細分領(lǐng)域前景佳 晶電強攻紫外LED

　　日前，晶元光電聯(lián)合臺灣儀科中心，以及中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心，將先進(jìn)材料石墨烯應用于UV-LED的制造技術(shù)，預期可提升UV-LED制造技術(shù)水平，達到與美、日大廠(chǎng)并駕齊驅的境界，推估年產(chǎn)值可逾3.6億元新臺幣(折合人民幣約7307萬(wàn)元)。

　　UV-LED可應用于農業(yè)、紙鈔識別、樹(shù)脂硬化、特殊生醫等領(lǐng)域，市場(chǎng)前景看好，但是目前高功率UV-LED均使用氧化銦錫(ITO)做為透明導電膜，會(huì )發(fā)生散熱不良與電流分布不均等問(wèn)題，影響其發(fā)光效率。

　　儀科中心聯(lián)合晶電及中央大學(xué)，取得科技部中部科學(xué)工業(yè)園區管理局高科技設備前瞻技術(shù)發(fā)展計劃支持，共同執行“開(kāi)發(fā)電漿輔助高溫原子層沉積系統應用于UV-LED”計劃，以更適合LED使用的透明電極材料石墨烯(graphene)取代氧化銦錫，希望能夠克服UV-LED發(fā)光效率降低的問(wèn)題。

　　此研究的關(guān)鍵技術(shù)有二，一是要讓低溫制程 (約600℃)的石墨烯可以直接在白金薄膜上生成，以制作電極。中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心李正中教授、郭倩丞助理教授團隊負責開(kāi)發(fā)石墨烯低溫制程，儀科中心則負責讓石墨烯直接在白金薄膜上生成 (此即“電漿輔助高溫原子層沉積系統”)。

　　第二項關(guān)鍵技術(shù)是讓此電極可與LED的發(fā)光層完美結合，這部分由儀科中心和晶元光電共同研發(fā)。

　　這項合作初期將于晶光廠(chǎng)內進(jìn)行測試與驗證，待技術(shù)成熟后，將委托儀科中心與中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心技術(shù)轉移于設備廠(chǎng)商，進(jìn)行相關(guān)設備制造。