高功率因數單級反激式LED驅動(dòng)器設計注意事項

　　2.峰值電流偵測誤差：源自于峰值電流偵測電阻與經(jīng)過(guò)低通濾波器后訊號之差異，控制IC在取樣(Sample)至維持(hold)過(guò)程中存有愈長(cháng)的空白時(shí)間將造成偵測之電流低于實(shí)際電流，此與IC取樣速度相關(guān)。由于此型誤差為定向關(guān)系，可藉由電阻微調改善。

　　3.泄磁偵測延遲：IC藉由判斷輔助繞組諧振至低準位作為次級電流截止之依據，但在諧振期間已無(wú)存在次級電流，故造成次級泄磁時(shí)間之偵測誤差，如圖2所示。此誤差嚴重程度與取決于雜散電容與變壓器激磁電感之諧振周期相關(guān)，若減小并聯(lián)之雜散效應將加劇電磁干擾之高頻段部份。建議以外部補償方式克服。

　　圖1. Propagation delay在高低壓輸入產(chǎn)生之誤差

　　圖2. ZCD偵測之時(shí)間延遲

　　(b) IC輔助電源設計

　　LED驅動(dòng)器能支持寬廣輸出電壓是一大賣(mài)點(diǎn)，可擴大產(chǎn)品的應用范圍。對于定電流電源，變壓器設計是以最高輸出電壓為考慮，而輔助供電得考慮輕載(最低輸出電壓)時(shí)VCC電壓仍能維持在欠電壓鎖定(Under Voltage Lock Out， UVLO)之上，并且遠高于主開(kāi)關(guān)功率半導體之驅動(dòng)電壓上限以減少導通損。若輸出電壓變動(dòng)有2倍以上，輔助供電若超過(guò)VCC耐壓上限時(shí)則仰賴(lài)雙極性晶體管(Bipolar NPN)組成之線(xiàn)性穩壓電路，在高壓輸出時(shí)功率損耗多半集中于NPN晶體管。若改采用充電幫浦型式之供電可省去輔助繞組且減少線(xiàn)性穩壓供電之損耗，此法將增加一功率晶體開(kāi)關(guān)于主開(kāi)關(guān)之源極，然而，此方式若欲實(shí)現過(guò)壓保護得藉由次級Zener二極管偵測反饋回初級側達成過(guò)壓保護，產(chǎn)品設計者得恒量額外增加之成本與其帶來(lái)之效益。