PN結原理

　　導讀：PN結對我們來(lái)說(shuō)是很熟悉的東西了，二極管、三極管、MOS管等等都運用的是PN結的原理，下面我們就來(lái)講述一下PN結的原理，親們快來(lái)學(xué)習一下吧~~~

1.PN結原理--簡(jiǎn)介

　　PN結(PN junction)，其實(shí)就是由一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體構成的一塊半導體晶體，中間二者相連的接觸面稱(chēng)為PN結。PN結是電子技術(shù)中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎。P是positive的縮寫(xiě)，N是negative的縮寫(xiě)，表明正荷子與負荷子起作用的特點(diǎn)。

2.PN結原理--特性

　　PN結的單向導電性：若外加電壓使電流從P區流到N區，PN結呈低阻性，所以電流大;反之是高阻性，電流小。

　　擊穿性：二極管的PN結PN結加反向電壓時(shí)，空間電荷區變寬，區中電場(chǎng)增強，反向電壓增大到一定程度時(shí)，反向電流將突然增大。

　　雪崩擊穿：當阻擋層中的載流子漂移速度增大到一定程度時(shí)，會(huì )將共價(jià)鍵中的價(jià)電子碰撞出來(lái)。雪崩擊穿發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會(huì )較多，所以雪崩擊穿的擊穿電壓高。

3.PN結原理

　　PN結的形成其實(shí)就是在一塊完整的硅片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，那么在兩種半導體的交界面附近就形成了PN結。

　　在形成PN結之后，由于N型半導體區內的電子數量多于空穴數量，而P型半導體區內的空穴數量多于電子數量，所以在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。此時(shí)將在N型半導體和P型半導體的結合面上形成如下物理過(guò)程如下：

　　最后，多子的擴散和少子的漂移達到動(dòng)態(tài)平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區稱(chēng)為PN結。PN結的內電場(chǎng)方向由N區指向P區。在空間電荷區，由于缺少多子，所以也稱(chēng)耗盡層。

　　拓展閱讀：

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　　2.二極管工作原理

　　3.PN結的形成及工作原理