā)生顯著(zhù)變化后進(jìn)行再校準,因為這些參數對直流偏移有影響。如果只考慮線(xiàn)性指標,可以容許這些參數有較大改變。因為校準數據是以數字方式存儲的,無(wú)需頻繁轉換即可保持足夠的精度。

  比較器

  比較器需要具有足夠的速度和精度,盡管比較器的失調電壓不影響整體的線(xiàn)性度,它將給系統傳輸特性曲線(xiàn)帶來(lái)一個(gè)偏差,為減小比較器的失調電壓引入了失調消除技術(shù)。然而,還必須考慮噪聲,比較器的等效輸入噪聲通常要設計在1 LSB以?xún)?。比較器必須能夠分辨出整個(gè)系統精度以?xún)鹊碾妷?,也就是說(shuō)比較器需要保證與系統相當的精度。

  SAR ADC與其它ADC結構的比較

  與流水線(xiàn)ADC相比

  流水線(xiàn)ADC采用一種并行結構,并行結構中的每一級同時(shí)進(jìn)行一位或幾位的逐次采樣。這種固有的并行結構提高了數據的吞吐率,但要以功耗和延遲為代價(jià)。所謂延遲,在此情況下定義為ADC采樣到模擬輸入的時(shí)間與輸出端得到量化數據的時(shí)間差。例如,一個(gè)5級流水線(xiàn)ADC至少存在5個(gè)時(shí)鐘周期的延遲,而SAR只有1個(gè)時(shí)鐘周期的延遲。需要注意的是,延遲的定義只是相對于A(yíng)DC的吞吐率而言,并非指SAR的內部時(shí)鐘,該時(shí)鐘是吞吐率的許多倍。流水線(xiàn)ADC需要頻繁地進(jìn)行數字誤差校準,以降低對流水線(xiàn)上每一級閃速ADC (即比較器)的精度要求。而SAR ADC的比較器精度只需與整體系統的精度相當即可。流水線(xiàn)ADC一般比同等級別的SAR需要更多的硅片面積。與SAR一樣,精度高于12位的流水線(xiàn)ADC通常需要一些某種形式的微調或校準。

  與閃速ADC相比

  閃速ADC由大量的比較器構成,每個(gè)比較器包括一個(gè)寬帶、低增益預放大器和鎖存器。預放大器必須僅用于提供增益,不需要高線(xiàn)性度和高精度,這意味著(zhù)只有比較器的門(mén)限值才需具有較高的精度。所以,閃速ADC是目前轉換速率最快的一種架構。

  通常需要折衷考慮閃速ADC的速度以及SAR DAC的低功耗和小尺寸特性。盡管極高速的8位閃速ADC (以及它們的折疊/內插變種)具有高達1.5Gsps的采樣速率(例如MAX104、MAX106和MAX108),但很難找到10位的閃速ADC,而12位(及更高位)閃速ADC還沒(méi)有商用化的產(chǎn)品。這是由于分辨率每提高1位,閃速ADC中比較器的個(gè)數將成倍增長(cháng),同時(shí)還要保證比較器的精度是系統精度的兩倍。而在SAR ADC中,提高分辨率需要更精確的元件,但復雜度并非按指數率增長(cháng)。當然,SAR ADC的速度是無(wú)法與閃速ADC相比較的。

  與Σ-Δ轉換器相比

  傳統的過(guò)采樣/Σ-Δ轉換器被普遍用于帶寬限制在大約22kHz的數字音頻應用。近來(lái),一些寬帶Σ-Δ轉換器能夠達到1MHz至2MHz的帶寬,分辨率在12位至16位。這通常由高階Σ-Δ調制器(例如,4階或更高)配合一個(gè)多位ADC和多位反饋DAC構成。Σ-Δ轉換器具有一個(gè)優(yōu)于SAR ADC的先天優(yōu)勢:即不需要特別的微調或校準,即使分辨率達到16位至18位。由于該類(lèi)型ADC的采樣速率要比有效帶寬高得多,因此也不需要在模擬輸入端增加快速滾降的抗混疊濾波器。由后端數字濾波器進(jìn)行處理。Σ-Δ轉換器的過(guò)采樣特性還可用來(lái)“平滑”模擬輸入中的任何系統噪聲。

  Σ-Δ轉換器要以速率換取分辨率。由于產(chǎn)生一個(gè)最終采樣需要采樣很多次(至少是16倍,一般會(huì )更多),這就要求Σ-Δ調制器的內部模擬電路的工作速率要比最終的數據速率快很多。數字抽取濾波器的設計也是一個(gè)挑戰,并要消耗相當大的硅片面積。在不遠的將來(lái),速度最高的高分辨率Σ-Δ轉換器的帶寬將不大可能高出幾兆赫茲很多。

  總結

  綜上所述,SAR ADC的主要優(yōu)點(diǎn)是低功耗、高分辨率、高精度、以及小尺寸。由于這些優(yōu)勢,SAR ADC常常與其它更大的功能集成在一起。SAR結構的主要局限是采樣速率較低,并且其中的各個(gè)單元(如DAC和比較器),需要達到與整體系統相當的精度。



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