廣晟TD-LTE射頻芯片成功研發(fā)

TD-LTE實(shí)驗網(wǎng)和預商用網(wǎng)絡(luò )建設正在全球范圍內展開(kāi)，國外各大通信運營(yíng)商已經(jīng)積極投入到新一代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò )的搭建中。歐洲的通信網(wǎng)絡(luò )公司沃達豐、日本的運營(yíng)商DoCoMo和軟銀集團、美國的電信運營(yíng)商Verizon等都計劃在未來(lái)采用我國提出的4G標準技術(shù)搭建4G網(wǎng)絡(luò )。2010年，在工信部的組織下，各廠(chǎng)商紛紛完成了中移動(dòng)TD-LTE實(shí)驗室和順義、懷柔外場(chǎng)測試。然而，目前TD-LTE芯片還沒(méi)有進(jìn)入到終端與設備聯(lián)系的階段，是目前TD-LTE 的主要薄弱環(huán)節。

作為國內較早投入TD-SCDMA射頻芯片研發(fā)的企業(yè)，廣晟微電子在TD-SCDMA射頻芯片研發(fā)上積累了豐富的經(jīng)驗。憑借多年的TD-SCDMA射頻芯片開(kāi)發(fā)經(jīng)驗，2009年廣晟微電子承擔“新一代寬帶無(wú)線(xiàn)移動(dòng)通信網(wǎng)”國家科技重大專(zhuān)項“TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)”課題的研發(fā)工作。目前，廣晟微電子已經(jīng)成功研發(fā)出符合3GPP Release 8標準的TD-LTE射頻收發(fā)芯片，并在20MHz信號帶寬的條件下成功將64QAM的TD-LTE信號解調，詳見(jiàn)附圖：

廣晟微電子所研發(fā)的TD-LTE終端射頻芯片支持TD-SCDMA和TD-LTE/MIMO雙模工作模式，支持4頻段TD-SCDMA工作模式，即 1800-1920MHz頻段，2010-2025MHz頻段，2300-2400MHz頻段及2570-2620MHz頻段；同時(shí)還支持雙頻段下的 TD-LTE和MIMO工作模式，即2300-2400MHz頻段和2570-2620MHz頻段。在TD-LTE/MIMO工作模式下，支持多個(gè)信號帶寬：1.4MHz，3MHz，5MHz，10MHz，15MHz和20MHz。芯片接口為JESD207標準的11比特并行接口，便于與世界上大多數基帶芯片進(jìn)行對接。

在TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)期間，廣晟微電子采用了許多先進(jìn)的設計來(lái)提高該芯片的性能，如接收機采用無(wú)源混頻器結構，在降低功耗的同時(shí)有極大地改善了接收機前端IIP3和IIP2，縮小了版圖面積。同時(shí)采用了先進(jìn)的高速∑-? CT 模數變換器（ADC，過(guò)采樣時(shí)鐘接近1GHz），它與接收機的無(wú)源混頻器直接耦合，刪除了傳統的模擬濾波器，從而改善了由于模擬濾波器引入的群延遲，直流偏移等不良影響，極大地改善了接收機通道的性能；接收機還具有快速自動(dòng)AGC，無(wú)需基帶干預，即可將接收機的輸出電平穩定調整到基帶芯片所需的位置；芯片內置高性能低噪聲的∑-?小數分頻鎖相環(huán)電路，二倍頻的壓控振蕩器覆蓋1800MHz到2620MHz所有頻段的頻率需要；發(fā)射機通道采用帶有自動(dòng)直流偏移校準的高速數模轉換器（DAC），1dB步進(jìn)80dB動(dòng)態(tài)范圍的發(fā)射機可變增益放大器，輸出功率可達+5dBm同時(shí)具有很低的噪聲，因此發(fā)射機端口無(wú)需 SAW濾波器，降低了成本。芯片內置各種低功耗、低噪聲的LDO，所以芯片只需1.8V單電源供電，使用非常方便。此外，通過(guò)TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)，廣晟微電子研發(fā)團隊申請了13項發(fā)明專(zhuān)利，在研究成果上取得了一定突破。

從芯片的投片驗證來(lái)看，廣晟微電子研發(fā)的TD-LTE終端射頻芯片不僅滿(mǎn)足3GPP TD-LTE和國內相關(guān)技術(shù)規范的要求的三頻TD-LTE和TD-SCDMA雙模要求，還支持雙頻即2300-2400MHz頻段和 2570-2620MHz頻段TD-SCDMA和LTE/MIMO功能。目前，芯片各功能測試進(jìn)展順利，廣晟微電子鎖定“預商用”，正在向相關(guān)基帶廠(chǎng)商實(shí)施TD-LTE終端射頻芯片推廣工作，為未來(lái)TD-LTE的正式商用做好準備。