移動(dòng)通信天線(xiàn)中使用變壓器常遇3點(diǎn)難題及解決方案

近年來(lái)安裝在移動(dòng)通信終端的移動(dòng)通信天線(xiàn)的設計難度逐漸增高。隨著(zhù)LTE這種新型通信方式的增加，寬頻帶的使用越來(lái)越廣泛。另一方面，由于二次電池 等大型化的因素，可使用空間（天線(xiàn)/領(lǐng)域）縮小了。因此，天線(xiàn)的小型化成了當務(wù)之急。但是，如果天線(xiàn)被小型化的話(huà)，就意味著(zhù)天線(xiàn)的阻抗和RF電路的輸入和 輸出阻抗（50Ω系）相比的話(huà)會(huì )變低，這就意味著(zhù)將RF電路跟天線(xiàn)阻抗通過(guò)全通信帶寬整合起來(lái)是非常困難的。

目前在實(shí)施阻抗整合時(shí)，一般使用電感器（L）、電容器（C）等LC元器件。但是，LC元器件電抗中具有頻率特性，整合阻抗后的天線(xiàn)Q值會(huì )劣化，頻帶寬會(huì )減小。

這里阻抗轉換時(shí)對于頻率特性難以呈現的材料來(lái)說(shuō)，就以主要在低頻領(lǐng)域中使用的變壓器來(lái)舉例吧。變壓器是通過(guò)結合磁場(chǎng)的2個(gè)線(xiàn)圈（變壓器、線(xiàn)圈）的電感（L值）的比率達到變換阻抗，所以不能保障理想狀態(tài)下的頻率特性。因此我們考慮到將其使用到阻抗的整合當中。

移動(dòng)通信的天線(xiàn)中使用變壓器會(huì )遇到3點(diǎn)問(wèn)題。

　　1）微波頻段中由于“磁性材料的滲透性≒1”，因此很難達到高結合系數;

　　2）天線(xiàn)的輸入阻抗很小會(huì )導致變壓器損耗影響大;

　　3）天線(xiàn)輸入阻抗值會(huì )因為頻帶不同而產(chǎn)生變化。

正因為存在這些問(wèn)題，至今為止移動(dòng)通信天線(xiàn)的阻抗整合中一直不使用變壓器。而我們通過(guò)獨有的方法解決了這一問(wèn)題。

結合系數是指構成變壓器的2個(gè)變壓器、線(xiàn)圈間的距離以及由線(xiàn)圈導致的磁束形狀相關(guān)性而產(chǎn)生的變化。一邊維持高結合系數一邊控制變壓比，因此變壓、線(xiàn)圈的形狀達到了統一的狀態(tài)，從而開(kāi)發(fā)了每個(gè)線(xiàn)圈的L值都能自由控制的構造。

這種構造在LTCC（低溫共燒陶瓷）內構造而成，可在變壓器和線(xiàn)圈間的距離為數十μm的情況下制成。即使在微波頻帶中也可將變壓器的結合系數控制在0.7以上。

把高頻變壓器跟具有10Ω阻抗的天線(xiàn)連接，由于變壓器本身的材料特性產(chǎn)生的插入損耗（插入損耗）比起跟50Ω連接的高頻器件相對較大。因此，一般低頻中使用的具有大L值和阻抗成分的變壓器在高頻下難以使用。

為了削減這種阻抗成分并維持變壓比，我們采用了圖1所示的高頻變壓器的構造。該構造跟普通的變壓器構造相反，它將接地連接端口跟天線(xiàn)連接端口完全逆 反。因此，才能達到如圖1所示的變壓比。使用該構造的話(huà)，因結合產(chǎn)生的互感M值會(huì )反應到變壓器，變壓器中使用的線(xiàn)圈L值會(huì )減小，由于高頻變壓器的阻抗成分 I.L.可以被抑制得很小。

移動(dòng)通信天線(xiàn)中使用的通信帶寬以1GHz為界限分為低領(lǐng)域“lowband”和高領(lǐng)域“highband”兩種。開(kāi)放型天線(xiàn)中一般來(lái)說(shuō)lowband 中為天線(xiàn)的基本波而highband中為天線(xiàn)的高頻波。天線(xiàn)內部沒(méi)有安裝短針等組抗整合功能時(shí)，lowband的阻抗為10Ω左右，highband的阻 抗為 19Ω左右。

如果在這樣的天線(xiàn)中安裝一定變壓比的變壓器，是不能只整合一個(gè)band的阻抗的。所以，天線(xiàn)用變壓器，必備的設計需求是要使變壓比適應天線(xiàn)的阻抗頻率特性。這種適應方法如圖2所示，是一種將理想的變壓部分和寄生成分部分分解開(kāi)來(lái)的等效電路。

此次開(kāi)發(fā)的變壓器構造的寄生成分分為“串聯(lián)L”和“并聯(lián)L”兩種。在這之中，串聯(lián)寄生成分可通過(guò)增高結合系數減少影響，而并聯(lián)寄生成分則可能會(huì )發(fā)生 “結合系數=1”的情況。必要的小L值設計的高頻變壓器中，是不可能排除并聯(lián)寄生成分的影響的。但是，可通過(guò)控制這種并聯(lián)寄生成分的值使變壓比適應天線(xiàn)的 阻抗頻率特性。并聯(lián)寄生成分的值可通過(guò)轉換變壓器線(xiàn)圈的L值來(lái)達到控制。此次，我們就發(fā)現了能夠很好地控制并聯(lián)寄生成分的L值和結合系數K的組合。

有了上述的構造，以天線(xiàn)的組抗整合的簡(jiǎn)易化為目的試制高頻變壓器并評價(jià)。試制品的尺寸為2.0mm 1.25mm 0.6mm的表面貼裝元器件（SMD）（圖3）。在試作品的RF電路側連接50Ω系的測定器，天線(xiàn)連接側的阻抗和動(dòng)畫(huà)如圖4所示。試制變壓器將 lowband（892MHz）轉換成12→50Ω，highband（1940MHz）裝換成了19→50Ω。