加入RRAM開(kāi)發(fā)戰線(xiàn)，Sony 與Micron 共同發(fā)表新成果

　　繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)發(fā)表了他們在電阻式記憶體(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后，Sony 也與合作夥伴 Micron 發(fā)表了自 2011 年首度公開(kāi) RRAM 試作品后的最新試作品結果。

　　在 RRAM 的合作關(guān)系中，Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技術(shù)，Micron 則是目前記憶體制造業(yè)的大廠(chǎng)。在今年的 ISSCC 2014 研討會(huì )中，先是公布 16Gbit RRAM 的電路技術(shù)，緊接著(zhù)在數日前的 IDEM 2014 中，發(fā)表裝置本體的制作。在此之前兩家廠(chǎng)商在次世代記憶體的發(fā)展是各有歧異的，Sony 在 2011 ISSCC 中發(fā)表了 4Mb 的 RRAM 試作品，而 Micron 則是鉆研相變式記憶體(PCM、PRAM)并且將 128Mb PRAM 商業(yè)化，但自此之后就無(wú)提升容量的后續動(dòng)作。

　　這次 Sony 與 Micron 合作的樣品，方向上是以 “非揮發(fā)式 DRAM” 來(lái)制作，相比于待機時(shí)仍要繼續耗電的揮發(fā)性 DRAM，由于非揮發(fā)性的特性可以將電力完全關(guān)閉，因此在越來(lái)越講求能耗的的現在具有一定的吸引力。

　　實(shí)際上試做的產(chǎn)品也是朝向這樣的方向前進(jìn)，16Gb 樣品有著(zhù)單一顆晶片可以 2GB容量，適合電腦主記憶體的意味存在。成品的設計則是直接做成一般 DDR 介面的樣子，可以直接替換 DDR SDRAM;制造技術(shù)的部份，使用 27nm CMOS 制程，三層金屬配線(xiàn)、記憶體 Cell Size 大約在 6F^2(F 單位意指半導體的 Design Rule，通常指制程的金屬線(xiàn)寬)，種種的特性都與目前較先進(jìn)的記憶體制造制程類(lèi)似。另外目前 RRAM 并沒(méi)有任何的量產(chǎn)紀錄，因此能否直接已高容量密度的設計直接量產(chǎn)會(huì )是可能的障礙，而同樣的制造成本能否與現在的 DRAM 匹敵，種種因素的拉扯或許也是初期樣品選擇 16Gb 的因素。

　　這次 Sony 與 Micron 發(fā)表的 Cell 設計，是以一個(gè)記憶單元搭配上一個(gè)身兼 Selector 的 MOS 組合，記憶單元的的組合結構，是以高位 CuTe 薄膜、絕緣薄膜與低位電極材料組合而成，是 Sony 早先開(kāi)發(fā)結果的延續。

　　Sony 與 Micron 同時(shí)發(fā)表了實(shí)際測試的結果與 ISSCC 當時(shí)發(fā)表論文的性能預測比較，讀取性能在 900MB/s 左右，寫(xiě)入則是 180MB/s ，與當初論文的設計預測結果相當接近，從這點(diǎn)看起來(lái)，繼續發(fā)展而至商品化的可能性相當高。