超高頻遠距離RFID無(wú)源射頻接口電路設計
1 引言
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/260436.htm射頻識別技術(shù)廣泛應用于交通運輸、動(dòng)物識別、過(guò)程控制、物流等方面。早在1990年代,13.56MHz的射頻標簽就應用于社會(huì )生活的各個(gè)領(lǐng)域。
近年來(lái),915MHz以及2.45GHz等UHF波段的射頻標簽由于工作距離遠,天線(xiàn)尺寸小等優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越受到重視。射頻標簽芯片的射頻接口模塊包括電源恢復電路、穩壓電路和解調整形電路。射頻接口的設計直接影響到射頻標簽的關(guān)鍵性能指標。
本文對射頻標簽能量供應原理進(jìn)行了詳細的理論分析,并完成了電源恢復電路、穩壓電路和解調整形電路的設計。
2 原理分析
2.1 電源恢復
無(wú)源射頻標簽依靠讀寫(xiě)器發(fā)射出的電磁波獲取能量。標簽芯片獲得的能量與很多因素都有關(guān)系,例如空間環(huán)境的反射,傳播媒介的吸收系數,溫度等。在理想自由空間,連續載波的情況下,有下面的近似公式:
式中,Ptag_IC是芯片接收到的能量,Preader為讀寫(xiě)器發(fā)射功率,Gtag是標簽天線(xiàn)增益,Greader是讀寫(xiě)器天線(xiàn)增益,R為標簽到讀寫(xiě)器的距離。
可以看到,標簽接收到的功率主要和距離與載波頻率相關(guān),隨距離的增大迅速減小,隨頻率的增加而減小。PreaderRreader也稱(chēng)為EIRP,即等效全向發(fā)射功率。它受到國際標準約束,通常在27~36dBm左右。例如,按照北美標準,讀寫(xiě)器等效發(fā)射功率EIRP應小于4W,即36dBm。在自由空間中,915MHz的信號在4m處衰減為43.74dB。假設標簽天線(xiàn)增益為1.5dBi,則在4m處無(wú)源射頻標簽可能獲得的最大功率只有約 -6.24dBm,238W。利用標準的偶極子天線(xiàn),在915MHz天線(xiàn)端能夠獲得的電壓約200mV。在如此低的輸入信號幅度下,采用普通全波或半波整流電路無(wú)法獲得所需的直流電壓,因此需要采用倍壓結構的電源恢復電路。
倍壓結構的電源恢復電路如圖1所示。圖中的二極管在實(shí)際應用時(shí)通常用MOS管替代。輸入正弦交流信號RFin=VAsint。在RFin負半周期時(shí),M0導通,C1充電。C1兩端能夠獲得的最大電壓為VA-Vd,其中,Vd為MOS管M0兩端的電壓降。
RFin正半周期時(shí),節點(diǎn)1的最大電壓為VA+(VA-Vd)。該電壓使得M1導通,C2充電,直到C2兩端達到最大電壓,即節點(diǎn)2的最大電壓,為 VA+(VA-Vd)-Vd=2(VA-Vd)。依次類(lèi)推,C3兩端能夠獲得的最大電壓為3(VA-Vd),節點(diǎn)4的最大電壓為4(VA-Vd)。節點(diǎn) 2N的最大電壓為2N(VA-Vd)。于是,對于2N級電路,輸出直流電壓為:
考慮輸出負載的情況。假設負載抽取電流為Iout,輸入交流信號頻率為fsig,所有電容值都為C,則輸出電壓降低2NIout/Cfsig。于是,考慮輸出負載情況下的輸出電壓為:
2.2 穩壓
在4W等效發(fā)射功率下,距讀寫(xiě)器20cm處,采用增益1.5dBi的接收天線(xiàn),標簽接收到的最大功率達到95.5mW,超過(guò)標簽在4m處接收到最大功率的400倍。為了保證標簽在近場(chǎng)和遠場(chǎng)都能夠可靠工作,需要有效的穩壓電路使得標簽在近場(chǎng)能夠保持電壓不超過(guò)正常工作電壓范圍。
通常的并聯(lián)式穩壓結構如圖2所示。當Vout大于穩壓電路開(kāi)啟閾值時(shí),穩壓電路內的瀉流管Mp開(kāi)啟,從瀉流管瀉放電流,使電壓降低。
2.3 解調
本文提出的射頻接口是針對滿(mǎn)足ANSNCITS256??1999射頻標簽協(xié)議的標簽芯片設計的。根據ANSNCITS256??1999射頻標簽協(xié)議規范,讀寫(xiě)器到標簽的信號為OnOffKey(OOK)調制信號。
因此,解調電路可采用二極管包絡(luò )檢波解調實(shí)現。
3 設計實(shí)現
3.1 電源恢復電路
根據設計指標,要在915MHz信號輸入幅度200mV,負載電流20A時(shí)獲得大于2V的直流電壓。則根據(3)式,可得N>5。因此,所需倍壓電路最低級數為12級??紤]到MOS管導通壓降的損失和寄生效應帶來(lái)的損失,電源恢復電路采用16級的倍壓電路結構,利用零閾值NMOS管實(shí)現。倍壓式電源恢復電路的末端最后一個(gè)電容為儲能電容,取200pF。
3.2 穩壓電路
根據設計協(xié)議要求,輸入信號為OOK信號在OOK信號的關(guān)斷時(shí)刻,由于圖2中瀉流管Mp無(wú)法瞬間關(guān)閉,于是繼續從儲能電容Cs上抽取電流,從而導致電源電壓Vout出現較大下脈沖凹陷。為解決該問(wèn)題,將并聯(lián)穩壓電路改進(jìn),如圖3所示。瀉流管Mo1和Mo2的電流抽取點(diǎn)從Vout端移至節點(diǎn)p。這樣,當瀉流管開(kāi)啟,OOK信號的關(guān)斷時(shí)刻到來(lái)時(shí),由于二極管連接的MOS管M3、M4的反向截止作用,儲能電容Cs上的電荷不會(huì )從瀉流管上被抽取走,從而避免了瀉流管造成的電源電壓下脈沖凹陷的問(wèn)題。穩壓電路穩壓值設計在2.4V。
3.3 解調電路
解調電路如圖4所示。M1~M4為4級倍壓?jiǎn)卧?,起到檢波二極管的作用。由于并聯(lián)穩壓電路的瀉流管無(wú)法瞬間關(guān)斷,因此,在OOK信號關(guān)斷時(shí)刻,瀉流管抽取電容C4上的電荷。電容C4取值較小,因此,p1點(diǎn)電平迅速下降,形成較大的下脈沖凹陷,經(jīng)過(guò)后級的整形電路,輸出標準的解調波形。
3.4 流片驗證
該射頻前端模塊作為超高頻長(cháng)距離無(wú)源射頻標簽芯片的一部分,在UMC0.18m混合信號工藝下設計實(shí)現,并流片驗證。芯片照片如圖5所示。
4 測試結果
4.1 電源恢復及穩壓電路測試
利用8753ES網(wǎng)絡(luò )分析儀作為電源恢復電路激勵源;中心頻率設定在915MHz,掃頻寬度設定為1Hz,以此來(lái)近似輸出915MHz的單頻載波信號。
網(wǎng)絡(luò )分析儀測試端輸出功率從-8dBm到10dBm,按照步進(jìn)0.5dBm,測試各功率點(diǎn)駐波比SWR和電源恢復電路電壓VDD。由于網(wǎng)絡(luò )分析儀功率輸出準確度較低,因此,再利用功率計,測量每個(gè)測試輸出功率下網(wǎng)絡(luò )分析儀的實(shí)際輸出功率Ps。電源恢復電路的實(shí)際輸入功率為:
根據Pin和VDD,繪制出反映電源恢復電路性能的輸入輸出特性曲線(xiàn),如圖6所示。
電路帶200k負載,300pF儲能電容。輸入功率229W時(shí),電源電壓到達1.85V。穩壓電路工作良好,電源電壓穩定在2.3V。
4.2 解調電路測試
讀寫(xiě)器發(fā)送1s脈寬的OOK調制信號。解調電路輸出波形如圖7所示。下脈沖上升時(shí)間較長(cháng)是由于示波器探頭引入的16pF電容所致。
5 結論
本文分析和設計了應用于超高頻無(wú)源射頻標簽的射頻接口電路,并利用0.18m工藝流片驗證。
根據芯片測試結果,該射頻接口電路能夠在讀寫(xiě)器4W等效發(fā)射功率下距讀寫(xiě)器4m處為射頻標簽芯片提供足夠的工作電壓,并且在芯片近場(chǎng)時(shí)能夠有效地穩定電源電壓。解調信號基本正??捎?。因此,該射頻接口電路可滿(mǎn)足超高頻遠距離無(wú)源射頻標簽芯片的要求,具有實(shí)用意義。
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