Marvell投資效益爆發(fā) 憶正SSD和eMCP突圍
NAND Flash解決方案供應商憶正科技,從軍工規存儲器模組轉進(jìn)消費性市場(chǎng),獲得Marvell投資后專(zhuān)注研發(fā)2年,終于在2015年開(kāi)始進(jìn)入收割期,新產(chǎn)品智能型手機以及平板電腦專(zhuān)用的eMCP產(chǎn)品M1880L/M1870L即將問(wèn)世。同時(shí),支援東芝(Toshiba)的15納米制程的PCIE Gen3 x2介面M.2 SSD產(chǎn)品NF8-920也即將推出。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/274917.htm憶正一直是eMMC控制芯片供應商,看好未來(lái)智能型手機以及平板電腦內建的儲存規格將從eMMC轉到eMCP上,因此2015年將eMCP模組視為重點(diǎn)產(chǎn)品,更積極鞏固eMCP當中的DRAM芯片貨源,除了美光外也積極多方合作,與所有的存儲器大廠(chǎng)都建立合作關(guān)系。
憶正總經(jīng)理郭聰鈴指出,看好移動(dòng)裝置對于體積小且低耗電的eMCP需求熱絡(luò ),推出的eMCP產(chǎn)品M1880L和M1870L采用先進(jìn)封裝技術(shù)和自行開(kāi)發(fā)的韌體架構,整合最新制程的NAND Flash快閃存儲器、移動(dòng)式存儲器LPDDR,再搭配N(xiāo)AND Flash控制器芯片,支援JEDEC的eMMC5.1介面。
憶正旗下的eMCP產(chǎn)品預計在2015年第3季放量,分別打入大陸和日本客戶(hù)。另外,憶正主打的M1880L內建LPDDR3存儲器,可支援8GB+8Gb、16GB+8Gb以及32GB+8Gb等容量,讀寫(xiě)速度可達270/65 MB/s,適合最新一代的LTE通訊平臺對儲存存儲器的高速讀寫(xiě)效能需求。
另一款M1870L是內建LPDDR2存儲器,采用162 ball BGA封裝,針對中階智能型手機市場(chǎng)設計,容量包括4GB+4Gb、4GB+8Gb、8GB+8Gb和16GB+8Gb。
2015年另一個(gè)發(fā)展亮點(diǎn)是支援最新制程的東芝15納米的PCIE介面SSD產(chǎn)品,為Gen3 x2介面M.2 SSD,傳輸速度可突破傳統SATA III的效能瓶頸,讀寫(xiě)速度可達1,000MB/s和/800MB/s,最大容量可達1TB。
Marvell是SSD控制芯片供應商,強項在硬體,但韌體技術(shù)需要有其他合作伙伴協(xié)助,才能一起把SSD餅做大,因此在2年前投資憶正科技??春脩浾陧g體技術(shù)上的實(shí)力,可以強化Marvell的NAND Flash芯片硬體強項,這樣的合作效應在2014年下半才陸續浮現,尤其2015年步入收割期。
憶正指出,采用Marvell的88SS1074控制芯片讀寫(xiě)速度可達560MB/s和550MB/s,特色是耗電量更低,且內建支援第三代NANDEdge糾錯與低密度奇偶校驗 (LDPC)技術(shù),可支援最新制程的TLC型NAND Flash芯片,最大容量可達1TB,可降低SSD產(chǎn)品生產(chǎn)成本。
另外,憶正也針對價(jià)格敏感的的Chromebook等入門(mén)級市場(chǎng)量身訂做SSD解決方案,采用Marvell旗下88NV1120控制芯片的U1000系列SSD,也分別支援M.2模組規格,以及采用BGA封裝方式的系統單芯片兩種產(chǎn)品,可相容SATA III和PCIE介面,讀寫(xiě)速度可達560MB/s和350MB/s。
SSD已經(jīng)慢慢走向部分取代傳統硬碟的應用,但最敏感的問(wèn)題是資訊安全,憶正也看好透過(guò)韌體技術(shù),推出支援TCG Opal 2.0認證及微軟(Microsoft)eDrive加密功能的SATA III 6Gb/s SSD,提供資訊安全要求較高的企業(yè)級相關(guān)應用。
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