Diodes 30V MOSFET使大容量電容器能夠在現場(chǎng)可編程門(mén)陣列電源軌上快速及安全放電

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用，確保在現場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 電源軌上使用的大型大容量電容器能夠快速及安全放電。電信設備、服務(wù)器和數據中心內的最新現場(chǎng)可編程門(mén)陣列具有多個(gè)需要正確排序的電源軌，為系統提供安全的開(kāi)關(guān)電源。高可靠性直流-直流電源的設計人員利用這個(gè)Diodes的新MOSFET，就可快速及輕易實(shí)現該目標。

　　DMN3027LFG在4.5V電壓下提供26mΩ的低導通電阻，足以使15mF的電容器在少於10毫秒的時(shí)間內放電。同時(shí)該導通電阻又不會(huì )低至大幅提高電流峰值，繼而導致電磁干擾或增加瞬態(tài)熱應力，最終有可能使MOSFET或電容器組受損。在現場(chǎng)可編程門(mén)陣列低壓電軌達到典型的1V時(shí)，電流會(huì )被安全工作區特定的MOSFET通道電阻所限制。該安全工作區的環(huán)境溫度為+60°C, 以最少的散熱片支持一般應用狀況，從而在少於10毫秒的時(shí)間內安全處理高達20A的峰值電流。

　　DMN3027LFG采用PowerDI 3333封裝，具有少於10°C/W的結點(diǎn)至散熱焊盤(pán)低熱阻，可耗散高達3W。新產(chǎn)品以一萬(wàn)個(gè)為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.diodes.com。