PN結的形成及工作原理

當P型和N型半導體材料結合時(shí)，P 型（ N型）材料中的空穴（電子）向N 型（ P 型）材料這邊擴散，擴散的結果使得結合區形成一個(gè)勢壘，由此而產(chǎn)生的內電場(chǎng)將阻止擴散運動(dòng)的繼續進(jìn)行，當兩者達到平衡時(shí)，在PN結兩側形成一個(gè)耗盡區。

當PN結反偏時(shí)，外加電場(chǎng)與內電場(chǎng)方向一致，耗盡區在外電場(chǎng)作用下變寬，使勢壘加強；當PN結正偏時(shí)，外加電場(chǎng)與內電場(chǎng)方向相反，耗盡區在外加電場(chǎng)作用下變窄，勢壘削弱。