CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO

　　高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO，它可在-55～225℃的范圍內實(shí)現可靠的運行，并輸出高達60A的電流。CHT-PLUTO 是一種雙碳化硅 MOSFET 模塊，主要應用于在低端和高端均可持續供應 30 A 電流的半橋。低端和高端的兩個(gè)獨立開(kāi)關(guān)可并聯(lián)使用，輸出總電流為 60 A，擊穿電壓超過(guò) 1200 V，當 VGS=20 V 時(shí)，導通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至 23 m? 和 50 m?。

　　由于碳化硅晶體管的開(kāi)關(guān)損耗較低，故而可實(shí)現較高的工作頻率。CHT-PLUTO 還可嵌入正向電壓 Vf 較低的續流肖特基二極管，它可以在死區時(shí)間降低功耗。每個(gè)開(kāi)關(guān)均可采用 -5/+20 V的標準柵電壓進(jìn)行控制。

　　CHT-PLUTO 采用密封的 8 引腳專(zhuān)用“H8MA”金屬封裝，其尺寸規格為 18mm x 29mm (不包括安裝耳)。器件與封裝外殼之間采用電氣隔離。該模塊的特點(diǎn)是每個(gè) 30 A 通道的結面至外殼熱阻都低至 0.7℃/W。另外，兩個(gè)附加的源連接器則可輕松地將模塊牢牢連接到柵極驅動(dòng)器。

　　CHT-PLUTO 適合為功率轉換器、逆變器或電機驅動(dòng)器等應用構建半橋。當將兩個(gè)開(kāi)關(guān)并聯(lián)時(shí)，CHT-PLUTO 的輸出電流可達 60 A，同時(shí)熱阻 (Rth) 低至 0.35℃/W。還可將幾個(gè)模塊并聯(lián)，以獲得更高的輸出電流。

　　CISSOID公司最近已發(fā)布的高溫柵極驅動(dòng)器 HADES®v2 是驅動(dòng) CHT-PLUTO 的理想器件。HADES®v2 的峰值電流和 dV/dT 耐用性均較高，因此可實(shí)現快速切換，降低模塊功耗。借助這些優(yōu)化功能，電源設計人員可以提高工作頻率，為無(wú)源元件(輸入/輸出濾波器、去耦電容器)選擇下限值，從而在這些高成本的元件上節約大量成本，并減小系統的體積和重量。CHT-PLUTO 與 HADES®v2 的結合打開(kāi)了使用結構緊湊的、高度集成的功率轉換器/電機驅動(dòng)器的大門(mén)，這些功率轉換器/電機驅動(dòng)器的額定功率從幾千瓦到幾十千瓦不等，在高達 225℃的溫度下也可實(shí)現可靠運行。

　　CISSOID公司的首席技術(shù)官 Pierre Delatte 表示： “CHT-PLUTO 是我們?yōu)楦邷?高壓電源開(kāi)關(guān)推出的第二款產(chǎn)品。繼 2013 年推出 10A/1200V 單極開(kāi)關(guān) CHT-NEPTUNE 之后，CHT-PLUTO 又為我們帶來(lái)了額定電流更高且同樣支持極端環(huán)境(從-55℃到225℃)的半橋模塊。經(jīng)過(guò)大量的研發(fā)努力，現在，我們可以自豪地推出這款能夠戰勝高溫挑戰，實(shí)現可靠運行的 CHT-PLUTO 產(chǎn)品。CHT-PLUTO 真正滿(mǎn)足了系統設計師對 CISSOID 產(chǎn)品的期望：讓 CISSOID 做到言行如一。該模塊在不降低原有解決方案耐用性的條件下，為高溫大功率應用帶來(lái)了新的可能。”