為便攜式產(chǎn)品選擇模擬開(kāi)關(guān)應注意哪些要點(diǎn)？

　　(2) 終端電阻

　　在音頻電路中，當模擬開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，由于寄生電容和電容失配，電容上的電荷無(wú)法釋放，從而導致耳機上的噪聲?？梢酝ㄟ^(guò)在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)接通一個(gè)去噪電阻，來(lái)快速釋放電荷，從而提高音頻切換質(zhì)量。圖4是英聯(lián)電子的UM3699在開(kāi)關(guān)切換時(shí)去噪電阻的連接示意圖。

　　圖5是沒(méi)有采用去噪聲電阻時(shí)模擬開(kāi)關(guān)的仿真波形圖。D1為輸入的數據信號。IN為選擇端信號。當IN為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)通向1S1;當IN為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)通向1S2。當開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，由于寄生電容和選擇端切換脈沖的存在，開(kāi)關(guān)到地之間是高阻態(tài)，所以寄生電容的電荷沒(méi)有放電回路。這樣，開(kāi)關(guān)的關(guān)斷端在較長(cháng)的時(shí)間內將出現一個(gè)比輸入數據信號更高的電平，從而導致噪聲。圖6是采用圖4中的去噪電阻后開(kāi)關(guān)切換的仿真波形圖。由于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后連接了去噪電阻上，形成一個(gè)對地的放電回路，所以寄生電容上的電荷得以很快釋放，從而消除了開(kāi)關(guān)切換時(shí)的干擾電平，提高了開(kāi)關(guān)在音頻切換應用時(shí)的聲音質(zhì)量。

　　(3) T-Switch結構

　　隔離度和串擾作為模擬開(kāi)關(guān)的又一項重要性能指標，在高頻率信號的切換中越來(lái)越受到人們的關(guān)注。英聯(lián)電子的高隔離度模擬開(kāi)關(guān)采用T-Switch結構，有效實(shí)現了信號隔離，抑制了信號串擾。圖7是T-Switch結構圖。當開(kāi)關(guān)導通時(shí)，內部的S1、S3閉合，S2斷開(kāi)，從而實(shí)現信號的有效傳輸;當開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，S1、S3斷開(kāi)，S2 閉合，這樣輸入端-Cs-地形成了一條耦合回路，同時(shí)由于兩個(gè)Cs導通寄生電容的存在，輸入信號更難耦合到信號輸出級，這樣提高了開(kāi)關(guān)的隔離度和抗串擾能力。