【經(jīng)驗分享】三極管的問(wèn)題幾則

　　簡(jiǎn)介：這里的問(wèn)題是這樣的，一個(gè)控制口給三個(gè)PNP的管子的基極供電，失效的時(shí)候是一個(gè)管子不能進(jìn)入飽和區，由于每個(gè)管子的VBE和HFE的初始值不相同，且隨著(zhù)溫度變化相差更大，由此引發(fā)的問(wèn)題是三個(gè)管子不能正確的偏置，VBE比較低的管子的偏置電阻的電流最大，其余的兩個(gè)管子的偏置電流就顯得小。

　　Ib如果太小了，假定Ic一定的話(huà)

　　否中情況出現H=Ic/Ib，在溫度低的情況下，很容進(jìn)入放大區，導致Vce太大，邏輯就可能會(huì )出現問(wèn)題。

　　因此即使一個(gè)NPN可以用來(lái)偏置幾個(gè)PNP的管子，每個(gè)管子要有獨立的基極電阻，這樣可實(shí)現存在Vbe差別的情況下，通過(guò)電阻實(shí)現一定的均流，確保電流的獨立。

　　即使控制端也不能隨便將多個(gè)管子連在一起，這點(diǎn)是我們要注意的。

　　注意模塊間接口使用的問(wèn)題

　　如果設計的時(shí)候，使用了ULN2003，由于直接用它的輸入級接入模塊的輸入端，因此出現了問(wèn)題。

　　由于電纜上存在分布電感和分布電容，因此很容易出現耦合，在ISO7637的實(shí)驗中，存在高頻脈沖250V，200ns

　　我們必須加入限流電阻，并且與RB和分壓，或者加入其他抗瞬態(tài)的器件，這樣的設計是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。

　　最好不用用晶體管的基極直接面對輸入，這回造成很大的隱患。

　　另外一個(gè)錯誤很常見(jiàn)，就是直接把晶體管的基極接至MCU的輸出管腳上面，前面已經(jīng)驗算過(guò)MCU的輸出能力：?jiǎn)纹瑱CIO口的驅動(dòng)能力

　　這很明顯的造成了晶體管Ib過(guò)大，引起過(guò)大的損耗。

　　因此如果遇到分立的晶體管，注意驗證它的基極，是否直接接MCU，是否內部含有限流電阻(Build-in)，否則很可能造成過(guò)熱和損壞。

　　這里順便說(shuō)明一下，三極管由于有熱擊穿效應，所以建議把余量放大些，60%～75%，否則很有可能造成損壞。